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NMOS器件两次沟道注入杂质分布和阈电压计算 总被引:1,自引:1,他引:0
分别考虑了深浅两次沟道区注入杂质在氧化扩散过程中对表面浓度的贡献。对两次注入杂质的扩散分别提取了扩散系数的氧化增强系数、氧化衰减系数和有效杂地系数,给出了表面浓度与工艺参数之间的模拟关系式,以峰值浓度为强反型条件计算了开启电压,文章还给出了开启电压、氧化条件、不同注入组合之间的关系式。 相似文献
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在实时测控中,常常需要在程序中进行精确的时间控制。如数据采集时按一定的时间间隔进行采样,依据一定的升降速规律问步进电机发送间隔不等的脉冲,以及测试某一段程序的执行时间等等,都需要软件延时或软件定时。在常用的各种高级语言中,汇编语言和C语言比较适合实现这种功能,但由于汇编语言对具体机器的依赖性比较大,笔者研究了C语言的各种函数及DCB的功能调用,总结出如下三条途径。1DELAY()函数DELAY()函数的原型在DOS.H中,人口参数是需要延迟的时间(单位:毫秒),无返回参数,用法见示例程序1。#include<dos.h… 相似文献
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