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11.
目的对2019年成都市发生的一起毒蘑菇中毒事件进行调查分析,明确中毒原因,总结调查处置经验。方法通过流行病学调查,毒蘑菇样品的形态学鉴定、分子生物学鉴定和毒素检测,综合判断本起食物中毒的原因。结果本起毒蘑菇中毒事件暴露人数3人,发病3人,死亡1人,早期临床表现为腹痛、呕吐、腹泻等,后逐渐出现肝功能损害。毒蘑菇样品经形态学和分子生物学鉴定为条盖盔孢伞。样品中检出α-鹅膏毒肽、β-鹅膏毒肽和γ-鹅膏毒肽。结论本起食物中毒是由误食毒蘑菇条盖盔孢伞引起。为防范类似事件再次发生,应做好大众健康教育,加强食品安全监管及食源性疾病监测力度,并提高医疗机构的诊疗能力。 相似文献
12.
针对移动云计算中数据安全和移动用户的隐私保护问题,结合在线离线和外包解密技术,对基于身份加密机制(IBE)中加密和解密算法进行扩展,提出了一种可外包解密的基于身份在线离线加密方案,并证明其安全性,构造出适合于移动云计算环境中轻量级设备保护隐私数据的方案。为了减少移动终端运行IBE的加密和解密开销,利用在线离线技术将IBE的加密分解为离线和在线两个阶段,使得移动设备仅需执行少量简单计算即可生成密文;在此基础上,利用外包解密技术,修改IBE的密钥生成算法和解密算法,增加一个密文转化算法,将解密的大部分复杂计算外包给云服务器,移动设备仅计算一个幂乘运算即可获得明文。与现有IBE方案的性能相比,该方案具有较少的加解密开销,适合于轻量级移动设备。 相似文献
13.
针对现有属性基加密(ABE)方案存在的属性撤销效率低以及用户属性密钥的分发和撤销难以协调等问题,提出一种基于区块链可撤销属性的去中心化属性基加密(BRDABE)方案。首先,利用共识驱动的区块链构架将密钥分发的信任问题从属性权威映射到分布式账本上,并利用智能合约记录用户属性和数据共享的状态以及协助属性权威实现用户属性的撤销。当撤销用户的属性时,属性权威利用智能合约自动筛选出所涉及的数据所有者和未撤销授权的用户,并生成与撤销属性相关的密文更新钥和密钥更新钥,链下进行密文和密钥更新。其次,将版本钥和用户全局身份嵌入属性私钥,在用户解密时,使会话密钥密文和用户属性私钥中的身份能够相互抵消。基于合理假设,证明BRDABE方案能抵抗用户的合谋攻击,且满足用户属性撤销的前向和后向安全性。实验结果表明,随着用户属性个数的增加,用户密钥生成、加密解密和属性撤销的时间呈线性增长。当属性个数相同时,与DABE(Decentralizing Attribute-Based Encryption)相比,BRDABE的解密时间缩短了94.06%~94.75%;与EDAC-MCSS(Effective Data A... 相似文献
14.
以高性能的金属诱导单一方向横向晶化多晶硅薄膜晶体管(MIUC poly-Si TFT)为基础,研制出性能能满足AM-LCD和AM-OLED要求、版图和象素尺寸适配、制备工艺和象素电路兼容的多晶硅TFT行扫描和列驱动电路.该行扫描电路工作电压为3.5-10V;当工作电压为5V、负载电容为22pf时,下降沿约为150ns,上升沿约为205ns,最高工作频率在1MHz以上;列驱动电路工作电压为3.5-8V;当工作电压为5V、负载电容为22pf时,上升沿约为200ns,信号衰减率为15%(64μs扫描周期),最高工作频率达到4MHz.将该MIUC poly-Si TFT多晶硅行扫描、列驱动电路和有源选址电路集成到同一基板上,制备出象素数为80×RGB×60、动态显示效果良好的全集成型LCD屏样品. 相似文献
15.
本论文提出一种新型单次曝光数字全息术,可用于三维彩色图像复振幅全息图的瞬时记录.通过空间抽取离轴全息图和插值抽取全息数据可获得参考光位相不同的3幅全息图,从这3幅全息图中提取得到复振幅全息图.单次曝光全息术可推广应用于记录采用常规位相分布参考光的全息图.本文还讨论了单次曝光全息术中波段宽度的极值.通过数值模拟和光学实验验证了复振幅全息图的单次曝光记录.结果表明,由于完全消除了直射光、零级干扰噪声和共轭光的干扰,高分辨率的精细彩色图像可从复振幅全息图中得到再现.单次曝光数字全息术能够通过采用RGB脉冲激光来记录移动物体的彩色图像,并在实时全息显示中再现移动的彩色图像. 相似文献
16.
18.
19.
提出一种以聚合物MEH PPV为发光材料,结构为Al/MEH PPV/CuPC/ITO的倒置型发光器件(I PLED)。对既是空穴传输层又是轰击缓冲层的CuPC厚度以及MEH PPV的浓度对器件性能影响的分析发现,在实验条件下,最佳的CuPC厚度约为3.5nm,最佳的MEH PPV浓度约为3‰;采用小分子染料红莫稀(Rubrene)对聚合物发光材料MEH PPV掺杂发现,器件的亮度从未掺杂的40 4cd·m2提高到掺杂后的207.7cd/m2,其发光峰从未掺杂的624nm蓝移到掺杂后的592nm,但其I V特性并没有明显的变化。 相似文献