工作面回风巷瓦斯分布研究及监测布置探讨

测试了采煤工作面回风巷不同位置断面的瓦斯体积分数,作出了巷道断面的瓦斯分布云图,研究了回风流瓦斯体积分数分布规律,得出结论:距离工作面不同位置的巷道断面上瓦斯体积分数分布是不均匀的,瓦斯随着风流运移约100m后才能逐渐和空气混合均匀;上隅角涌出的采空区瓦斯对巷道瓦斯体积分数分布影响较大。对工作面回风流瓦斯监测及传感器布置提出了改进建议,即回风巷道瓦斯传感器应该布置在巷道的中线上,距离顶板不大于300mm,距上隅角10m处也应布置一个传感器测点。     

适应社会主义市场经济的发展 切实加强农村集镇建设中的园林绿化工作

社会主义市场经济,就是竞争经济,在焕发着勃勃生机的社会主义商品经济大潮中,要使我们的农村集镇建设在竞争中立于不败之地,少走或避免走城市建设中的弯路,就必须在集镇的整个规划、建设和管理中,建立健全一整套科学完整的园林绿化管理体系。同时,也为了使农村集镇能建设成一个真正美丽、科学的生产、生活环境,现就今后农村集镇建设中如何搞好园林绿化工作谈一些设想。     

相变材料封装技术的研究进展

综述了近年来国内外相变材料胶囊化和复合化两类关键封装技术,分析了各自制备方法的优势和不足,同时提出了相变材料的发展瓶颈及解决办法,展望了未来相变材料的发展方向。     

锅炉省煤器磨损及其防治措施

介绍了影响省煤器磨损的主要因素及防止省煤器磨损的技术措施,对大唐长春第二热电有限责任公司锅炉省煤器在运行,检修中出现的磨损问题,选择合理的烟气流速,消除局部"烟气走廊",定期进行翻排检修,采用局部防磨措施,有效地防止了省煤器的磨损,延长了锅炉安全运行周期.     

氧化对 GaN 基LED透明电极接触特性的影响

研究了热退火对InGaN/GaN 多量子阱LED的Ni/Au-p-GaN欧姆接触的影响.发现在空气和 N2气氛中交替地进行热退火的过程中Ni/Au接触特性显示出可逆现象. Ni/Au-p-GaN接触的串联电阻在空气中随合金化时间逐渐减小,在随后的 N2 中的热退火后会使该串联电阻增加,但在空气中再次热退火能使接触特性得到恢复.同时对Ni/Au-p-GaN 接触在空气中合金化过程中的层反转的成因进行了讨论.     

碳掺杂AlGaAs的MOCVD生长及808 nm大功率激光器

用 CCl4 作为掺杂剂 ,进行了掺碳 Al Ga As层的 LP-MOCVD生长 ,并对其掺杂特性进行了研究 ,分析了各生长参数对掺杂的影响 ;研制了碳掺杂 Al Ga As限制层 80 8nm大功率半导体激光器 ;激光器单面连续波输出功率大于 1 W,功率效率为 0 .7W/ A。     

高温退火对AlN外延材料晶体质量的影响

采用高温退火技术改善金属有机物化学气相沉积AlN薄膜材料晶体质量。研究发现较低的生长温度下,Al原子迁移能力弱,外延呈岛状生长模式,形成大量的柱状晶粒,晶粒倾斜、扭曲,晶格原子排列混乱,存在大量的位错和层错缺陷;高温退火时晶格发生重构,晶粒合并,位错和层错缺陷减少,晶格排列整齐,晶体质量得到提升。通过优化生长温度和退火温度,获得了高质量的200 nm厚AlN模板,其（002）和（102）面的X射线双晶衍射摇摆曲线半高宽分别为107 arcsec和257 arcsec,位错密度比退火前降低了2～3个数量级。     

干式排渣系统存在问题及改讲

对大唐长春第二热电有限责任公司干排渣系统存在的问题进行了系统总结,并从渣井蓬焦、排渣机上升段积灰与堵塞、清扫链灰渣积灰与倒灌、负压输送系统管路堵塞、负压输送系统出力低、冷却风量无调节手段等方面进行了剖析。结合设备本身设计上的不足,提出了改造方案并实施,为干式排渣系统的可靠运行提供了保障。     

受载煤体电磁辐射动态非线性特征

为了研究受载煤岩变形破裂过程中电磁辐射动态非线性特征,对不同力学性质的煤样进行了不同加载速率的单轴压缩实验和分级加载实验,发现受载煤体电磁辐射由煤的力学性质、应力水平及加载速率共同决定,煤的强度越高、加载速率或应力水平越大,电磁辐射非线性特征越明显.依据煤的力学性质,受载煤体在变形破裂过程中其破坏前兆信号可以划分为3种类型.应用时变多重分形理论分析了电磁辐射时间序列,结果表明煤岩破裂失稳之前多重分形参数Δαm随载荷的增加呈增大趋势,在破坏后期Δαm有一定程度降低.裂纹扩展越激烈,煤岩内部损伤程度越高,Δfm越小.Δαm,Δfm的动态变化可以用来评价煤岩变形破裂过程及破坏阶段.     

毫米波10W GaN HEMT功率MMIC

GaN HEMT具有工作电压高、功率密度大、输出阻抗高、散热性能好等特点,大大扩展了微波功率MMIC的设计空间.特别是在毫米波段,基于GaAs pHEMT的毫米波功率MMIC产品工作电压普遍只有6V左右,限制了其进一步提升输出功率的能力.GaN HEMT在毫米波段的工作电压可高达20～24 V甚至更高,其在毫米波波段的输出功率能力同样强劲,输出功率密度可高达10 W/mm以上,结合SiC衬底优良的散热能力,使其在毫米波段可获得比GaAs技术更好的性能表现.