基于单片机和PT2272的编码解码方法

以MCS 51单片机89C51和解码芯片PT2272 L4组成的编码解码器为例,介绍了解码芯片PT2272的特性,由89C51和PT2272组成的编码解码电路及其在实时控制网络中对PT2272 L4的数据通道寻址的编码,发码子程序的框图。说明这种编码解码方法的寻址空间大、速度快、可靠性高、价格低,特别适合于实时控制,有广泛的应用前景。     

锡渣还原试剂适用性评估

通过对三种不同机理的锡渣还原试剂还原出来焊料的还原率、上锡性、润湿性、组成成分及熔点的测试与分析,探索锡渣还原试剂的使用对焊锡品质的影响。结果表明:三种还原率均超出80%;还原剂可增强焊料的上锡性;还原剂对焊料的润湿性有影响;还原前后焊锡的成分变化不明显,不影响焊锡的熔点。通过对比试验,评估锡渣还原试剂在焊料焊接生产中的适用性,并给出未来锡渣还原剂仍需改进的方向。     

光固化成型工艺中零件表面质量的分析及研究

为提高光固化成型零件的表面质量,采用单因素法成型制造出不同分层厚度和成型方向下的空心椭圆柱体,通过Surtronic25分别测量空心椭圆柱体不同截面的表面粗糙度,根据试验结果及理论分析得到分层厚度和成型方向对零件表面质量的作用机理。结果表明:分层厚度为0.05～0.10 mm,随着分层厚度的增加,零件整体表面质量不断提高;当分层厚度大于0.1 mm,随着分层厚度的增加,零件表面粗糙度不断增大;在设置零件成型方向时,应使零件整体轮廓斜率最大;成型零件表面有较大斜率时,适当增加分层厚度能提高零件整体的表面质量。     

高干扰和室内场景下的5G语音EPS FB回落策略方案研究

目前5G VoNR尚未大规模部署商用,5G语音解决方案主要是使用EPS FB技术。由于无线网络结构复杂和覆盖场景差异巨大,在多制式网络共存下,不合理的EPS FB策略会导致EPS FB回落失败或时延过长,影响用户感知。因此提出基于高干扰场景和室内场景下的EPS FB差异性设置策略,并利用回落数据归类场景精准控制B1测量时间,降低EPS FB回落时延,为优化提升5G SA用户语音体验提供参考建议。     

加强高校师资队伍建设的思考与措施

师资队伍是高校最重要的资源。教师是高校的第一生产力，是决定大学教育和科研水平的关键因素。文章在分析当前高校师资队伍建设存在的主要问题的基础上，提出了以转变观念为先导，加大人才培养和引进的力度，积极创造人才成长的良好环境等措施，做好高校师资队伍的建设。     

功能性食品的最新进展与开发

本文叙述了国内外近年来功能性食品的研究、开发和生产状况，特别是对功能性食品中生理活性物质的研究近况进行了归纳。本文还讨论了有关功能性食品的概念、研究范畴及发展趋向，并依据我国现状，对我国今后功能性食品发展提出了建议。     

串行读写技术在逆变器中的应用

介绍了逆变器中采用的串行读写存储芯片BR24C02的性能、工作原理以及相应的程序实例,并与并行读写存储器进行了简单的比较。     

齐大山选矿厂污水净化回收利用可行性试验研究

本文对鞍钢齐大山选厂厂排污水的净化，回收利用试验做了详细论述，阐明了齐选厂污水不仅有净化回收，净化水还可在选矿工艺中循环使用，即可提高选厂的回水利用率，又可充分节约水资源，还可创造了可喜的经济效益，同时还带来了很大的环境效益和社会效益。     

纳米材料在固体推进剂中的应用

为了开发纳米材料在固体推进剂中的应用,研制了一系列纳米粉体,并用热分析法考察了它们对推进剂中常用的含能材料高氯酸铵(AP)热分解的催化性能.结果表明,我们所制备的某些纳米粉体对AP的热分解具有优异的催化活性,它们在AP系推进剂中将有着广阔的应用前景.     

Porous waveguide facilitated low divergence quantum cascade laser

A quantum cascade laser with a porous waveguide structure emitting at 4.5μm is reported.A branchlike porous structure filled with metal material was fabricated on both sides of the laser ridge by an electrochemical etching process.In contrast to the common ridge waveguide laser,devices with a porous structure give rather better beam quality.Utilizing this porous structure as a high-order mode absorber,the device exhibited fundamental transverse mode emission with a nearly diffraction limited far-field beam divergence angle of 4.9°.