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2μm波长附近可调谐半导体激光器在分子光谱学和光通信领域中有广阔的应用前景。基于绝缘体上硅(SOI)平台,对2μm波长附近可调谐半导体激光器的外腔部分进行了设计优化。分析了不同尺寸光波导的模式损耗特性、单个微环谐振腔受总线波导耦合间距的作用以及总线波导光反馈终端对外腔半导体激光器性能的影响。并提出了一种具有高工艺兼容度的多模环形光波导光反馈结构。所设计的可调谐半导体激光器硅基外腔可通过环形波导上的镍铬合金微加热器进行0.1 nm/K的高精度调谐,对单个微加热器施加3.2 V电压时,调谐范围可达66 nm(1967~2033 nm)。 相似文献
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Al3+对浸铀混合菌活性的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
研究认为Al3+在细菌浸铀过程中有络合氟、降低氟对浸铀负面影响的功能。为了更好地了解Al3+对浸铀混合菌生长活性的影响,对细菌生长周期和菌液氧化Fe2+的速率受Al3+浓度的影响进行了研究,并分析了离子浓度对菌液生长影响的机理。结果表明:①浸铀混合菌的活性与Al3+的浓度密切相关。当Al3+浓度小于8 g/L时,对混合菌的氧化能力和生长周期的影响很小;继续提高Al3+浓度,对混合菌氧化能力和混合菌生长周期的影响越来越显著,混合菌生长受抑制越来越明显。②Al3+浓度小于8 g/L时,混合菌表现出较强的调节代谢的能力,即通过改变或调整代谢途径,可在一定程度上适应新的环境。因此,当细菌浸铀需要利用Al3+时,其浓度不应超过8 g/L。 相似文献
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有机硅弹性体因具有良好的绝缘性与耐高温的特性,广泛应用于高频、高压、高温工况下的SiC器件中.在宽频率、宽温度范围内,有机硅弹性体材料的介电性能对SiC器件内部电场分布产生极大影响,因此该文采用频域介电谱分析方法获得了宽频(10?2~107Hz)、宽温度(20~280℃)范围内的有机硅弹性体介电特性数据,掌握有机硅弹性体在不同频率、温度条件下的介电弛豫过程,在此基础上,采用改进Cole-Cole模型对有机硅弹性体的弛豫特性进行分析,获得温度对有机硅弹性体介电响应过程与介电特征参数的影响规律.研究结果表明,随频率上升,复介电常数实部明显下降并趋于稳定,复介电常数虚部呈现先下降后上升到达峰值的趋势.在高温低频条件(160℃以上,100Hz以下)下,有机硅弹性体材料出现明显的低频弥散现象,280℃下观测到了电荷扩散过程的出现;不同温度下Cole-Cole模型特征参数中直流电导率σdc、弛豫强度Δε 与低频弥散强度ξ 与温度的关系满足Arrhenius方程规律;高频介电常数ε∞随温度升高而降低,与温度近似呈线性变化;弛豫时间τ 在高温下随温度上升具有明显指数型下降趋势,其机理可利用双势阱模型描述.该文获得的有机硅弹性体宽频、宽温度范围内的介电特性可以为SiC器件封装绝缘设计提供数据支撑. 相似文献
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高压直流输电技术是电力电子技术在电力系统中应用最早、最成熟的技术。功率半导体器件是电力电子变换器的基础,是推动电力电子变换器发展的源泉,是推动相关领域发展的源动力。本文对功率半导体器件和高压直流输电技术的发展和相互关系进行了阐述,对二者的未来发展进行了展望。 相似文献
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应用阻抗变换技术的变电站接地网检测系统激励源的设计与应用 总被引:1,自引:0,他引:1
针对变电站接地网接地性能检测和缺陷诊断的需要,设计了专用的异频正弦波激励源系统。基于线性放大和阻抗变换技术,在较宽的频带内和较大输出电流的情况下,实现了频率和输出电流的连续调节,解决了功率放大器和接地网负载之间的阻抗匹配问题。实验结果表明激励源系统的频率特性、带负载能力和输出电流能力符合设计要求。通过测量地表磁感应强度和电位分布,诊断接地网导体断点的现场应用表明激励源的设计合理,能够满足变电站接地网缺陷诊断和接地性能检测等工程实际的需要。 相似文献
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温度与湿度对氨为添加剂脉冲放电烟气脱硫影响的研究 总被引:3,自引:0,他引:3
对脉冲放电烟气脱硫进行了实验研究与理论分析,结果表明SO2的脱除主要取决于NH3与SO2发生热化学反应。单位体积烟气注入能量0-5Wh/m^3,脉冲放电使SO2脱除率提高0-25%,脱硫产物的主要组分是(NH4)2SO4,其含量随着单位体积注入能量的增加而增大,在单位体积烟气注入能量为3Wh/m^2,停留时间小于10s工业应用许可的范围内,烟气脱硫最佳温度为60-65℃,最佳含水体积分数为9%-11%。 相似文献
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