未来信息化战场及信息化导弹武器装备构想

通过对未来信息化战场的结构组成、作战模式、战场信息分类和应用及导弹武器装备在其中扮演角色的论述,提出导弹武器信息化的意义和内涵,并详细叙述了导弹武器装备信息化的途径和手段.     

单脉冲雷达接收机幅相均衡算法与DSP实现

针对现代单脉冲雷达进行目标角度测量过程中,接收机和差通道幅相不平衡面临的自动增益均衡(AGB)和自动相位均衡(APB)等问题,探讨了数字AGB和APB的基本原理,给出了采用高速实时数字信号处理器和时分复用技术实现单脉冲雷达接收机数字AGB和APB设计方案.     

薄栅氧化层斜坡电压TDDB寿命评价

随着超大规模集成电路的不断发展，薄栅氧化层的质量对器件和电路可靠性的作用越来越重要。经时绝缘击穿（TDDB）是评价薄栅氧化层质量的重要方法。文章着重于薄栅氧化层TD-DB可靠性评价的斜坡电压试验方法的研究，基于斜坡电压实验，提取模型参数，分别利用线性场模型和定量物理模型，外推出工作电压下栅氧化层的寿命。通过分析斜坡电压实验时氧化层的击穿过程，提出斜坡电压实验时利用统一模型外推栅氧化层的寿命比较合适。     

掺杂机制的电子能量损失谱（EELS）研究

近年来宽禁带半导体的研究发展十分迅速。P型掺杂及稀磁掺杂问题都是目前研究的热点。例如：氧化锌（ZnO）的P型掺杂，氧化锌、氮化镓的过渡金属元素掺杂等等。虽然实验上取得了一定的进展，但其掺杂机制并不十分清楚。尽管理论上已经有很多相应的掺杂模型，但如何从实验上确定实际样品中杂质原子所处的原子位置并不容易，因而理论模型也就难以得到验证。在本工作中，我们给出一种电子能量损失谱理论计算和实验相结合来确定杂质原子所处的原子位置的方法。这种方法并不仅仅局限于对掺杂机理的研究，还可以推广到其它缺陷的研究，如：空位、界面、位错等。     

MOS结构电容高频C-V特性的应用

CMOS工艺的发展要求栅介质层厚度不断减薄,随着栅极漏电流的不断增大使用准静态的方法测量器件特性不稳定。根据这一情况,提出用高频电容电压(C-V)来评价深亚微米和超深亚微米器件工艺。通过高频C-V法结合MOS相关理论可以得到介质层的厚度、最大耗尽层宽度、阈值电压、平带电压等参数以及栅介质层中各种电荷密度的分布,用以评价栅介质层和衬底的界面特性。文章提出通过电导对测量结果进行修正,使其能够适用更小尺寸器件的要求,使高频C-V法能够在不同的工艺下得到广泛的应用。     

基于F2812的VPN管理服务器设计

为充分利用公共网络资源来提供优质信息安全服务,文中介绍了一种新型的高安全虚拟专用网安全通信解决方案,该方案将网络安全协议完全嵌入到网络设备之中,从而使网络设备具有身份认证、通信保密以及防止主动攻击的功能,给出了该方案的硬件平台组成及组网网络拓扑结构,详细介绍了方案中管理服务器的功能设计、硬件结构及软件结构,同时介绍了RSA算法的实现方式,经验证该方案达到了预期的目的。     

原位退火对碲锌镉晶体第二相夹杂缺陷的影响

采用传统布里奇曼法生长碲锌镉晶体,在配料过程中添加适当过量的Cd,并在晶体生长结束阶段的降温过程中加入晶锭原位退火工艺,晶体的第二相夹杂缺陷得到了有效抑制.根据晶体第二相夹杂缺陷的形成机理,结合热扩散理论和碲锌镉晶体的P-T相图,研究了退火温度对晶体第二相夹杂缺陷密度和粒度(尺寸)的影响,获得了抑制碲锌镉晶体第二相夹杂...     

犬CO2激光裁耳术的临床应用

目的:观察CO2激光用于犬裁耳术的效果.方法:采用CO2激光对31条犬进行了裁耳术.结果:犬CO2激光裁耳术操作简单、手术时间短、术中出血少,术后炎性反应轻微,术后恢复快.结论:将CO2激光应用于犬裁耳术中,手术效果好,术后恢复快,该方法明显优于传统的手术方法,值得在兽医临床推广.     

离焦量对等离子体冲击波力学效应的影响

为研究激光等离子体冲击波力学效应受入射激光及环境因素的影响,利用波长1．06μm,脉冲能量320 mJ,脉宽10 ns的Nd;YAG激光作用在Al靶上,研究了冲量耦合系数(C_m)和离焦量(Z)之间的关系。实验发现在1．01×10~5 Pa情况下,初始时C_m随Z增大而增大,到Z=-12 mm附近达到最大值;而后C_m随Z增大而减小。在4000 Pa时,C_m随Z的变化关系与1．01×10~5 Pa时相似,但峰值位置后移。离焦量不同时,由于作用激光的功率密度不同而影响等离子体屏蔽效果;光斑大小不同将影响稀疏波作用,且离焦量正负不同时激光等离子体冲击波对靶的作用机制也明显不同,这些因素决定了离焦量对等离子体冲击波力学效应的影响。     

VLSI圆片级可靠性技术

介绍了圆片级可靠性技术产生的背景，对其特点和作用作了详细的论述。测试内容上着重介绍了金属化完整性测试、氧化层完整性测试、连接完整性测试和热载流子注入测试，根据测试数据，对1.0μm工艺线单一失效机理的可靠性进行了评价，对不同测试结构的作用进行了说明。