德国煤炭能源化工研究与开发的现状和前景

本文介绍了德国从事煤炭能源化工研究与开发的机构和学术团体，主要研究方向和由政府资助的若干研究课题，有炼焦，燃烧，热解，气化和微生物加工等，并对今后的发展进行了分析。     

考虑一二次耦合多重故障的电力系统风险评估

为了综合评估恶劣天气下输电线路故障与二次系统隐性故障导致的多重故障风险,提出了考虑一二次耦合多重故障的电力系统风险评估方法。首先,分析了气象灾害导致输电线路故障的特点,总结了一二次设备耦合多重故障的特点。其次,综合考虑输电线路及保护装置的失效概率,建立了一二次耦合多重故障模型。然后,应用拉丁超立方抽样实现初始故障集的快速生成,进而评估系统失负荷、节点电压越限、支路潮流越限等风险指标。最后,采用IEEE39节点系统对所提方法进行测试。研究结果表明：考虑一二次耦合的多重故障,系统面临的风险更为严重;使用拉丁超立方抽样,可兼顾不同气象分区内线路故障概率分布差异,提高计算效率;通过多维度风险指标排序,能够有效筛选灾害天气落区内影响电网风险的关键线路和母线,为电网风险防控和薄弱环节治理提供决策依据。     

计及空间相关性的轻量级风电功率预测方法

针对风电功率预测数据高维灾难以及云计算的通信依赖问题,提出一种风电功率的属地边端轻量级预测方法。采用KNN算法计算风机间的距离量化空间相关性,并引入轮廓系数自适应地确定近邻数k以降低冗余特征维度,从而确定输入目标预测风机的邻近风机数据;基于Seq2Seq结构的GRU-MLP网络完成各台风机的风电功率预测。实验结果表明,在预测准确率近似的条件下所提方法相较于常规网络复杂度小、效率更高,可为风电场功率预测任务从云端向边缘迁移提供技术方案。     

全球四大著名EPC公司分析

上世纪80年代以来,在越来越多的投资项目中,业主开始采用EPC总承包的建设方式.本文详细分析了ABB、Bechtel、Fluor和Halliburton等4家世界著名EPC公司的概况、主要业务领域以及提供的产品和服务,为我国推广EPC总承包模式提供必要的借鉴.     

镁合金Ni-Cu-P/纳米TiO2化学复合镀层性能探究

对镁合金表面化学镀Ni-Cu-P进行改进,在其镀液中加入纳米粒子TiO2,在镁合金AZ91D上获得耐磨耐蚀性能优良且兼具有抗菌性能的化学复合镀层.对此镀层表面形貌、组织结构、抗菌、耐磨、耐蚀性能进行了分析,结果表明:该镀层均匀、致密,结合力优良;Ni-Cu-P/纳米TiO2化学复合镀层磨料磨损最佳耐磨性是基材的1.69倍,粘着磨损最佳耐磨性是基材的1.63倍;耐氯化钠和醋酸溶液腐蚀结果均显示该镀层具有较好的耐蚀性;抗菌性能中最佳杀菌率为99.7%,达到了理想的效果.     

低水头水箱闸门

潜孔动水启闭的平板闸门在封闭孔口时,为了克服支承行走中的摩阻力,一般采用在闸门上添加加重块或利用水柱加重的办法,以使闸门能顺利下降,封孔断流,但启门时却大大增加了启闭机的容量。为了解决这一矛盾,我们     

基于多维Hausdorff距离算法的站域电流回路故障检测

目前电流二次回路检测主要以红外测温和电流互感器二次负载离线检测为主,电流二次回路故障发生后,现场处理仍然依靠人工检测排查,无法及时有效识别并定位二次回路故障。提出基于多维Hausdorff距离算法的站域电流回路故障检测方法,利用电流互感器同源性数据传输的特点,通过检测分析不同装置内采集到的电流二次采样数据,考虑电气量特征时间序列变化的有序性及运动性,检测出二次电流回路异常。实例分析表明,该方法可以有效定位并识别检测电流回路二次接地故障。     

稀磁掺杂MnxGe1-x量子点的制备及应用

作为一种新兴的稀磁掺杂半导体材料,Mn_xGe_(1-x)量子点的自旋电子学性能在最近几年内取得了较为重大的突破。本文针对现有Mn_xGe_(1-x)量子点的稀磁掺杂制备方法及与制备方法相关联的磁电子学性能展开论述,并详细介绍了Mn_xGe_(1-x)量子点在生长过程中Mn原子与生长表面之间的相互作用、形貌转变以及迄今为止对基于这种纳米材料进行的自旋电子学应用的尝试。最后,展望了Mn_xGe_(1-x)量子点未来研究的重点和亟待解决的问题。     

基于多维Hausdorff距离算法的站域电流回路故障检测

目前电流二次回路检测主要以红外测温和电流互感器二次负载离线检测为主,电流二次回路故障发生后,现场处理仍然依靠人工检测排查,无法及时有效识别并定位二次回路故障。提出基于多维Hausdorff距离算法的站域电流回路故障检测方法,利用电流互感器同源性数据传输的特点,通过检测分析不同装置内采集到的电流二次采样数据,考虑电气量特征时间序列变化的有序性及运动性,检测出二次电流回路异常。实例分析表明,该方法可以有效定位并识别检测电流回路二次接地故障。     

束流密度对Ge/Si量子点溅射生长的影响

采用离子束溅射技术在Si基底上自组织生长了一系列Ge量子点样品,研究了束流密度对Ge/Si量子点的尺寸分布和形貌演变的影响。原子力显微镜测试结果表明,随着束流密度的增加,量子点的面密度持续增大,其尺寸不断减小,量子点的形貌由圆顶形转变为过渡圆顶形。计算直径标准偏差的结果表明,当束流密度为0.86mA/cm2时,量子点的尺寸均匀性最佳。束流密度与沉积速率成正比,影响着表面吸附原子与其它原子相遇而形成晶核的能力。