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快速热处理对PECVD氮化硅薄膜性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
利用PECVD在硅片上沉积了氮化硅(SiNx)薄膜,将沉积膜后的样品放在N2气氛中进行快速热处理(RTP),研究了不同快速热处理对PECVD氮化硅薄膜件能的影响.采用原子力显微镜(AFM)检测薄膜的表面形貌,利用椭圆偏振仪测量样品膜厚和折射率,利用准稳态光电导衰减法(QSSPCD)测鼋样品的少子寿命.实验结果表明随着RTP温度的升高,薄膜厚度迅速减小,折射率迅速增大;低于500℃热处理时,少子寿命基本不变;高于500℃热处理时,随着温度的升高,少子寿命急剧下降.氮化硅薄膜经热处理后反射率基本不变. 相似文献
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本文就CATV网上综合业务的功能及技术体制进行了简述。给出了以ATM技术为主的CATV综合业务平台构成方案。并对综合业务平台的建立提出了一些建议。 相似文献
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应用系统动力学方法建立了基于兰切斯特平方律方程的弹药消耗SD模型,为了宏观认识炮兵弹药消耗规律,选用不同策略对模型参数进行了调整,并在Vensim平台上进行了仿真实验,得出了弹药消耗随兵力、损耗系数变化的关系和规律。实践证明,该方法研究弹药消耗规律,实用性强、可行性好,能够为指挥员科学决策提供有力的方法支撑。 相似文献
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为了进一步增强机载激光测距机在全温范围内的环境适应性,分析了温度与探测器模块输出功率信噪比的关系,推导了最佳倍增因子与温度的方程式,阐述了温度变化引起倍增因子对最佳雪崩倍增因子偏离的原因。根据雪崩管探测器雪崩击穿电压的线性温度特性,设计了机载温度范围为-55℃~70℃的基于自然对数法的最佳倍增因子雪崩偏压线性化温控电路,用于补偿因温度变化所引起的倍增因子对最佳雪崩倍增因子的偏离。结果表明,实测雪崩偏压温控系数为2.29V/℃,与理论分析值误差仅为4%。该技术用于新型机载激光测距系统中,获得了良好的试验数据,满足机载环境的特殊需求。 相似文献