如何解决煤矿控制系统的干扰问题

煤矿的环境比较复杂、恶劣,常存在干扰,如环境温度、湿度、噪声等,而且工作电压大部分是强电,易产生电磁干扰,这些对系统的可靠性与安全性构成了极大的威胁。控制系统必须长期稳定、可靠运行,否则将导致控制误差加大,严重时会使系统失灵,甚至造成巨大损失。     

修正的van der Waals模型及其对液相流体的应用

用7种代表性物质在广阔温度和压力范围内的液体物性实验值，对两个不同程度上修正的van der Waals模型进行比较和评价。结果表明，从统计力学出发，进一步张Lennard-Jones位能函数对内压项进行修正的van der Waals模型，较仅对已占体积项进行修正的van der Waals模型明显更成。     

由芳香族聚酯LCP废弃物回收4,4'-联苯二酚

以1,4-二氧六环为溶剂,NaOH为催化剂,对废弃的含4,4'-联苯二酚(BP)单元的芳香族聚酯型液晶高分子(LCP),在常压下通过水解反应回收制备4,4'-联苯二酚进行了研究。在反应混合物的质量比m(LCP)∶m(溶剂)∶m(H2O)∶m(NaOH)=1∶4∶1.5∶0.6的最优条件下,液晶高分子的水解率达97%以上。通过在水解液中加入HCl并控制其pH在8.5,沉淀得到4,4'-联苯二酚。4,4'-联苯二酚经水洗、干燥、甲醇重结晶后,液相色谱检测其纯度可达99.9%,从废弃液晶高分子中制备4,4'-联苯二酚的收率为70%。     

由芳香族聚酯LCP废弃物回收4,4′-联苯二酚

以1,4-二氧六环为溶剂,NaOH为催化剂,对废弃的含4,4'-联苯二酚(BP)单元的芳香族聚酯型液晶高分子(LCP),在常压下通过水解反应回收制备4,4'-联苯二酚进行了研究。在反应混合物的质量比m(LCP)∶m(溶剂)∶m(H2O)∶m(NaOH)=1∶4∶1.5∶0.6的最优条件下,液晶高分子的水解率达97%以上。通过在水解液中加入HCl并控制其pH在8.5,沉淀得到4,4'-联苯二酚。4,4'-联苯二酚经水洗、干燥、甲醇重结晶后,液相色谱检测其纯度可达99.9%,从废弃液晶高分子中制备4,4'-联苯二酚的收率为70%。     

掘进工作面前方电磁辐射分布规律研究

为了研究煤矿掘进工作面前方煤体内不同深度的煤岩电磁辐射分布规律，利用KBD5电磁辐射监测仪对工作面前方煤体电磁辐射进行了现场测试，基于煤岩电磁辐射力电耦合规律，对煤岩变形破裂过程与电磁辐射强度的相关性进行了理论分析．结果表明：电磁辐射变化与煤体应力状态有较好的对应关系，工作面煤体内部具有多种应力状态和变形破裂状态．文中给出了比较典型的4种电磁辐射分布类型：煤体长期暴露的电磁辐射分布、防突措施后电磁辐射分布、新揭露煤体电磁辐射分布、有构造煤层的电磁辐射分布．     

煤系岩石损伤破坏扰动效应试验研究

利用建立的煤岩体分级加载扰动试验系统,进行了煤系岩石典型单轴压缩实验、无扰动分级加载试验,以及分别施加不同速率及幅度的扰动载荷的分级加载试验,同步采集声发射（AE）信号,并利用加卸载响应比理论对AE信号进行分析．结果表明,扰动载荷能够使岩石的抗压强度显著降低,施加扰动载荷条件下9个岩样单轴抗压强度降低了20～60kN（约为单轴极限抗压强度的10％～25％）;扰动速率的变化（由650N／s增至1kN／s）较载荷大小的变化（由2．5kN增至5kN）对岩样强度影响明显;AE能量与加载路径对应良好,其加卸载响应比随载荷水平的增加存在先减小后增大的趋势．     

单轴压缩下煤体表面电流试验研究

试验研究了在单轴压缩条件下煤体受压产生电流的性质及变化规律,并对产生这种电流变化的原因进行了分析。实验表明,煤在受载破坏过程中,表面有微电流产生。在加载初期,电流产生不明显。当载荷δc≈0.75δmax时,电流开始出现较快增长,并且和载荷的相关系数达0.8~0.9以上,呈高度相关。载荷发生突变或卸压时有较强电流信号出现。根据电流和载荷的对应关系,可以用电流信号来反映煤体受载程度,从而为煤岩体稳定性监测提供一种新的思路。     

砂岩单轴压缩破坏的临界慢化特征

为了从临界慢化的角度研究岩体破裂失稳产生的声发射信号特征,进行了砂岩单轴压缩实验。基于临界慢化原理,对砂岩单轴压缩破坏产生的声发射信号进行了处理分析,结果表明:在整个加载过程中,砂岩破坏产生的声发射信号呈现出明显的阶段性特征;不同的窗口长度、滞后步长对于表征砂岩破坏临界慢化临界点的自相关系数及方差的波动稳定性有影响;可以将砂岩加载破坏过程中产生的声发射计数自相关系数、方差的突然增大作为砂岩破坏的前兆特征,相对于自相关系数而言,方差更具明显性,且前兆点无论是在时间上还是应力上都达到了总时间及应力峰值的80%以上,具有较好的时效性。     

聚合物的内压与新溶解度参数

由文献发表的pVT数据回归得到了许多液态聚合物的Tait方程参数。据此能够获得各种密度下聚合物的等容线。将这些等容线斜率的对数与密度作图,则无例外地发现这些作出的线是很好的直线,故可建立一个聚合物的通用内压方程。它有两个特性常数,分别决定于直线的斜率和截距。它能用来准确地计算298．15K时各种液态聚合物的内压;据此,得到了90个聚合物的新溶解度参数值。     

76.2mm Si基AlGaN/GaN HEMT

南京电子器件研究所采用含有双AlGaN过渡层的材料结构在76.2 mm(3英寸)Si衬底上外延生长了厚度超过2 μm的AlGaN/GaN HEMT材料(图1),材料表面光滑、无裂纹.通过外延材料结构和生长条件优化,使GaN外延层(002)面XRD摇摆曲线半高宽度降低到579 arcsec,(102)面半高宽度降低到983 arcsec;A1GaN/GaN HEMT材料的表面均方根(RMS)粗糙度降低到0.358 nm(6 μm×6μm);方块电阻降低到328 Ω/□,电子Hall迁移率和面密度分别达到1 650 cm2/ (V·s)和1.155×1013 cm2;降低了外延片的翘曲度和弯曲度,使之能够顺利通过Stepper光刻机进行圆片级器件研制,并提高了HEMT器件的成品率.