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利用X射线衍射和扫描电镜对Gd5Ge2(Si2-xMnx)结构及表面形貌进行了研究.并利用差示量热法对Gd5Ge2(Si2-xMnx)的磁热性能进行了研究.x射线衍射(XRD)测量分析表明Mn的替代不会影响母体Gd5Si2Ge2的晶体结构,样品中的主相仍然具有单斜结构(P1121/a),其晶体对称性不会随Mn含量的增加而改变.随着Mn含量的增加,晶粒逐渐变大,晶常数增大,体积膨胀,同时Mn和杂质相的析出量也在增加.少量的Mn元素替代Si可以提高Gd5Si2Ge2化合物的居里温度. 相似文献