全文获取类型
收费全文 | 149篇 |
免费 | 16篇 |
国内免费 | 7篇 |
专业分类
电工技术 | 9篇 |
综合类 | 9篇 |
化学工业 | 1篇 |
金属工艺 | 7篇 |
机械仪表 | 18篇 |
建筑科学 | 5篇 |
矿业工程 | 6篇 |
能源动力 | 2篇 |
轻工业 | 4篇 |
水利工程 | 1篇 |
武器工业 | 9篇 |
无线电 | 48篇 |
一般工业技术 | 26篇 |
自动化技术 | 27篇 |
出版年
2024年 | 2篇 |
2023年 | 4篇 |
2022年 | 7篇 |
2021年 | 5篇 |
2020年 | 6篇 |
2019年 | 4篇 |
2018年 | 9篇 |
2017年 | 9篇 |
2016年 | 9篇 |
2015年 | 5篇 |
2014年 | 14篇 |
2013年 | 13篇 |
2012年 | 8篇 |
2011年 | 22篇 |
2010年 | 4篇 |
2009年 | 5篇 |
2008年 | 4篇 |
2007年 | 4篇 |
2006年 | 5篇 |
2005年 | 8篇 |
2004年 | 10篇 |
2003年 | 2篇 |
2002年 | 6篇 |
2001年 | 3篇 |
2000年 | 3篇 |
1998年 | 1篇 |
排序方式: 共有172条查询结果,搜索用时 10 毫秒
11.
12.
基于暗电流模型,通过变温I-V分析长波器件(截止波长为9~10μm)的暗电流机理和主导机制.实验对比了不同衬底、不同成结方式、不同掺杂异质结构与暗电流成分的相关性.结果表明,对于B+离子注入的平面结汞空位n~+-on-p结构,替代衬底上的碲镉汞(HgCdTe)器件零偏阻抗(R0)在80 K以上与碲锌镉(CdZnTe)基碲镉汞器件结阻抗性能相当.但替代衬底上的HgCdTe因结区内较高的位错,使得从80 K开始缺陷辅助隧穿电流(I_(tat))超过产生复合电流(I_(g-r)),成为暗电流的主要成分.与平面n~+-on-p器件相比,采用原位掺杂组分异质结结构(DLHJ)的p~+-on-n台面器件,因吸收层为n型,少子迁移率较低,能够有效抑制器件的扩散电流.80 K下截止波长9.6μm,中心距30μm,替代衬底上的p~+-on-n台面器件品质参数(R0A)为38Ω·cm2,零偏阻抗较n-on-p结构的CdZnTe基碲镉汞器件高约15倍.但替代衬底上的p+-on-n台面器件仍受体内缺陷影响,在60 K以下较高的Itat成为暗电流主导成分,其R0A相比CdZnTe基n~+-on-p的HgCdTe差了一个数量级. 相似文献
13.
14.
16.
17.
18.
19.
为了实现对炸药熔铸过程的温度监测,利用多通道解调仪对炸药熔铸过程温度场进行监测,在炸药熔铸测温的过程中采用了经过特殊封装处理过的光栅传感器。简单介绍了光栅的传感原理、布喇格光栅数据解调仪的原理、实验所用光纤布喇格光栅的封装工艺。将获取的温度数据经Matlab和Origin处理并绘制时间―温度曲线,发现炸药熔铸相变发生的瞬间,温度曲线发生较大的变化。研究结果表明:炸药在熔铸过程中会释放出潜热,在释放潜热时炸药的温度会从88℃上升到90℃,特殊封装后的光纤布喇格光栅传感器能很好地对炸药熔铸过程进行温度测量。 相似文献
20.