首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   150篇
  免费   17篇
  国内免费   34篇
电工技术   11篇
综合类   8篇
化学工业   7篇
金属工艺   3篇
机械仪表   2篇
建筑科学   13篇
矿业工程   19篇
能源动力   6篇
轻工业   10篇
水利工程   5篇
石油天然气   8篇
无线电   57篇
一般工业技术   3篇
冶金工业   5篇
自动化技术   44篇
  2023年   2篇
  2022年   5篇
  2021年   4篇
  2020年   6篇
  2019年   1篇
  2018年   3篇
  2017年   1篇
  2016年   2篇
  2015年   2篇
  2014年   3篇
  2013年   3篇
  2012年   7篇
  2011年   15篇
  2010年   9篇
  2009年   8篇
  2008年   7篇
  2007年   8篇
  2006年   7篇
  2005年   8篇
  2004年   15篇
  2003年   20篇
  2002年   18篇
  2001年   13篇
  2000年   8篇
  1999年   1篇
  1998年   5篇
  1997年   3篇
  1996年   3篇
  1995年   1篇
  1994年   1篇
  1993年   1篇
  1992年   1篇
  1991年   2篇
  1990年   1篇
  1988年   6篇
  1987年   1篇
排序方式: 共有201条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
本文在考虑了晶体管的小注入效应和大注入效应以及基区宽变效应等因素后,首次用近似和简化的数学表示式和相应的等效电路,描述了光电双基区晶体管(PDUBAT)负阻形成的机理并使负阻区和谷值区的理论计算和实验结果一致性很好.  相似文献   
2.
给出了光表面控制负阻晶体管 PNEGIT( Photo- Controlled Surface Negative ImpedanceTransistor)的电路模型 ,从栅控晶体管数学模型出发并结合光电池的电路模型 ,用电路模型描写带有表面复合和体复合的器件 ,模型为研究 PNEGIT和表面控制负阻晶体管 NEGIT( Surface- Controlled Negative Impedance Transistor)以及探讨该类器件的新用途提供了一种手段 ,把模拟结果与实验进行了对比  相似文献   
3.
本文结合用于CM0S图像传感器中的低噪声DPGA的性能特点,提出了一种优化电容阵列拓扑结构的方法,讨论了此种结构下由寄生电容引入的时钟馈通和电荷分配效应,并给出了仿真结果和按照0.35 μ m CMOS工艺进行流片的版图.测试结果表明,采用改进的电容阵列结构能把采样电容引入的噪声斜率从原来的0.15降低到0.01.  相似文献   
4.
SCR器件在CMOS静电保护电路中的应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
静电放电(ESD)对CMOS电路的可靠性构成了很大威胁。随着CMOS电路集成度的不断提高,其对ESD保护的要求也更加严格。针对近年来SCR器件更加广泛地被采用到CMOS静电保护电路中的情况,文章总结了SCR保护电路发展过程中各种电路的工作机理。旨在为集成电路设计人员提供ESD保护方面的设计思路以及努力方向。  相似文献   
5.
卜春雨  李树荣  吴静  李丹 《半导体学报》2004,25(9):1164-1168
采用DUBAT(双基区晶体管)和光电二极管构成新型无电感光控振荡器,并对其等效电路进行了模拟,分析了工作原理.实验数据证明了该光控振荡器频率与光强成正比,可实现光的模数转化.由于DU BAT结构简单,与集成电路工艺兼容,成本低廉,为光控振荡器与功能电路的集成应用提供了新的实现方式  相似文献   
6.
光电负阻晶体管(PNEGIT)的研制和特性分析   总被引:10,自引:3,他引:10  
郑云光  郭维廉  李树荣 《电子学报》1998,26(8):105-107,128
考虑到负阻晶体管NEGIT的特性,设计和制造了在光强度100lx和1000lx的白炽灯光照射下输出光电流可分别达到0.6mA和18mA的光电负阻晶体管PNEGIT,  相似文献   
7.
一次和二次聚合物驱驱替液与原油黏度比优化研究   总被引:6,自引:0,他引:6  
研究了不同原油黏度原油油藏一次聚合物驱和二次聚合物驱时驱替液与原油黏度比对提高采收率的影响,并对合理黏度比区间进行了优化。研究结果表明:在相同原油黏度条件下,随着黏度比的增大,聚合物驱提高采收率幅度变大,但黏度比大到一定程度后采收率提高幅度的增加不明显;在相同黏度比条件下,二次聚合物驱采收率提高幅度明显低于一次聚合物驱,如果要达到一次聚合物驱时的采收率提高幅度,则需要较高的黏度比;二次聚合物驱时,聚合物注入时机越早越好。绘制了合理黏度比的理论图版,利用该图版可以检验矿场实施单元注入参数的合理性,且为一次聚合物驱及二次聚合物驱的合理注入参数设计提供了依据。  相似文献   
8.
报道了一种采用UHV/CVD锗硅工艺和CMOS工艺流程在SOI衬底上制作的横向叉指状Si0.7Ge0.3/Si p-i-n光电探测器.测试结果表明:其工作波长范围为0.7~1.1μm,在峰值响应波长为0.93μm,响应度为0.38A/W.在3.0V的偏压下,其暗电流小于1nA,寄生电容小于1.0pF,上升时间为2.5ns.其良好的光电特性以及与CMOS工艺的兼容性,为研制能有效工作于近红外光的高速、低工作电压硅基光电集成器件提供了一种新的尝试,在高速光信号探测等应用中有一定的价值.  相似文献   
9.
首次对双向负阻晶体管(BNRT)进行了光敏化,设计并研制出既有光敏特性又有“S”型负阻特性的一种新型光电开关器件——光电双向负阻晶体管(PBNRT)。介绍了器件的设计和研制过程;测量分析了其J—V特性与光强和栅极电压的关系;测量了光电开关的时间常数并进行了分析讨论。  相似文献   
10.
用硅光电负阻器件产生光学双稳态   总被引:8,自引:1,他引:8  
本文利用作者近期研制出的硅光电表面负阻晶体管(PNEGIT),首次提出并通过实验成功地实现了一种新的光学双稳态即以PNEGIT作为光输入器件,用它驱动一发光管(LED)作为光输出器件,由于PNEGIT具有负阻输出特性,致使LED输出光功率(POUt)一输入光功率(Pin)特性上出现光学双稳环.这种器件具有光开关、光逻辑、光存贮等多种功能,将为硅光电器件在光信息处理、光计算、光通讯等领域中的应用,开辟一条新途径  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号