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61.
A linear voltage regulator was irradiated by ~(60)Coγat high and low dose rates with two bias conditions to investigate the dose rate effect.The devices exhibit enhanced low dose rate sensitivity(ELDRS) under both biases. Comparing the enhancement factors between zero and working biases,it was found that the ELDRS is more severe under zero bias conditions.This confirms that the ELDRS is related to the low electric field in a bipolar structure. The reasons for the change in the line regulation and the max... 相似文献
62.
为研究辐照过程中施加背栅偏置对不同沟道长度部分耗尽绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管(Partily Depleted Silicon-On-Insulator Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors,PD SOI MOSFETs)电参数影响规律,及对隐埋氧化层(Buried Oxide,BOX)辐射感生陷阱电荷的调控规律及机理。基于晶体管转移特性曲线,通过提取辐射诱导晶体管阈值电压变化量,对比了不同沟道长度PD SOI在不同背栅偏置条件下的辐射损伤数据,试验结果显示:辐照过程中施加背栅偏置可以显著增强长沟晶体管的损伤。通过提取辐射在BOX层中引入陷阱电荷密度,结合TCAD(Technology Computer Aided Design)器件模拟仿真进行了机理研究,研究结果表明:短沟道晶体管在施加背栅偏置时会受到源漏电压的影响,从而使BOX层中电场分布及强度不同于长沟道晶体管,而长沟道晶体管受源漏电压的影响可以忽略。 相似文献
63.
pMOSFET多管级联结构辐照响应特性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
pMOSFET剂量计多管级联结构电离辐射响应持性比单管能明显提高辐射响应灵敏度。多管共衬底级联与不共衬底级联灵敏度提高倍数较大。比较了多管共衬底级联结构在两种辐照偏置条件下的辐照响应差异,实验结果表明,辐照时,保持恒流注入条件,其响应灵敏度、线性度和稳定性均高于零偏置的结果。同时,研究了多管级联结构完全退火后的二次辐照响应,结果表明,响应灵敏度与线性度均高于第1次辐照的。 相似文献
64.
对国产NPN双极晶体管在不同剂量率下的辐射效应和退火特性进行了研究.结果显示:在不同剂量率辐照下,NPN晶体管的特性衰降均非常明显.不仅晶体管的过剩基极电流明显增大,直流增益迅速下降,其集电极电流也随辐照总剂量的增加而逐渐衰减,且低剂量率辐照下损伤更明显.本中对造成各种实验现象的损伤机理进行了分析. 相似文献
65.
对光纤光栅耦合附加腔被动锁模激光器进行了详细分析 ,得到了附加腔锁模激光器的振荡条件。研究表明在稳定工作状态下 ,附加腔锁模激光器的增益、损耗、两腔之间的耦合效率以及激光振荡波长等参数在复平面上将构成一个近似的等腰三角形。对振荡初期增益的研究表明 ,主腔增益在光纤光栅中心波长两侧有明显的不对称性 ,这将会造成激光器输出光脉冲光谱的不对称性。对谐振腔的进一步分析表明 ,由于光波在光纤光栅中具有一定的穿透深度 ,为了实现激光振荡 ,两谐振腔的名义长度差需要保持一个确定的值 相似文献
66.
67.
68.
对3款同种型号不同公司生产的双极电压比较器进行了高、低剂量率及变温辐照的60Co γ辐照实验。结果表明:偏置电流和电源电流为双极电压比较器辐射敏感参数,失调电压仅在工作偏置条件下为辐射敏感参数;由于工艺不同,不同公司的双极电压比较器存在辐射响应差异,而同一公司的双极电压比较器在不同偏置条件下的辐照损伤趋势亦不同;变温辐照加速评估方法不仅可鉴别上述不同公司的双极电压比较器在不同偏置条件下的剂量率效应,而且能很好地模拟和保守地评估其低剂量率下的辐照损伤。 相似文献
69.
本文以光子与物质的相互作用机制为基础,论述了剂量增强效应的基本原理。用蒙特卡罗方法研究了金和硅交界时X射线入射产生的剂量梯度分布,通过MCNP5程序建立了一个三维的金硅界面结构模型,计算了不同厚度的金在金硅界面的剂量增强因子。计算结果表明:当X射线为30–300 keV时,界面附近硅一侧存在较大的剂量增强效应。金的厚度影响界面附近的剂量增强效果,当金的厚度为0–10 m时,剂量增强因子随金的厚度增大;当金的厚度超过10 m后,剂量增强因子随金厚度的增加而减少。 相似文献
70.