SoC设计中支持软硬件划分的虚拟微处理器

在SoC系统软硬件协同没计过程中,采用WISHBONE总线协议标准来构造虚部件级SoC系统,将经过软硬件划分后的软件和硬件在虚部件级进行协同仿真,再进行实部件级的综合。提出了一种基于ARMSim仿真内核的虚部件级微处理器(虚拟微处理器)的模型构造方法,可以简化SoC系统的设计。     

多向锻造ZK60镁合金组织和性能的均匀性

采用空气锤对ZK60镁合金进行多向锻造变形,研究锻坯的组织演变以及组织和性能均匀性。结果表明,锻锤与锻坯之间摩擦力的作用造成不均匀变形,使锻坯芯部的实际变形量大于边部的。累积应变∑Δε=3.3时,锻坯芯部组织为蜂窝状粗大再结晶组织和岛状细小再结晶组织,而边部组织则由蜂窝状粗大再结晶组织和呈岛状分布的孪晶组成;其抗拉强度从边部到芯部逐渐降低,而伸长率则由边部向芯部逐渐升高。锻坯力学性能存在一定的各向异性,但锻坯各方向抗拉强度在310.6~323.9 MPa之间,伸长率在21.9%~29.7%之间,表明该工艺可以有效地避免强烈的各向异性,是制备高性能变形镁合金的理想工艺。     

铝瓷牙冠材料烧结过程的研究

以α－Ａｌ２Ｏ３与Ｋ２Ｏ－Ｎａ２Ｏ－ＳｉＯ２－Ａｌ２Ｏ３系玻璃基质进行复合,制备用于牙冠修复的生物陶瓷,研究了该铝瓷的烧结过程．研究发现,该复合材料的最佳烧结温度为１１５０℃．在此基础上制定出相应的烧结制度,对材料的烧结机理亦进行了分析研究．     

用编码技术抑制同时开头噪声

本文阐述了用编码技术降低集成电路面时开关输出的数目,从而降低同时开头噪声的思想,并就多种编码方案在这种应用中的效果进行了深入分析。     

SoC接口综合的层次化通信模型

以自主研发的软硬件协同设计平台YH—PBDE为基础,提出一个逐层细化的层次化通信模型．该模型遵循计算与通信相分离的设计原则,分为系统、虚部件和实部件三个层次,层与层之间的接口通过映射和细化两种方式实现;同时,基于该模型阐述了一种新颖的虚实部件接口综合算法流程,为不同知识产权核之间的平滑通信提供了实用的解决方案．该模型和方法可以有效地实现不同核之间的自动集成,使复用技术成为可能．     

壬基酚对雄性孔雀鱼的慢性毒性效应

采用半静态慢性毒性试验方法,探讨了壬基酚长期暴露对雄性孔雀鱼的毒性效应。结果表明,1日龄孔雀鱼暴露于壬基酚90天,生长受到抑制,性比偏向雌性,肝脏指数升高,性腺指数降低,说明壬基酚具有雌激素效应,能影响孔雀鱼的生长和发育,特别是对其生殖发育有重大影响。     

喷射沉积SiC_p/Al-20Si-4.5Cu梯度复合材料的优化热处理工艺

采用喷射沉积技术制备了SiCp/Al-20Si-4.5Cu梯度复合材料,并对其进行致密化和不同温度、时间的固溶、时效热处理,通过对比硬度得出优化的热处理工艺参数;然后对热处理前后的试样进行拉伸试验,并观察拉伸断口形貌。结果表明:该复合材料优化的固溶温度为485℃,固溶时间为1.5h,时效温度为175℃,时效时间为7h;SiC颗粒含量的梯度变化导致复合材料时效速度呈梯度变化;高SiC含量的表层峰值时效后的抗拉强度最高,为432MPa,其伸长率为5.8%,此时沿SiC颗粒含量梯度降低方向上的复合材料则处于欠时效状态,塑性较好;梯度复合材料中高SiC含量表层的脆性断裂特征明显,沿梯度方向上随SiC含量的降低,复合材料拉伸断口上的韧窝增多,韧性断裂趋势增强。     

综合管线布置总图的设计和作用

1 概述我国居住区建设配套的公用工程设施将越来越完善,配套设施种类也越来越多。住宅区内不仅配有常规的自来水、照明用电、雨水及污水排放设施,而且要求配有城市管道煤气、集中供热、有线电视、空调电力及电讯线路等等。除普通照明线路架空敷设外,其余的     

A fast transient response low dropout regulator with current control methodology

A transient performance optimized CCL-LDO regulator is proposed.In the CCL-LDO,the control method of the charge pump phase-locked loop is adopted.A current control loop has the feedback signal and reference current to be compared,and then a loop filter generates the gate voltage of the power MOSFET by integrating the error current.The CCL-LDO has the optimized damping coefficient and natural resonant frequency, while its output voltage can be sub-l-V and is not restricted by the reference voltage.With a 1μF decoupling capacitor,the experimental results based on a 0.13μm CMOS process show that the output voltage is 1.0 V;when the workload changes from 100μA to 100 mA transiently,the stable dropout is 4.25 mV,the settling time is 8.2μs and the undershoot is 5.11 mV;when the workload changes from 100 mA to 100μA transiently,the stable dropout is 4.25 mV,the settling time is 23.3μs and the overshoot is 6.21 mV.The PSRR value is more than -95 dB.Most of the attributes of the CCL-LDO are improved rapidly with a FOM value of 0.0097.     

ZK60镁合金高应变速率压缩变形的流变行为及显微组织(英文)

在250~400°C的温度范围和0.1-50 s-1的应变速率范围内对ZK60合金进行压缩变形,对其流变行为和显微组织进行研究。结果表明,在低应变速率(0.1~1 s-1)下压缩变形时,再结晶主要发生在初始晶界上;在高应变速率(10~50 s-1)下压缩变形时,再结晶同时在初始晶界和孪晶上发生。合金在应变速率10~50 s-1和温度250~350°C的变形条件下获得均匀、细小的再结晶组织。因此,合金的最佳热加工工艺范围为应变速率10~50 s-1、变形温度250~350°C。高应变速率压缩变形条件下的孪生诱发动态再结晶过程分三步,首先,高位错密度孪晶分割初始晶粒;然后,孪晶内的位错发生重排形成亚晶;最后,随着应变的增加而形成再结晶晶粒。