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1987年 | 1篇 |
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给出了光表面控制负阻晶体管 PNEGIT( Photo- Controlled Surface Negative ImpedanceTransistor)的电路模型 ,从栅控晶体管数学模型出发并结合光电池的电路模型 ,用电路模型描写带有表面复合和体复合的器件 ,模型为研究 PNEGIT和表面控制负阻晶体管 NEGIT( Surface- Controlled Negative Impedance Transistor)以及探讨该类器件的新用途提供了一种手段 ,把模拟结果与实验进行了对比 相似文献
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一次和二次聚合物驱驱替液与原油黏度比优化研究 总被引:6,自引:0,他引:6
研究了不同原油黏度原油油藏一次聚合物驱和二次聚合物驱时驱替液与原油黏度比对提高采收率的影响,并对合理黏度比区间进行了优化。研究结果表明:在相同原油黏度条件下,随着黏度比的增大,聚合物驱提高采收率幅度变大,但黏度比大到一定程度后采收率提高幅度的增加不明显;在相同黏度比条件下,二次聚合物驱采收率提高幅度明显低于一次聚合物驱,如果要达到一次聚合物驱时的采收率提高幅度,则需要较高的黏度比;二次聚合物驱时,聚合物注入时机越早越好。绘制了合理黏度比的理论图版,利用该图版可以检验矿场实施单元注入参数的合理性,且为一次聚合物驱及二次聚合物驱的合理注入参数设计提供了依据。 相似文献
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报道了一种采用UHV/CVD锗硅工艺和CMOS工艺流程在SOI衬底上制作的横向叉指状Si0.7Ge0.3/Si p-i-n光电探测器.测试结果表明:其工作波长范围为0.7~1.1μm,在峰值响应波长为0.93μm,响应度为0.38A/W.在3.0V的偏压下,其暗电流小于1nA,寄生电容小于1.0pF,上升时间为2.5ns.其良好的光电特性以及与CMOS工艺的兼容性,为研制能有效工作于近红外光的高速、低工作电压硅基光电集成器件提供了一种新的尝试,在高速光信号探测等应用中有一定的价值. 相似文献
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