全文获取类型
收费全文 | 6953篇 |
免费 | 364篇 |
国内免费 | 279篇 |
专业分类
电工技术 | 461篇 |
综合类 | 487篇 |
化学工业 | 748篇 |
金属工艺 | 488篇 |
机械仪表 | 681篇 |
建筑科学 | 611篇 |
矿业工程 | 334篇 |
能源动力 | 223篇 |
轻工业 | 915篇 |
水利工程 | 317篇 |
石油天然气 | 327篇 |
武器工业 | 76篇 |
无线电 | 616篇 |
一般工业技术 | 445篇 |
冶金工业 | 284篇 |
原子能技术 | 78篇 |
自动化技术 | 505篇 |
出版年
2024年 | 37篇 |
2023年 | 129篇 |
2022年 | 143篇 |
2021年 | 150篇 |
2020年 | 157篇 |
2019年 | 172篇 |
2018年 | 180篇 |
2017年 | 103篇 |
2016年 | 105篇 |
2015年 | 136篇 |
2014年 | 334篇 |
2013年 | 262篇 |
2012年 | 306篇 |
2011年 | 322篇 |
2010年 | 285篇 |
2009年 | 297篇 |
2008年 | 289篇 |
2007年 | 328篇 |
2006年 | 344篇 |
2005年 | 360篇 |
2004年 | 288篇 |
2003年 | 273篇 |
2002年 | 213篇 |
2001年 | 249篇 |
2000年 | 262篇 |
1999年 | 205篇 |
1998年 | 139篇 |
1997年 | 213篇 |
1996年 | 184篇 |
1995年 | 149篇 |
1994年 | 138篇 |
1993年 | 105篇 |
1992年 | 100篇 |
1991年 | 107篇 |
1990年 | 99篇 |
1989年 | 78篇 |
1988年 | 51篇 |
1987年 | 46篇 |
1986年 | 27篇 |
1985年 | 32篇 |
1984年 | 45篇 |
1983年 | 35篇 |
1982年 | 36篇 |
1981年 | 34篇 |
1980年 | 10篇 |
1979年 | 5篇 |
1978年 | 9篇 |
1965年 | 3篇 |
1958年 | 3篇 |
1956年 | 5篇 |
排序方式: 共有7596条查询结果,搜索用时 0 毫秒
41.
适用于生产PHC管桩的混凝土混合料宋建军,阮起楠(番禺桥丰水泥制品有限公司)对PHC管桩的质量要求是:必须达到国标《先张法预应力混凝土管桩》GB13476—92所规定的力学指标(抗弯能力与轴向承载能力),并有一定的裕度;尺寸精度与外观质量也应满足《国... 相似文献
42.
本文通过对B220龙门刨床晶闸管直流电机调速系统的系统分析,详细地介绍了该系统所具有的特点,通过调节旋钮调节的极具特色的调压调速一调磁调速之间的关系,以及为满足这种特殊关系所引入的几个特殊电路的工作原理,最后给出了系统最关键的几个调节环节及电路的详细理论分析 。 相似文献
43.
44.
在回流焊接过程中,保证最优的传热系数能提高产品的质量和工作效率.针对某回焊炉的温度分布进行分段线性回归,通过有限元分析找到可优化参数,并且建立一维非稳态传热模型,以最优传热系数为优化目标,以各温区炉温及传送带速率为优化变量,采用有限差分法对已有的炉温曲线进一步改良,获得最佳指标值.结果 表明:该模型自适应性较强,能有效地保证各功能区温度过渡的连贯性. 相似文献
45.
46.
以撇取氧化膜称重的方法对比了周期表中25个常见元素对Sn-Pb共晶合金抗氧化能力的影响。其中以Ga,Ge,P的能力最强。最佳含量(wt-%)分别为Ga0.0008,Ge0.004,P0.003。用对氧化渣的化学分析法、X射线衍射法以及合金表层的X射线光电子能谱法研究了Ga,Ge,P三元素对Sn-Pb合金的抗氧化机理。实验表明,添加的微量元素均在表层高度富集,厚度30—40(A),Ga则深达70-100(A),它们形成致密的保护膜。膜的成分是相应添加元素的氧化物与氧化锡形成的复杂含氧酸盐。温度对含P和Ge的合金影响较大,高于350℃则失去其抗氧化能力。含Ga的合金在400℃范围内一直是稳定的。 相似文献
47.
采用共沉淀BaTiO3为基,适量掺杂Nd2O3稀土氧化物及MgO与ZnO添加剂,获得具有X7R温度特性的低频高压MLC瓷料系统,BaTiO3基瓷的平均晶粒尺寸小于0.8μm,居里点弥散成为居里区.其介电性能为介电系数ε≥3000;容量变化率△C/C≤±15%;介电损耗tgδ≤120×10-4;体积电阻率ρv≥1012Ω·cm;击穿场强Eb≥15 kV/mm. 相似文献
48.
49.
通过研究基片种类、加热温度、保温时间、冷却速度及是否加入催化剂等不同工艺参数对低维Ga2O3,纳米材料形貌的影响,确定出合成5种不同形貌β-Ga2O3纳米材料的工艺条件。场发射扫描电镜(FE-SEM)表明5种不同形貌α-Ga2O3纳米材料分别为纳米线、纳米棒、纳米带、纳米环及纳米片。X射线衍射(X-ray)分析结果表明不同形貌纳米材料均为晶格常数日=1.223nm,b=0.304nm,c=0.58nm,a=90°,β=103.7°,γ=90°的单斜晶系β-Ga2O3晶体。 相似文献
50.