矩形磁极线圈弯曲半径的选择

通过生产实践观察和理论分析，阐述了矩形磁极线圈弯曲半径对弯角部位形状尺寸的影响．并从理论上对弯曲半径进行探讨，介绍了一种实用的弯曲半径的设计选择方法．     

管网在线-人工监测系统余氯预测Logistic回归模型

根据国内管网水质监测现状,对南方某城市供水管网多项水质指标进行检测,选择余氯为预测指标,以在线监测水质指标为影响变量,建立在线-人工监测系统的Logistic回归模型,对管网末梢余氯达标与否进行概率预测.经实例验证,预测结果达到了较高的准确度,可通过少量在线监测点预测并了解整个管网水质状况.     

石墨电极的电化学改性及其电学性能

采用恒电位电化学剥离的方法,分别在2.0、2.5、3.0、3.1、3.2 V电压下进行电化学剥离,选用循环伏安法、恒流充放电测试等表征手段,根据图像计算在不同电位下改性石墨烯的电导率,比较各个电压处理的石墨烯电极的电学性能.测试结果表明:对施加3.0 V电压处理的电极会使石墨烯部分表面脱落,说明处理电压过高;在3.1 V恒电压下处理的石墨电极,设置电压范围为-0.3～0.3 V时,并施加0.49 mA的阳极电流和0.49 mA的阴极电流,测试结果的质量比电容达到18.845 F·g-1,该电容值符合小型电子器件的标准,符合电池行业的储能要求.     

静电纺丝制备金刚石/聚丙烯腈杂化复合纤维

为了改善金刚石在聚合物中的均匀分散性,并提高导热性能,以不同粒度的金刚石和聚丙烯腈（PAN）共聚物为原料,采用静电纺丝方法制备得到金刚石/PAN杂化复合纤维。通过改变纺丝溶液中金刚石的添加量,研究了不同金刚石含量及不同粒度的金刚石对金刚石/PAN杂化复合纤维形态和热性能的影响。研究结果表明,静电纺丝可以有效解决微米级金刚石在PAN聚合物中的分散问题,金刚石的粒度对纺丝的稳定性和连续性影响很大,粒度为0.5~1 μm的金刚石经过纺丝可以有效地包覆在纤维中。当金刚石的粒度大于1~2 μm时,纺丝时稳定性差,纤维中很少或几乎没有包覆金刚石颗粒。当金刚石粒度为0.5~1 μm、实际质量分数为38.5wt%时,金刚石/PAN杂化复合纤维热导率最高,达到1.923 W/（m·K）。     

多线程异步I/O模型

提出了一种基于WIN32的多线程异步I／O模型,用于解决复杂的多路并发I／O问题,并说明了该模型的运行机制及优越性。     

旋转剪切强化膜过滤技术研究进展

对旋转剪切强化膜过滤(RSEMF)技术的组件形式、剪切强化机理、渗透特性以及技术经济性评价等方面的研究进展进行了综述,分析了该技术的优缺点。阐述了激光流场测速技术和计算流体力学模拟对认识RSEMF的剪切强化机理、临界膜通量与单位通量能耗率对于评价RESMF的渗透特性与经济可行性的重要意义。指出RSEMF的研究应着重解决如何提高膜表面剪切强化作用的效果、简化膜组件的结构、提高有效膜面积的填充密度、降低单位通量能耗率以及膜组件的单位售价等问题。建议RSEMF技术的发展一方面要关注组件的优化、创新,另一方面要在特定物料的处理以及不同技术的集成方面进行更多的尝试。     

聚苯胺/TiO2复合纳米膜电极的制备及其光电性能

采用原位化学氧化法,在酸性TiO2溶胶中未加分散剂制备了聚苯胺修饰的TiO2稳定溶胶,并以涂刮法在柔性导电塑料薄膜上成膜。利用FT-IR、XRD、TEM、选区电子衍射、紫外-可见光谱、光电流-电压曲线对所制备的复合溶胶及复合膜进行了表征。结果表明TiO2与聚苯胺之间实现了结构上的复合,聚苯胺的引入改善了TiO2膜对太阳光的利用率,提高了TiO2膜的光电响应性能。这种用复合溶胶制备聚苯胺/TiO2复合膜的方式扩大了成膜基底的范围。     

高分子专业中动态黏弹性的教学方法

动态黏弹性是高分子学科中的重要内容,由于它的抽象性,亦成为高分子学习中的难点。本文提出使用δ(相位差、力学损耗角)联系动态黏弹性的各个知识点,并构建了滞后、力学损耗、复数模量等知识之间的教学逻辑关系。该方法较好地适应了学生的学习和思维习惯,有助于学生更好地理解和掌握动态黏弹性。     

用于降低高速CMOS图像传感器电荷转移时间的工艺技术

This paper proposes pixel process techniques to reduce the charge transfer time in high speed CMOS image sensors.These techniques increase the lateral conductivity of the photo-generated carriers in a pinned photodiode(PPD) and the voltage difference between the PPD and the floating diffusion(FD) node by controlling and optimizing the N doping concentration in the PPD and the threshold voltage of the reset transistor,respectively.The techniques shorten the charge transfer time from the PPD diode to the FD node effectively.The proposed process techniques do not need extra masks and do not cause harm to the fill factor.A sub array of 3264 pixels was designed and implemented in the 0.18 m CIS process with five implantation conditions splitting the N region in the PPD.The simulation and measured results demonstrate that the charge transfer time can be decreased by using the proposed techniques.Comparing the charge transfer time of the pixel with the different implantation conditions of the N region,the charge transfer time of 0.32 s is achieved and 31% of image lag was reduced by using the proposed process techniques.