全文获取类型
收费全文 | 217篇 |
免费 | 31篇 |
国内免费 | 222篇 |
专业分类
电工技术 | 1篇 |
综合类 | 69篇 |
化学工业 | 1篇 |
金属工艺 | 1篇 |
机械仪表 | 2篇 |
建筑科学 | 1篇 |
矿业工程 | 1篇 |
轻工业 | 1篇 |
无线电 | 372篇 |
一般工业技术 | 12篇 |
自动化技术 | 9篇 |
出版年
2024年 | 2篇 |
2023年 | 2篇 |
2022年 | 3篇 |
2021年 | 1篇 |
2019年 | 4篇 |
2018年 | 2篇 |
2017年 | 2篇 |
2016年 | 4篇 |
2015年 | 2篇 |
2014年 | 9篇 |
2013年 | 3篇 |
2012年 | 15篇 |
2011年 | 9篇 |
2010年 | 11篇 |
2009年 | 29篇 |
2008年 | 24篇 |
2007年 | 32篇 |
2006年 | 38篇 |
2005年 | 55篇 |
2004年 | 37篇 |
2003年 | 23篇 |
2002年 | 35篇 |
2001年 | 49篇 |
2000年 | 10篇 |
1999年 | 13篇 |
1998年 | 7篇 |
1997年 | 2篇 |
1996年 | 9篇 |
1995年 | 5篇 |
1994年 | 5篇 |
1993年 | 4篇 |
1992年 | 2篇 |
1991年 | 4篇 |
1990年 | 4篇 |
1989年 | 4篇 |
1988年 | 5篇 |
1987年 | 2篇 |
1986年 | 2篇 |
1985年 | 1篇 |
排序方式: 共有470条查询结果,搜索用时 15 毫秒
71.
Nonpolar a-plane [110] GaN has been grown on r-plane [1■02] sapphire by MOCVD, and investigated by high resolution X-ray diffraction and atomic force microscopy. As opposed to the c-direction, this particular orientation is non-polar, and it avoids polarization charge, the associated screening charge and the consequent band bending. Both low-temperature GaN buffer and high-temperature AlN buffer are used for a-plane GaN growth on r-plane sapphire, and the triangular pits and pleat morphology come forth with different buffers, the possible reasons for which are discussed. The triangular and pleat direction are also investigated. A novel modulate buffer is used for a-plane GaN growth on r-plane sapphire, and with this technique, the crystal quality has been greatly improved. 相似文献
72.
Nonpolar (1120) a-plane GaN films have been grown by low-pressure metal-organic vapor deposition on r-plane (1102) sapphire substrate. The structural and electrical properties of the a-plane GaN films are investigated by high-resolution X-ray diffraction (HRXRD), atomic force microscopy (AFM) and van der Pauw Hall measurement. It is found that the Hall voltage shows more anisotropy than that of the c-plane samples; furthermore, the mobility changes with the degree of the van der Pauw square diagonal to the c direction, which shows significant electrical anisotropy. Further research indicates that electron mobility is strongly influenced by edge dislocations. 相似文献
73.
74.
研制出在蓝宅石衬底上制作的MOS AIGaN/GaN HEMT.器件栅长1um,源漏间距4um,采用电子束蒸发4nm的Si02做栅介质.在4V栅压下器件饱和电流达到718mA/mm,最大跨导为172mS/mm,ft和fmax分别为8.1和15.3GHz.MOS HEMT栅反向泄漏电流与未做介质层的肖特基栅相比,在反偏10V时由2.1×10-8mA/mm减小到8.3×10-9mA/mm,栅漏电流减小2个数量级.MOS AIGaN/GaN HEMT采用薄的栅介质层,在保证减小栅泄漏电流的同时未引起器件跨导明显下降. 相似文献
75.
76.
VLSI容错设计研究进展(2)——功能成品率与可靠性的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
带冗余的集成电路的成品率的估计对制造者来说是一个非常重要的问题。文中将集中分析和讨论带冗余的成品率模型和可靠性,给出了该领域研究进展的最新结果,并指出了进一步研究的方向和策略。 相似文献
77.
78.
基于电荷控制理论,考虑到极化效应和寄生漏源电阻的影响,建立了能精确模拟AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管直流I-V特性和小信号参数的解析模型.计算表明,自发极化和压电极化的综合作用对器件特性影响尤为显著,2V栅压下,栅长为1μm的Al0.2Ga0.8N/GaN HEMT获得的最大漏电流为1370mA/mm;降低寄生源漏电阻可以获得更高的饱和电流、跨导和截至频率.模拟结果同已有的测试结果较为吻合,该模型具有物理概念明确且算法简单的优点,适于微波器件结构和电路设计. 相似文献
79.
对掺杂浓度为1017~1019cm-3的GaN:Si样品进行高精度X射线衍射和拉曼散射光谱的研究发现:随着Si掺杂浓度的增加,GaN晶粒尺寸逐渐减小,引发更多的螺位错和混合位错致使摇摆曲线的半高宽有所增加,同时薄膜中的剩余应力也逐渐减小。当掺杂浓度高于2.74×1018cm-3时,薄膜从压力状态转变为张力状态。 相似文献
80.