浅谈市政路桥产生裂缝原因及其防治对策

加强对市政路桥产生裂缝原因及其防治对策的研究,有利于提高市政路桥施工质量,具有重要的现实意义。文章笔者对市政路桥产生裂缝原因及其防治对策进行了探讨,希望对相关从业人员具有借鉴意义。     

LTETDD和FDD技术差异剖析

主要分析了LTETDD与FDD系统协议的不同之处,从帧结构、HARQ、CQI反馈周期、ACK／NACK反馈模式、PHICH组数和下行特殊子帧的RB个数折算等方面进行了详细的分析和阐述。     

汉代漆器装饰纹样在现代设计中的应用

汉代文化在我国有着几千年的发展历史,汉代漆器装饰纹样的应用在现代设计中起着非常重要的作用,再加上其具有造型简练、运线流畅、浑厚古拙的特点,增添了现代设计的浪漫元素。本文主要对汉代漆器装饰纹样在现代设计中的应用进行了表述,希望对设计者有所帮助。     

基于一次设备与保护协同检修的最佳消缺期限研究

继电保护装置的运行可靠性对电力系统有重要影响,在检修管理中应将一次设备及其保护作为统一整体来考虑.提出基于一次设备和保护协同检修的一次设备最佳消缺期限的计算模型.分析一次设备和保护的协同检修安排;建立了基于协同检修的单一保护系统的状态空间模型,提出系统的可靠性经济分析法.在协同检修的状态空间模型下,算例应用可靠性经济分析法分别计算以年均经济损失最小及可靠性经济最优为目标的变压器最佳消缺期限,结果表明所提出的计算模型能为检修工作节省大量人力、物力和财力,并且提高设备的可用率和供电可靠性.     

浅谈高职院校机房管理的现状及对策

高等职业院校承担着培养应用型高技能人才的重要使命,机房是学生获取计算机应用技能的主要场所。当前,伴随着高等职业教育的快速发展,一些高职院校规模不断扩大,学生上机人数不断增多,导致机房处于高负荷工作状态,给机房的维护和管理带来很大负担。科学管理好机房保障教学工作顺利进行。分析当前高职院校计算机机房管理工作中存在的问题,探讨管理机房的科学方法,提高机房的管理水平。本文从当前高职院校机房管理的工作中存在的问题出发,探讨科学管理机房以及提高管理水平的方法。     

FPGA开关矩阵中基于通道结构的漏电流优化方法

从通道互连结构角度考虑,该文提出一种降低FPGA中开关矩阵漏电流的方法。根据漏电流与电路输入、输出状态有关的结论,利用连线开关盒(SWB)对信号的传输特性,将FPGA中开关矩阵的漏电优化等效在小规模的矩阵单元中实现。因为能够在有限的输出状态组合中搜寻最小漏电状态,相比仅通过电平恢复器确定SWB输出状态的方法,该算法能有效地降低漏电流,并且兼容电路级的漏电流优化方法。     

基于熵权属性识别模型的电网调峰方案评估方法

现有电网调峰方案的形成很大程度上仍依据运行调度人员的人工经验,主观性强,尚缺乏精细化的方案评估体系。采用系统总发电耗煤量、总购电费用、总SO2排放量作为电力系统调峰方案的三大评估指标,将解决有序分割问题的属性识别模型和信息论中的信息熵理论结合起来,提出基于熵权属性识别模型的电力系统调峰方案评估方法体系。首先建立调峰方案的属性空间并进行有序分割,采用熵理论确定各指标的权值,采用加权和的方式计算调峰方案的属性测度;最后,按照置信度准则,确定该调峰方案的优劣。在算例中,以广东电网为实际应用背景,选取2010年广     

基于Verilog的汽车尾灯设计

本文通过Verilog语言实现汽车尾灯的设计,实现了左转弯,右转弯,刹车和倒车尾灯闪烁的功能.通过使用控制模块和分频模块,完成了尾灯状态的实现.这种控制电路结构简单,性能可靠,操作简便,抗干扰性能稳定.将它应用于现代汽车的使用,可避免汽车在大雾,阴雨和黑暗等天气的干扰进而避免交通事故的发生.让驾驶人员更加安全和便利.     

基于裂纹扩展的低速柴油机机座寿命分析

以某低速二冲程船用柴油机机座为研究对象,对机座上主轴承座材料ZG200-400开展裂纹扩展试验,得到该材料的疲劳裂纹扩展速率和稳定扩展段的Paris公式。采用子模型方法,建立主轴承座三维裂纹扩展寿命分析模型,结合机座在发动机额定运行工况下一个工作循环(360°曲轴转角)的交变应力分析结果,为主轴承座裂纹扩展模型提供真实边界,计算含有初始缺陷的主轴承座裂纹扩展寿命,结果表明含有初始缺陷的主轴承座裂纹扩展寿命低于低速机大修检查间隔期,论文的研究成果为机座的损伤容限设计在工程应用上提供了一定的参考意义。     

低温下GaAs（001）图形化衬底对In原子扩散机制的影响

通过预先制备的图形化衬底和液滴外延法的结合,利用固体源分子束外延在条纹构图的GaAs(100)衬底上生长InAs纳米结构。发现InAs量子点倾向于形成在靠近平台以及脊上或侧壁上,InAs量子点形貌的变化取决于图案化衬底上In原子受到的扩散限制。随着衬底温度提高和退火时间延长,沟壑底部的几乎所有InAs量子点都逐步消失,而在平台上生长并熟化。基于In原子在图形化衬底下GaAs的成核和扩散,发现了In原子在图形化GaAs表面优先在平台上成核并向上攀爬的机理。基于这个机制,系统讨论了退火时间,衬底温度以及Ehrlich-Schwoebel势垒对In原子在图形化表面的成核和扩散的影响。