Ru非磁性中间层的制备及其结构研究

以不同晶面的Si片作为基底,室温下,采用射频磁控溅射的方法制备得到Ru非磁性薄膜.利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)分析薄膜的结构和形貌.研究不同基底材料对Ru中间层结构和形貌的影响.结果表明:以单晶Si(100)、Si(110)、Si(111)片作为基底制备的Ru薄膜均呈(002)晶面的择优取向生长;Ru-Si(100)、Ru-Si(110)和Ru-Si(111)薄膜表面均由细小的圆形晶粒组成.Si(111)面上生长的Ru薄膜表面颗粒尺寸最小,表面粗糙度最大,有利于磁记录层磁学性能的提高.     

Ag/TiO_2纳米复合材料的制备及结构研究

首先采用化学氧化在块体Ti表面制备出多孔纳米TiO2,随后通过高能离子束轰击实现Ag纳米粒子在TiO2表面的有效固定,最终在Ti表面制备出Ag/TiO2纳米复合材料。采用XRD、SEM及TEM手段对其进行了结构表征。结果表明,化学氧化法可制备出多孔纳米TiO2,其晶粒尺寸为10 nm左右;通过调节高能Ar离子束轰击的时间,可对TiO2晶粒尺寸进行小范围有效控制。     

弥散强化铂基复合材料的研究与应用现状

弥散强化铂基材料是一种先进的结构型与高温型贵金属复合材料,是玻璃纤维漏板材料发展的主要方向。论文阐述了弥散强化铂基材料国内外研究现状,弥散强化铂基材料的制备方法、组织结构特点、力学性能和强化机理,介绍了弥散强化铂基材料的主要应用以及新的发展动向。     

喷射沉积技术在贵金属领域的应用前景

综述了喷射沉积技术的发展及贵金属材料的应用。对喷射沉积技术在贵金属领域的应用前景进行了分析和展望。     

Ag-La2NiO4不同条件直流燃弧特性研究

研究了Ag-La2NiO4电接触材料在不同条件直流电弧作用下电极表面的元素分布、材料的微观组织形貌、作用前后的形貌;探讨了Ag-La2NiO4电接触材料在直流电弧作用下的转移和腐蚀机理.结果表明直流电弧引起阳极表面熔化、Ag离子向阴极转移及在阴极表面沉积;La2NiO4复合金属氧化物在电弧高温作用下分解成单元素,吸收了电弧能,有利于灭弧;同时La2NiO4、La2O3、NiO颗粒悬浮在阳极Ag微小熔池中,增加了熔融Ag的粘度,有利于降低Ag熔滴的飞溅,减少了电弧烧损.Ag-La2NiO4复合电接触材料显示出良好的综合电性能.     

Cu/Ag20复合材料的性能研究

采用一种新颖、独特的方法制备了新型Cu／Ag20复合材料。当对数变形率η=10．56时，电导率为95．79％IACS，极限抗拉强度达710MPa。考察了热处理时间和温度对材料性能和结构的影响，分析了材料的加工方法、宏观性能与微观结构的关系。材料的性能与其界面密切相关。因此，对材料界面进行金相和电子探针分析，并绘制了不同温度下以Cu／Ag20界面反应产物(Ag Cu)含量(重量百分比，下同)为表征参数的界面反应动力学曲线，解释了相应的材料宏观性能的变化，指出了这种复合材料的非平衡材料本质。     

反应合成制备Ag-Sn-O系电接触材料热力学分析

运用Gibbs Helmholtz方程进行了反应合成法制备AgSnO2复合材料的热力学计算和数据分析。结果表明：当反应温度小于505K时，反应合成属于固-固间的置换反应；当反应温度大于505K时，反应合成属于固-气间的氧化反应。通过计算500K～1200K范围内生成物SnO，SnO2单位体积生成自由能和分解氧分压，确定以Ag20，Ag，Sn等为原料，反应合成的最终产物为Ag和SnO2，不存在SnO相。通过数据分析为制定反应合成法制备AgSnO2复合材料的工艺参数提供了理论依据。     

有限元方法在贵金属材料学中的应用

简要叙述了有限元方法的基本原理、特征和步骤,阐述了该方法在贵金属材料学中所具有的应用价值,并给出将该方法用于给定贵金属材料领域得出的研究结果.研究了Ir坩埚铸造过程中的温度场分布特点,通过有限元方法计算得到的预测与实际生产中遇到的问题相一致;对有限大小的Au-Ni扩散偶、互扩散系数与浓度有关的复杂扩散浓度分布进行了计算;对某Ag基氧化物电触头在电弧作用下的静态和瞬态温度场进行相应计算,得到了液态Ag熔池形状、体积等信息及瞬态温度场温升曲线.     

Ag-SnO2复合材料变形断裂分析

采用SEM、EDS及OM方法，对Ag-SnO     

磁控溅射制备Ru-B薄膜的研究

采用射频磁控溅射技术制备了Ru-B薄膜,利用掠入射X射线衍射(GIXRD)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、原子力显微镜(AFM)等分析技术对薄膜的相结构、沉积速率以及表面形貌进行了研究分析。结果表明：在室温下制备的 Ru-B 薄膜均为非晶态。薄膜的沉积速率不随溅射时间变化,但随溅射功率的增加而增大。薄膜表面光滑致密质量良好,随着溅射时间的延长,薄膜表面晶粒大小和粗糙度增大。溅射功率影响着基片表面粒子的形核长大和迁移扩散速率,进而影响薄膜的表面形貌。