基于溶液法的规则排列连续晶畴的金属诱导多晶硅薄膜及薄膜晶体管(英文)

介绍了一种新的金属诱导多晶硅技术。该技术的核心是预设规则化晶核定位孔和镍源补充孔与溶液浸蘸技术的结合。以定位孔为晶化的起始点,晶化过程中消耗的镍可通过分布在周边的镍源补充孔中的镍给予补充。这样可以大大降低晶核定位孔中的初始镍量,使整个多晶硅薄膜中不存在明显的高镍含量区。即包括晶核定位孔、镍源补充孔在内的整个多晶硅薄膜区域内,能形成连续晶畴的多晶硅薄膜,都可作为高质量TFT的有源层。根据晶核定位孔分布形式的不同,可以设计成规则、重复的分布形式,获得正六边形的蜂巢晶体薄膜和准平行晶带晶体薄膜。这些规则形成的晶畴形状与尺寸相同,可准确地控制晶化的过程,具有晶化时间的高可控性和工艺过程的高稳定性,故而适合于工业化生产的要求。利用些技术,当温度为590 ℃时,可将晶化时间缩短至2 h之内。用这种多晶硅薄膜为有源层,所得多晶硅TFT的场效应迁移率典型值为～55 cm2/V.s ,亚阈值斜摆幅为0 .6 V/dec ,开关电流比为～1×107,开启电压为-3 V。     

搭桥晶粒多晶硅薄膜晶体管直流电应力下的退化行为与退化机制研究

研究了搭桥晶粒(BG)多晶硅薄膜晶体管(TFT)在直流电应力下的退化行为和退化机制。与普通多晶硅TFT相比,BG多晶硅TFT展现出更好的直流应力可靠性。主要体现在BG多晶硅TFT拥有更好的直流负偏压温度不稳定性(NBTI)可靠性,更好的直流自加热(SH)可靠性,更好的直流热载流子(HC)可靠性。有源沟道区的BG结构是上述直流应力可靠性提高的主要原因。更好的NBTI的可靠性主要源于沟道内的硼氢键的形成;更好的SH可靠性主要源于在沟道长度方向上更快的焦耳热扩散率;更好的HC可靠性主要源于漏端横向电场(Ex)的减弱。所有的测试结果都表明,这种高性能高可靠性的BG多晶硅TFT在片上系统中具有很大的应用前景。     

善决策 转机制 抓管理 增效益

善决策转机制抓管理增效益安阳矿务局龙山煤矿郭海成龙山煤矿是安阳矿务局一对中型矿井。现有职工２１４０人，设有２６个区队和科室部门。新组成的领导班予以二次创业活动为主线，坚持以提高经济效益为中心，以扭亏增盈为目标，以改革为突破口，不等不靠，强化管理，带领...     

彩色膜上ITO的室温沉积及其在FPD中的应用

使用直流磁控溅射技术,在彩色膜衬底上室温制备出粘附性良好的氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜。X光衍射(XRD)和原子力显微(AFM)分析表明,室温ITO为多晶态,薄膜具有很好的透过率和良好的导电特性,方块电阻为120Ω／□,对应ITO／彩色膜复合膜在450nm的蓝(B)光、530nm的绿(G)光、630nm的红(R)光处的峰值透过率均达到85％左右。彩色膜与ITO电极的形成及联接等加工工艺有良好的相容性。对该技术在彩色液晶显示(LCD)和彩色有机发光显示(OLED)中的应用,进行了探索。     

电气设计中漏电保护器的合理选择

从设计的角度介绍了漏电保护器的分类,并对不同类型漏电保护器的性能作了详细的比较,从而为设计工作中漏电保护器的选型提供了依据.     

