一种半导体封装用键合金丝的研制

在开发了1种微合金配方的基础上,重点研究了真空熔炼连铸工艺,研制出1种适用于半导体分立器件和集成电路封装的高强度低弧键合金丝。结果表明:1)微合金元素得到有效添加,且分布均匀。2)铸锭组织为粗大柱状晶沿轴向分布。3)机械性能均匀稳定,Φ19μm:断裂负荷≥5cN,延伸率2%~6%;Φ15μm:断裂负荷≥3 cN,延伸率2%~6%。4)与国内外相同规格键合金丝相比,具有更高的强度和更大的熔断电流。     

溅射法制备的纳米Ag对多孔二氧化钛结构的影响

首先采用化学氧化法在块体Ti表面制备出多孔纳米TiO2,随后通过离子溅射在TiO2表面沉积纳米Ag。采用电子探针(EPMA)、扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)等手段对TiO2在退火处理中的结构演变和晶化行为进行了研究。同时,研究了纳米Ag对TiO2的形貌、晶粒生长和相变的影响。     

玻璃纤维工业用铂基漏板的结构、制造和发展

介绍了玻璃纤维工业中使用的铂基漏板制造材料的发展过程及特点,漏板的主要结构和组成构件的性质和作用,漏板的设计原则和方法以及主要制造方法、工艺流程和焊接方法,叙述了目前漏板研究中存在的问题和解决途径以及发展趋势。     

热挤压工艺对反应合成AgSnO2材料显微组织的影响

采用反应合成和热挤压方法制备新型 AgSnO2电接触材料.利用金相显微镜和扫描电镜研究了反应合成法制备的 AgSnO2材料热挤压前后的显微组织,分析了挤压速度、挤压模具等工艺条件对 AgSnO2挤压线坯显微组织的影响,计算了采用平模挤压和 45°锥模挤压的等效应力分布值,探讨了锥模挤压改善 AgSnO2加工性能的机理.发现快速挤压使 AgSnO2锭坯产生严重的径向不均匀变形,导致 AgSnO2沿径向不均匀分布;而慢速挤压得到较均匀分布的 SnO2 ,有利于 AgSnO2力学性能的提高.研究还发现 ,采用 45°锥模挤压,出模口应力梯度较小,有利于改善 AgSnO2丝材的后续加工性能.在本研究的基础上 ,得出了比较合理的 AgSnO2挤压工艺.     

反应合成AgSnO2材料的显微组织和力学性能研究

采用一种新的工艺(反应合成法)制备了AgSnO2电接触材料，并对AgSnO2材料进行了显微组织和力学性能研究。结果表明：采用反应合成技术可以在Ag基体中合成尺寸细小、界面新鲜的SnO2颗粒，微米级的SnO2颗粒是由纳米级的SnO2颗粒聚集而成。由于SnO2颗粒在Ag基体内部通过反应原位获得，增强了sn02颗粒与Ag基体的界面结合能，改变了Ag和SnO2的结合状态，使AgSnO2材料的加工性能和力学性能得到改善和提高。     

BeCu/Cu合金复合材料性能的研究

制备了BeCu/Cu合金复合材料,并对复合材料进行了不同温度和不同时间的时效热处理,通过力学性能和电学性能分析,研究了时效温度和时效时间对复合材料性能的影响.结果表明:经300℃/2h时效后,复合材料的硬度和极限抗拉强度都随时效温度的升高而降低,而电阻率在3h时效才降低.但是在400℃以上时效,电阻率随时效温度的升高而增大.合适的时效温度和时效时间有利于提高复合材料的综合性能.     

大塑性变形金属基纳米纤维复合材料制备工艺与研究现状

复合材料通常是具有很多优良性能的复合体,而纳米材料因其特殊的结构和尺寸效应而具有常规材料无法比拟的优异性能.纳米纤维复合材料的出现结合了复合材料和纳米材料的特殊性能.目前,相关的研究重点是把常规复合材料纳米化,使其成为具有更优异性能的复合材料.介绍了国内外纳米纤维复合材料的3种制备工艺和目前的研究现状,并结合现有实验手段和对材料的使用性能要求提出了一种新型的制备方法.     

TMAl(TM=Ir、Ru和Os)金属间化合物高压下力学性能的第一性原理研究

采用第一性原理方法研究了TMAl (TM=Ir、Ru和Os)三种金属间化合物在高压下晶格常数、弹性常数和弹性模量的变化规律。结果表明,三种金属间化合物的晶格常数和晶胞体积随着压力的增加而减小。通过对TMAl金属间化合物弹性性质的分析,发现它们的弹性系数和弹性模量随着压力的增加几乎呈线性增大。这主要是由于在压力的作用下,体相中TM原子和Al原子的相互作用增强,TM-Al金属键的键长变短所导致的。此外,三种金属间化合物在常压下表现为塑性行为,并随着压力增加而进一步增强。IrAl的普适弹性各向异性接近于零,表明其具有较好地抵抗微裂纹产生的能力。     

Pt-Zr合金在高氧氛围下氧化机制的 第一性原理研究

采用第一性原理的密度泛涵理论方法从点阵参数、单位键长、电子结构等几个方面研究Pt-Zr固溶体在高氧氛围下的氧化机制.结果发现,在Pt-Zr固溶体的氧化过程中,固溶体的点阵参数发生显著的变化,最终α轴的膨胀要大于b、c两轴的膨胀.从电子结构分析,由于Zr的氧化性强于Pt,所以主要是Zr的4d电子轨道上电子与O的2p轨道上的电子成键结合形成Zr的氧化物,而Pt在整个氧化过程中只是起到中介桥梁的作用,计算结果与实验现象是比较吻合的.     

Ni掺杂PtAl2合金电子结构的第一性原理计算

采用第一性原理的密度泛函理论方法从杂质形成能、电荷布居、电子结构等几个方面研究了PtAl2合金的掺杂效应。结果发现,Ni置换Pt元素掺杂形成能的绝对值要低于Ni置换A1的掺杂形成能。进一步从电子结构分析,两者在费米面附近的电子主要是由Pt的4p电子轨道,Ni的3d电子轨道以及部分Al的3p电子轨道上的电子贡献,但前者在费米能附近的反应剧烈程度要高于后者,这说明在PtAl2合金的掺杂中,Ni元素更容易置换Pt原子与Al生成NiAl合金。