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11.
位错对n型GaN 光助电化学腐蚀的中止作用
陈克林
王国鹏
俞慧强
顾书林
沈波
施毅
王慧田
郑有
张荣
《高技术通讯》
2001,11(4):94-95,98
对用氢化物气相外延(HVPE)方法生长的n型GaN进行光助电化学(PEC)腐蚀研究,发现了位错中止腐蚀的直接证据,并对其机理作了探讨。
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