器件参数全域优化的填充函数方法

本文分析了目前器件参数优化所存在的问题。提出了采用填充函数方法实现对器件参数的全空间(全域)优化提取。该法能较好地满足不同非线性规划算法对初值的要求,并保证了目标函数的全域最优。本文还分析了影响参数优化唯一解的灵敏度因素,提出了对MOSFET器件参数优化的一些改进方法。     

IC缺陷轮廓的盒维数及其方向的分布特征

为了进行有效的集成电路（ＩＣ）成品率预报及故障分析，与光刻有关的硅片表面缺陷通常被假定为圆形的或方形的．然而，真实的缺陷的形貌是多种多样的．本文讨论了缺陷轮廓所具有的分形特征．该结果为硅片表面缺陷的精细表征及其计算机模拟作了有益的探索     

包含衬底电流的LDD MOSFET输出I-V特性的经验模型分析

采用双曲正切函数的经验描述方法和器件物理分析方法 ,建立了适用于亚微米、深亚微米的 L DD MOSFET输出 I- V特性解析模型 ,模型中重点考虑了衬底电流的作用 .模拟结果与实验有很好的一致性 .该解析模型计算简便 ,对小尺寸器件中的热载流子效应等能够提供较清晰的理论描述 ,因此适用于器件的优化设计及可靠性分析     

亚微米、深亚微米LDD MOSFET的衬底电流模型中特征长度改进的描述

建立了衬底电流模型中特征长度参数的改进描述,该参数的引入使衬底电流模型能够有效地适用于从微米尺寸到亚微米、深亚微米尺寸的L DD MOSFET.在以双曲正切函数描述的I- V特性基础上,该解析模型的运算量远低于基于数值分析的物理模型,其中提取参数的运用也大大提高了模型的精度,模拟结果与实验数据有很好的一致性.     

电路成品率极大化的改进重心游移法

基于R.S.Soin 和 R.spence提出的电路中心值设计的统计最优化方法,文中提出了一种改进的容差域可伸缩的重心游移法。该方法系统地解决了初始状态下,成功点集为空集时的参数中心值设计问题。给出了容差域伸缩策略;区间套舍选抽样策略以及有关系统连接问题。以数值试验和电路设计实例证明了该方法的可行性和实用性。     

一种双采样1.2V 7位125MS/s流水线ADC的设计

为了满足片上系统对模数转换器的低功耗和高性能的要求,设计并实现了一种1.2V7位125MS/s双采样流水线模数转换器.该模数转换器采用了一种新的运算放大器共享技术以及相应的时序关系,从而消除了采样时序失配问题,并减小了整个模数转换器的功耗和面积.该模数转换器采用0.13μm CMOS工艺实现,测试结果表明,该模数转换器的最大信噪失真比为43.38dB,有效位数为6.8位.在电源电压为1.2V、采样速率为125MS/s时,该模数转换器的功耗仅为10.8mW.     

一种用于人脸检测SoC中的加速协处理器设计

提出了一种改进的、适合硬件并行实现的Adaboost算法多层分类器协处理器架构.该协处理器由积分图数据快速读取模块、多层分类器Haar型特征值运算模块、DMA数据存取模块和协处理器接口模块组成,模块间采用流水线以及FIFO缓存实现数据并行处理,用于人脸检测SoC中加速人脸检测迭代过程.将该协处理器嵌入一个实际的人脸检测SoC中,只增加了SoC的少量面积,却明显提高了人脸检测的处理速度.人脸检测SoC在CYCLONE-ⅡEP2C70 FPGA上通过验证.实验结果显示,在系统工作频率为70MHz时,能以10帧每秒的处理速度检测彩色QVGA图像中的人脸.     

EEPROM单元的电荷保持特性

利用理论推导和实验方法对电可擦除可编程只读存储器EEPROM单元在给定电压下的电荷保持特性进行了分析和研究,得出了EEPROM单元电荷保持能力的理论公式,得到了单元保持状态下的电特性曲线,发现在双对数坐标下,阈值电压的退化率与时间成线性关系.在假定电荷流失机制为Fowler-Nordheim隧穿效应的情况下,推出了EEPROM单元在给定外加电压下的电荷保持时间,并通过实验得出了简化的EEPROM单元寿命公式.     

DSP芯片中全加器电路的优化设计

全加器在DSP芯片中是一个非常重要的逻辑器件,在DSP芯片内部存在着大量的加法器,通过对加法器的优化设计,可以使DSP芯片的性能得到提高.在本文中以CPL结构(Complementary pass transistor logic)加法器为基础提出了一种优化的加法器结构.并且通过HSPICE仿真,对28个晶体管的CMOS加法器、传统的CPL加法器和改进型的CPL加法器进行了比较.仿真的结果表明:改进型CPL加法器在功耗和延时等特性上比传统的28-T CMOS结构加法器和一般的CPL结构加法器有较大的提高.     

异质外延GaN薄膜中缺陷对表面形貌的影响

通过对异质外延GaN薄膜中各类结构缺陷进行系统的研究,发现材料内部的各种体、面和线缺陷,包括沉淀物、裂纹、反向边界、局部立方相、小角晶界和位错,都会对表面形貌产生影响,并具有对应的特征形貌.GaN薄膜中缺陷与表面形貌的这种对应关系,可以通过MOCVD生长机理和缺陷间相互作用机制加以解释,同时也提供了一种简单而有效的研究与检测GaN材料内部缺陷的方法.