晶化多晶硅氢等离子钝化处理的优化研究

以衬底温度和射频(RF)功率为调控晶化多晶硅薄膜的氢等离子钝化处理工艺的参数,借助发射光谱(OES)全程实时探测以及对氢化处理后薄膜的傅里叶变换红外吸收谱(FTIR)的分析,通过钝化前后薄膜电性能相对照,探讨工艺优化的微观机理。对于LPCVD为晶化前驱物SPC晶化的样品,氢等离子体中的Hβ和Hγ基元对氢钝化处理起主要作用。硅薄膜氢化处理后膜中的氢以Si-H或Si-H2的形态大量增加。随氢化处理的温度升高,促使Hβ和Hγ以更高的动能在表面移动并进入薄膜内与硅悬挂键键合。只有提供足够的动能才能有效改善多晶硅微结构(R降低),使霍尔迁移率得以增大;样品在足够高的衬底温度下,只需较低功率即能产生所需数量的Hβ和Hγ等离子基元对样品予以钝化。降低功率,能有效降低I2100、继而减小R,从而减少对薄膜的轰击和刻蚀,有利提高电学性能。实验中样品氢化处理较优化的条件为550°C,10 W,其霍尔迁移率提高了43.5%。     

自缓释镍源的横向诱导晶化多晶硅薄膜晶体管

以镍硅合金靶作为溅射源,采用磁控溅射方法制备了一种自缓释镍源. 控制合适的自缓释镍源的准备条件,以单一方向横向晶化条件对非晶硅薄膜进行再晶化,可以获得低残余镍含量、大晶粒、高薄膜质量的多晶硅. 以此多晶硅为有源层进行了薄膜晶体管研究. 制备的p型TFT器件具有良好的特性,可有效地减小漏电流,同时具有很好的均匀性和稳定性.     

多晶硅薄膜阳极微腔有机发光器件及其简化制备流程的研究

介绍了溶液法金属诱导晶化的p型掺杂多晶硅薄膜(p -poly-Si)的制备,并研究了它的电学特性和光学特性.由于p -MIC poly-Si薄膜具有比较好的电学特性,且在红光区域具有比较高的反射率与透射率和很小的吸收率,因此我们将它用作红光OLED的阳极.结果显示该器件的最大发光效率为5.88cd/A,比用ITO作阳极制备的OLED效率提高了57%.这是由于此薄膜对可见光比较高的反射率和阴极铝对可见光的很高反射性能,使之形成了一定Q值的微腔效应所至.这样,可以实现发光强度较高、单色饱和性较好的单色显示器件.本研究的意义还在于,由于此MOLED的p型掺杂MIC多晶硅阳极是与其共面型驱动TFT有源层、源/漏两极同层材料制备,即是TFT漏极的延伸;这样,不仅形成了高性能的AMOLED单色显示,而且也大大简化了AMOLED工艺流程,从而形成了简化流程的4-mask AMOLED基板制备工艺.     

多晶硅薄膜阳极微腔有机发光器件及其简化制备程的研究

介绍了溶液法金属诱导晶化的p型掺杂多晶硅薄膜(p+-poly-Si)的制备,并研究了它的电学特性和光学特性.由于p+-MIC poly-Si薄膜具有比较好的电学特性,且在红光区域具有比较高的反射率与透射率和很小的吸收率,因此我们将它用作红光OLED的阳极.结果显示该器件的最大发光效率为5.88cd/A,比用ITO作阳极制备的OLED效率提高了57%.这是由于此薄膜对可见光比较高的反射率和阴极铝对可见光的很高反射性能,使之形成了一定Q值的微腔效应所至.这样,可以实现发光强度较高、单色饱和性较好的单色显示器件.本研究的意义还在于,由于此MOLED的p型掺杂MIC多晶硅阳极是与其共面型驱动TFT有源层、源/漏两极同层材料制备,即是TFT漏极的延伸;这样,不仅形成了高性能的AMOLED单色显示,而且也大大简化了AMOLED工艺流程,从而形成了简化流程的4-mask AMOLED基板制备工艺.     

《液晶与显示》的未来发展

本期杂志标志着新一届<液晶与显示>编辑委员会工作的开始.感谢前一届编委会的不懈努力,在黄锡珉主编的领导和苏锡安常务副主编的出色组织下,<液晶与显示>的学术水平逐年提高.