剧院扩声设计中的音箱摆位

对于固定扩声系统的剧院,在设计时会面临音箱位置的布局问题。从音箱自身的角度来看,音箱的布局受两个方面因素的影响：单只音箱的指向性及辐射范围;多只音箱的组合结果。结合这两个方面的因素进行考虑,探讨在实际剧院扩声设计中音箱布置的优选法。     

导弹贮存可靠性试验中右删失数据的分布选择方法

针对导弹贮存可靠性试验中右删失数据在数据处理时分布未知的问题,提出了一种分布选择方法。以右删失数据的PL估计作为数据分布选择的基准,计算常见分布下的参数估计,得到可靠度函数估计,计算各分布下可靠度函数曲线与PL估计曲线间的拟合距离,选取拟合距离最小的分布作为数据的拟合分布。     

压电驱动微动平台结构的设计优化和仿真分析

采用双平行柔性铰链结构设计了一种二维微动平台,并计算了微动平台各方向的刚度。根据约束条件,建立了理论刚度数学模型;采用序列二次规划(SQP)算法对平台结构进行多目标优化,并通过MATLAB软件对数学模型进行求解;利用ANSYS软件对优化后平台的位移、刚度和固有频率进行仿真分析。理论计算和仿真结果表明,微动平台具有良好的静、动态特性。     

CO2激光和微波联合治疗血管瘤型尿道肉阜疗效观察

尿道肉阜是女性尿道外口常见的一种良性肿 瘤,多与炎性刺激或损伤有关。按其性质大致可分 为乳头瘤型,血管瘤型及肉芽肿型。其中以血管 瘤型较难治愈,复发率较高。1999年8月至2003年 10月,我们对120例血管瘤型尿道肉阜患者分别应 用CO2激光联合微波(下称联合组)治疗与单纯 CO2激光治疗进行了对比疗效观察,报告如下:     

电力电子系统CAI课件的开发与应用

以电力电子系统教学为研究对象,利用计算机交互和多媒体技术开发出电力电子系统CAI课件。介绍了课件的开发过程及应用效果,说明了课件具有课堂演示、实验仿真,系统分析计算、科研和设计等功能。教学实践表明：该课件界面友好、互动性强．利用此课件可改善教学手段,丰富教学内容。     

赴日无线电监测技术考察报告

首先介绍了日本总务省关东综合通信局电波监理部的情况，然后对日本安立公司生产的RR510A型无线电监测接收机和技术参数以及MS8609A型数字移动无线发射机测试仪的功能进行了分析和介绍。     

精细管理 稳产增效——盐亭作业区管理创新的调查

中国石油西南油气田分公司川中油气矿盐亭作业区(以下简称作业区)管辖着秋林、八角、苏河场3个油气田。作业区立足老区旧层,树立以人为本、油气为根、精细管理、为旗增辉的理念,按照管好老旧井重稳产、利用潜力井抓增产、注重边缘井求拓展的思路,坚持精细再精细的管理模式,取得明显效益。2005年原油、天然气生产分别完成年度计划的118.6%和109.2%,天然气收款率达到100%,安全环保无事故。该作业区作为西南油气田分公司“基层建设红旗单位”,其管理创新主要体现在以下几个方面。立足老区实施精细管理作业区所属的八角气田于上世纪70年代初投产…     

一个面积和功耗优化且适用于10/100 Base-T以太网的CMOS时钟恢复电路

提出了一个新的用于10 / 10 0 Base- T以太网中面积和功耗优化的时钟恢复电路.它采用双环路的结构,加快了锁相环路的捕获和跟踪速度;采用复用的方式,通过选择信号控制电路可分别在10 Mbps或10 0 Mbps模式下独立工作且能方便地实现模式间的互换,与采用两个独立的CDR电路相比节省了一半的面积;同时,电路中采用一般的延迟单元来取代DL L,并能保证环路性能不随工艺温度等条件引起的延迟单元、延迟时间的变化而变化,从而节省了功耗.Hspice模拟结果显示,在Vdd=2 .5 V时,10 0 Mbps模式下电路的功耗约为75 m W,稳态相差为0 .3 ns;10 Mbps模式时电路功耗为5 8m W     

基于SDL的通信软件维护模型SMM

软件维护是软件生存周期的一个重要且花费很大的阶段，维护工作的自动化是软件行业十分迫切的需要。本文提出了一个基于ＩＴＵ－ＴＳＤＬ语言的通信软件维护模型ＳＭＭ。在此模型中，软件维护被分成三个部分：建立面向维护的数据库，制定维护规范和基于功能转换的自动维护。该模型将有助于软件维护支撑环境的建立     

795nm单模垂直腔面发射激光器

针对铷原予能级跃迁对光谱的特殊需求,设计并制备了795 nm单模垂直腔面发射激光器(VCSEL).根据对VCSEL的光场和模式的分析和计算结果,设计了单模VCSEL芯片结构.采用MOCVD技术生长了外延结构,制备了不同有源区直径的氧化限制型VCSEL芯片并进行了测试.当有源区直径从6 μm减小到3μm时,VCSEL芯片的边模抑制比(SMSR)由8.76 dB增加到34.05 dB,阈值电流由0.77 mA减小到0.35 mA.有源区直径为6,5,4和3μm的VCSEL芯片的输出功率分别为0.37,0.46,0.58和0.44 mW,有源区直径为4μm的VCSEL芯片的远场为圆形光束,发散角为15°.85℃时3.5 μm有源区直径的VCSEL芯片输出功率为0.125 mW,激射波长为795.3 nm.室温3 dB带宽大于8 GHz,满足了铷原子传感器对VCSEL单模光谱、输出功率及调制速率的要求.