深亚微米pMOS器件HCI退化建模与仿真方法

研究了深亚微米pMOS器件HCI(hot carrier injeotion)退化模型.采用流函数分析方法提出一种时变栅电流物理描述,基于这一栅电流模型改进了pMOS器件的HCI退化模型,并在该模型基础上提出一种HCI退化可靠性仿真方法,用于对静态应力条件下器件的HCI退化程度进行预测.最后给出了仿真结果对比.该方法已被用于XDRT可靠性工具中进行器件HCI退化分析.     

AlN阻挡层对AlGaN/GaNHEMT器件的影响

利用低压MOCVD技术在蓝宝石衬底上生长了AlGaN/GaN异质结和AlGaN/AlN/GaN异质结二维电子气材料,采用相同器件工艺制造出了AlGaN/GaN HEMT器件和AlGaN/AlN/GaN HEMT器件.通过对两种不同器件的比较和讨论,研究了AlN阻挡层的增加对AlGaN/GaN HEMT器件性能的影响.     

基于漏区边界曲率分析的射频RESURF LDMOS耐压与导通电阻优化

分析了漏区边界曲率半径与射频RESURF LDMOS击穿电压的关系,指出漏区边界的弯曲对RESURF技术的效果具有强化作用.理论分析与模拟结果表明,满足RESURF条件时,提高漂移区掺杂浓度或掺杂深度的同时相应减小漏区边界的曲率半径,可以在维持击穿电压不变的前提下,明显降低导通电阻.     

VLSI冗余单元最优分配的遗传算法求解

随着VLSI芯片面积的增加和电路复杂性的增强,芯片的成品率受制造缺陷影响的概率逐渐增加。为了解决这一问题,人们将容错技术结合入集成电路设计中。要使一个系统具有较强的容错能力,必须给系统提供一定量冗余单元。本文利用遗传算法有效地解决了使系统成品率达到最大的冗余单元最优分配问题。     

针孔缺陷对集成电路功能成品率影响分析与仿真

对集成电路针孔缺陷引起功能成品率下降的模型进行了研究 ,给出了分析和仿真针孔功能成品率的两种计算方法—— Monte- Carlo方法和关键面积提取方法 ,这对集成电路成品率设计和分析是非常重要的     

深亚微米MOS器件的热载流子效应

对深亚微米器件中热载流子效应(HCE)进行了研究.还研究了沟道热载流子的产生和注入以及与器件工作在高栅压、中栅压和低栅压三种典型的偏置条件的关系.在分析热载流子失效机理的基础上,讨论了热载流子效应对电路性能的影响.提出影响晶体管热载流子效应的因素有:晶体管的几何尺寸、开关频率、负载电容、输入速率及晶体管在电路中的位置.通过对这些失效因素的研究并通过一定的再设计手段,可以减少热载流子效应导致的器件退化.     

集成电路参数中心值和容差的耦合设计方法

基于对集成电路参数成品率中心值设计和容差分配的研究,该文提出了一种参数成品率中心值设计和容差分配耦合求解最优设计值的算法。该算法不需要设计者对电路或工艺的物理结构非常熟悉,从任意初始设计值和任意大小的容差,算法均可收敛到可接受域中的最优设计值。另外,根据工艺线的容差,算法可确定集成电路的最优参数成品率,也可根据实际要求选择适当容差的工艺线,以降低生产成本、提高效益。最后用实例证明了该算法的可行性和实用性,得到了满意的结果。     

通过直接栅电流测量研究PMOSFET's热载流子损伤

通过直接栅电流测量方法研究了热载流子退化和高栅压退火过程中PMOSFET's热载流子损伤的生长规律.由此,给出了热载流子引起PMOSFET's器件参数退化的准确物理解释.并证明了直接栅电流测量是一种很好的研究器件损伤生长和器件参数退化的实验方法.     

基于刻蚀工艺的IC关键面积计算模型与实现方法

在IC的制造过程中,由于工艺的随机扰动,过刻蚀和欠刻蚀造成了导线条的宽度和线间距的变化.论文在分析过刻蚀和欠刻蚀对IC版图影响的基础上,提出了基于工艺偏差影响的IC关键面积计算新模型和实现方法.模拟实验表明模拟结果与理论分析是一致的.     

薄栅SiO2击穿特性的实验分析和机理研究

该文利用衬底热空穴（SHH）注入技术分别控制注入到薄栅氧化层中的热电子和热空穴的数量,定量研究了热电子和热空穴注入对薄栅氧化层击穿的影响,提出了薄栅氧化层的经时击穿是由热电子和热空穴共同作用导致的新观点,并对薄栅氧化层的经时击穿建立了一个新的物理模型。