全文获取类型
收费全文 | 7069篇 |
免费 | 480篇 |
国内免费 | 294篇 |
专业分类
电工技术 | 532篇 |
综合类 | 482篇 |
化学工业 | 864篇 |
金属工艺 | 407篇 |
机械仪表 | 528篇 |
建筑科学 | 730篇 |
矿业工程 | 359篇 |
能源动力 | 203篇 |
轻工业 | 963篇 |
水利工程 | 237篇 |
石油天然气 | 315篇 |
武器工业 | 90篇 |
无线电 | 659篇 |
一般工业技术 | 384篇 |
冶金工业 | 298篇 |
原子能技术 | 60篇 |
自动化技术 | 732篇 |
出版年
2024年 | 72篇 |
2023年 | 256篇 |
2022年 | 316篇 |
2021年 | 343篇 |
2020年 | 232篇 |
2019年 | 327篇 |
2018年 | 278篇 |
2017年 | 144篇 |
2016年 | 145篇 |
2015年 | 175篇 |
2014年 | 392篇 |
2013年 | 263篇 |
2012年 | 318篇 |
2011年 | 337篇 |
2010年 | 331篇 |
2009年 | 327篇 |
2008年 | 296篇 |
2007年 | 298篇 |
2006年 | 259篇 |
2005年 | 243篇 |
2004年 | 227篇 |
2003年 | 246篇 |
2002年 | 195篇 |
2001年 | 187篇 |
2000年 | 181篇 |
1999年 | 151篇 |
1998年 | 115篇 |
1997年 | 107篇 |
1996年 | 97篇 |
1995年 | 95篇 |
1994年 | 100篇 |
1993年 | 88篇 |
1992年 | 86篇 |
1991年 | 93篇 |
1990年 | 98篇 |
1989年 | 76篇 |
1988年 | 44篇 |
1987年 | 39篇 |
1986年 | 36篇 |
1985年 | 44篇 |
1984年 | 35篇 |
1983年 | 27篇 |
1982年 | 20篇 |
1981年 | 30篇 |
1980年 | 22篇 |
1979年 | 17篇 |
1978年 | 6篇 |
1977年 | 4篇 |
1963年 | 3篇 |
1954年 | 3篇 |
排序方式: 共有7843条查询结果,搜索用时 15 毫秒
91.
92.
为提升大型居民区网络覆盖质量,解决由于大型居民区所需RRU设备众多而导致传统拉远建设方式造成的光芯资源需求大的问题,同时实现室内外协同覆盖,提出了MDAS与"方舱"结合的建站方案,并通过与传统基站进行对比分析,验证了该方案的可行性。 相似文献
93.
94.
95.
ECR Plasma CVD法淀积介质膜技术在半导体光电器件中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
电子回旋共振等离子体化学气相淀积(ECRPlasmaCVD)法淀积介质膜技术是制备性能优良的光电子器件光学膜和电介质膜的重要手段之一.本文报道了ECRPlasmaCVD法淀积介质膜的工艺以及介质膜的特性等 相似文献
96.
97.
近年来,激光雷达应用对探测距离和灵敏度提出了更高的要求。905 nm半导体激光器作为其理想光源也亟待提升峰值功率与光束质量。在这个背景下,基于非对称大光腔结构研究了不同增益区类型和波导结构对905 nm隧道结脉冲半导体激光器的光束质量和功率效率的影响。通过优化增益区类型和波导结构降低了体电阻和内损耗;增强了限制载流子泄露的能力,提高了器件在高电流下工作的峰值功率和电光效率;通过提高高阶模对基模的阈值增益比值,抑制高阶模式激射,降低了远场发散角。在此基础上,研制的800 μm腔长、200 μm条宽的四有源区半导体激光器在100 ns脉冲宽度、1 kHz重复频率的脉冲功率测试中,41.6 A的脉冲电流强度下实现了峰值功率输出177 W;垂直于PN结方向单模激射,远场发散角半高全宽为24.3°。 相似文献
99.
一、前言 在我国,据估计每年排出的、温度在100~250℃之间的工业余热相当于5000万吨标准煤,这部分能量只有小部分被利用,而大部分则被排到大气中去了。利用工业余热的方式主要有两种,一是生产热水或热空气;其次是利用工业余热来制冷。最近几年,国外展开了对吸附式制冷的研究工作,并先后研制成功了以太阳能为动力的吸附式 相似文献
100.