ZK14t电机车旧电机的改造

我矿有4台14t电机车仍使用国家淘汰的ZQ52司型电机。若全部更新为ZQ52－3型的电机，需资金近3O万元，而且更新周期较长。1．电机大端盖的改造方法ZQ52叫电机大端盖两个端面间距为92mrn，比新电机的／J‘23mm，故在电机大端盖与机体间增加圆环（图中Za所示），使ZQ52－1的大端盖钳人止日内，用螺钉将大端盖1与圆环Za固定在机体上。2固定刷架等的圆环、电机小端盖和轴承端盖等的改造方法ZQ52－1有刷架、刷盒固定在圆环上，而ZQ52－3的电机圆环上还增加有刷杯，即图中3a的端面上多了两个台阶孔。旧电机末端轴承为310，而新电机的为41O，…     

脉冲化学镀工艺及其镀层性能

提供了用正交实验优化的化学镀脉冲电参数的适宜范围，研究了脉冲电流对化学镀液成分消耗量、ｐＨ值稳定性、沉积速度及镀层性能的影响。结果表明：脉冲化学镀在各方面均优于化学镀。脉冲化学镀镀层成分均匀稳定为镀层质量和施镀工艺过程的自动控制提供了有利依据。     

井下运输系统主要设备的合理选择与配置

介绍了铜矿峪矿井下运输设备如配置方案与选择原则，在满足生产能力旬前提下，充分挖掘现在设备的潜力．少投入，高产出，而且使同一水平多种车输混合运输的行车密度控制在最低值。     

S8梭式矿车的改进设计

介绍了S8梭式矿车的改进设计,主要对刮板链条主动轴轴头、转向架等进行了改进,并将原梭式矿车的2节分为4节,方便了转向和装罐。改进后结构合理、使用可靠、维修量小,小断面竖井提升方便。     

天然气轻烃回收工艺操作现状分析及优化措施

本文根据轻烃回收工艺原理,和日常生产中遇到的问题,进行分析与讨论,摸索优化操作方法,提高液化气产品质量与收率。随着天然气开发的综合利用,保证合格的管输气,根据现场与生产实际,在工艺变更的基础上提高操作技能,做到安全、环保、节能、减排同步提升。     

极小刻划间隙下的衍射光强度变化规律分析

讨论了极小刻划间隙下的衍射场光强度分布规律,并以单缝为例分析了当缝宽与波长改变时,相对光强度变化规律,补充和完善了使用普通平行光照明系统时的接近式光刻衍射场理论。     

计算机在管道气体流量计量系统中的应用

目前,我国城市管道燃气、蒸汽等贸易结算的计量,广泛采用节流装置与流量积算仪组成的流量计量系统.由于受其本身的功能制约,仅能对密度进行补偿,不可避免地会引入计量误差;另外,流量积算仪采用单片机工作方式,无法进行全面的数据管理和历史数据的保存,当供求双方发生贸易纠纷时,无法提供历史工况和相应数据.计算机的引入及国家标准GB 2624—93《流量测量节流装置用孔板、喷嘴、文丘里管测量充满圆管的流体流量》的颁布,为解决上述问题提供了可能,下面就新型的计量系统工作原理、管理功能等予以介绍.     

常温电解抛光液研制及参数选择研究

在上海交通大学ＭＴＰ－１电解双喷制样仪上，通过对高氯酸与冰醋酸所组成的电解液、高氯酸与甲醇所组成的电解液以及有机溶液组成的电解抛光液的实验，对工艺参数（温度、浓度、电流、电压等）对制取透射电镜薄膜样品抛光效果以及不同电解液的性能进行了综合比较研究，得出了以高氯酸、冰醋酸等的电解抛光液的组成，并提出在ＭＴＰ－１抛光仪上制作透射电镜薄膜样品过程中的最佳抛光工艺条件。     

改进型ECAP路径对Al-Mg_2Si原位复合材料组织与力学性能的影响

采用一种结合BC、BA路径特点的改进型路径BC-UD2、在250℃对铸造Al-10.9%Mg2Si原位复合材料进行等通道转角挤压(ECAP)来细化组织、改善Mg2Si增强相形态及分布状态,考察其对力学性能的影响。结果表明:经BC-UD2路径8道次ECAP挤压后,复合材料基体由约100μm发达的树枝晶组织细化为约1.5μm的细晶粒组织;原先粗大的汉字状共晶Mg2Si相被细化为约0.85μm的多边形状颗粒,趋于均匀分布状态,较常规BC路径中Mg2Si颗粒沿基体晶界聚集分布状态有很大改善;经BC-UD2路径挤压后复合材料的抗拉强度由铸态的166.9 MPa增大到331.8 MPa,伸长率由铸态的0.43%增加到23.6%,分别提高了99%和5 400%;同时也比BC路径挤压材料的抗拉强度(297.3 MPa)提高了12%,伸长率(15.15%)提高了56%,综合力学性能显著提高。     

渗硅TiAl基合金高温循环氧化动力学分析

用最小二乘法对渗硅TiAl基合金在900、1000、1100和1200 ℃的循环氧化数据进行了拟合.结果表明:渗硅TiAl基合金900 ℃氧化在所测试的118 h内氧化动力学曲线呈抛物线规律;1000 ℃氧化在0～50 h之间呈抛物线型规律,50～118 h之间呈直线型氧化规律;1100 ℃氧化在0～4 h之间呈抛物线型规律,4～8 h之间呈直线型氧化规律,8～16 h呈二次型加速氧化规律,16 h出现剥落现象;1200 ℃循环氧化在0～4 h呈二次型加速氧化规律,4 h后出现剥落现象.相应的氧化速率常数为:900 ℃时Kp≈4.924×10-5 mg2cm-4h-1,1000 ℃时Kp≈7.778×10-5 mg2cm-4h-1,1100 ℃时Kp≈9.392×10-2 mg2cm-4h-1.并对渗硅层在温度超过1000 ℃后的氧化机制进行了初步探讨.