首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   4559篇
  免费   212篇
  国内免费   134篇
电工技术   357篇
综合类   272篇
化学工业   454篇
金属工艺   187篇
机械仪表   403篇
建筑科学   522篇
矿业工程   354篇
能源动力   93篇
轻工业   369篇
水利工程   180篇
石油天然气   161篇
武器工业   41篇
无线电   456篇
一般工业技术   331篇
冶金工业   199篇
原子能技术   21篇
自动化技术   505篇
  2024年   21篇
  2023年   88篇
  2022年   122篇
  2021年   107篇
  2020年   119篇
  2019年   156篇
  2018年   129篇
  2017年   55篇
  2016年   58篇
  2015年   83篇
  2014年   331篇
  2013年   195篇
  2012年   277篇
  2011年   230篇
  2010年   176篇
  2009年   166篇
  2008年   152篇
  2007年   203篇
  2006年   168篇
  2005年   159篇
  2004年   147篇
  2003年   129篇
  2002年   116篇
  2001年   132篇
  2000年   126篇
  1999年   128篇
  1998年   102篇
  1997年   150篇
  1996年   112篇
  1995年   97篇
  1994年   91篇
  1993年   81篇
  1992年   63篇
  1991年   93篇
  1990年   61篇
  1989年   52篇
  1988年   31篇
  1987年   39篇
  1986年   21篇
  1985年   24篇
  1984年   20篇
  1983年   18篇
  1982年   9篇
  1981年   9篇
  1980年   7篇
  1979年   7篇
  1976年   4篇
  1964年   5篇
  1959年   6篇
  1957年   4篇
排序方式: 共有4905条查询结果,搜索用时 15 毫秒
951.
网络化智能传感器/执行器的设计及接口标准IEEE1451.2   总被引:7,自引:0,他引:7  
文中介绍了国际电器电子工程师协会IEEE组织针对智能网络化变送器(传感器/执行器)而制定的接口标准IEEE1451产生的背景、历史和优越性,介绍了兼容各种现场总线标准的智能网络化传感器系统的组成。特别是针对其中的IEEE1451.2部分做了较为详细的叙述,对其规定的技术特征:数字接口、谱送器模型、TEDS内容、STIM的典型结构以及传减速 校准方法模型等分别作了介绍,并给出出典型的网络应用结构。  相似文献   
952.
旁栅效应是制约GaAs集成电路性能和集成度的有害寄生效应。本文研究了MESFET电路的旁栅效应的光敏特性和迟滞现象 ,认为这两个现象可能与衬底深能级 (如EL2 )有密切的关系 ,通过减小衬底杂质补偿度有可能减轻旁栅效应影响。  相似文献   
953.
954.
介绍氧化铝陶瓷的晶体结构、工艺及性能,探讨耐磨刚玉陶瓷的硬度及耐磨性、氧化铝陶瓷加入微量物料后改性成耐磨刚玉陶瓷的主要性能及耐磨性以及两者性价比.从而使生产出越来越多的耐磨刚玉制品应用到洗煤厂的各磨损部件中,大大地减少设备维修次数,降低材料消耗,经济效益显著.  相似文献   
955.
衡阳地区体育旅游的发展必须走政府支持的战略路线,在多方面主导体育旅游产业的发展战略:把体育旅游作为旅游的一个重要组成部分,以体育旅游的发展作为新的经济增长点战略:实行旅游强市的战略:走可持续发展战略,发展旅游和体育旅游业,使经济资源得到综合合理的利用。  相似文献   
956.
在对国内外铝镁合金阻氧技术对比研究的基础上,通过多次工业试验,采用高纯氩气保护,成功生产出少量高镁含量的高纯铝镁中间合金,并达到预期效果。  相似文献   
957.
光子晶体光纤的研究新进展   总被引:1,自引:1,他引:0  
综述了光子晶体光纤(PCF)不同于传统光纤的各种性质,并详细讨论了光子晶体光纤在通信和光纤激光等领域的新发展。  相似文献   
958.
忞宁 《饮食科学》2001,(11):42-42
一个历史悠长、酒香醇厚的名酒厂;一个名扬宇内、绝对禁酒的国旗护卫队,谁又能想到他们之间会达成共识,结成构建!  相似文献   
959.
提出一种可以集成在SPIC(智能功率集成电路)内部的高压电压探测器的方法,其理论是基于基本的结终端技术中的浮空场限环系统,把场限环系统作为表面电压分压器.在通常的场限环外侧再增加两个环,对外侧环电压再一次分压,并把最外侧环设计成高压电压探测器.这样当主结电压上升到一个高压时,最外侧的环可以只有几伏到十几伏的变化,这样环(探测器)上的信号既可以表征主结高电压,又可以由低压逻辑电路处理.以一个400V的结构为例,分析并模拟了这个结构.结果证明可以有效探测SPIC的高压并可以集成在SPIC中.同时,该结构可以与CMOS和BCD工艺兼容,且工艺上也不会增加步骤.  相似文献   
960.
近日,笔者在跟随企业走访用户的过程中,发现了一个有趣的现象:销售人员通过微信,与用户交流、沟通,及时将信息传递给他们,了解用户的现状;服务工程师在偏远地区服务的时候,通过微信汇报工作情况,在遇到困难时通过微信将故障部位的照片回传、分析……从销售人员  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号