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71.
脉冲直流PCVD制备新型Ti-Si-C-N纳米复合超硬薄膜 总被引:3,自引:0,他引:3
用工业型脉冲直流等离子体化学气相沉积(PCVD)设备,在高速钢(W18Cr4V)基材表面沉积新型四元Ti-Si-C-N复合超硬薄膜。结果表明:Ti-Si-C-N薄膜是由面心立方结构的TiN和TiC纳米晶、Ti(C,N)固溶体及存在于晶界的非晶Si3N4和α-C组成,形成TiN/TiC/Ti(C,N)/α-C/α-Si3N,复相结构,这种复相结构存在着[111],[220]和[200]混合择优取向。SiCl4和CH4流量变化是影响薄膜相组成和硬度变化的主要工艺参数。随Si含量的增加,薄膜的显微硬度先升后降,表面形貌由致密的细颗粒状变为粗大的枝条状;C元素的加入能抑制柱状晶的形成,对硬度影响较小。 相似文献
72.
反应磁控溅射制备Ti-Si-N薄膜的摩擦磨损性能 总被引:6,自引:0,他引:6
用反应磁控溅射方法,在不锈钢表面沉积Ti-Si-N薄膜.用原子力显微镜观察薄膜的表面形貌,Ti-Si-N颗粒尺寸小于0.1 μm,用亚微压入仪测试薄膜硬度,当硅的摩尔分数为9.6%时,薄膜硬度出现最大值47 GPa.球-盘式摩擦磨损结果表明,Ti-Si-N薄膜的耐磨性能明显优于TiN薄膜,加入少量硅元素后,TiN薄膜的抗磨损性能有显著提高,但Ti-Si-N薄膜的室温摩擦系数较高(0.6~0.8),高温下摩擦系数也仅轻微降低(550℃,0.5~0.6).由于Ti-Si-N薄膜的摩擦系数可能与磨损中氧化物生成量的增加有关,常温下Ti-Si-N薄膜的摩擦系数随硅摩尔分数的增加而增大,而高温下Ti-Si-N薄膜的摩擦系数随硅含量上升而降低. 相似文献
73.
用脉冲直流等离子体辅助化学气相沉积(PCVD)方法在高速钢基体上沉积出Ti-Si-C-N超硬薄膜.XRD,XPS及HRTEM等测试表明,薄膜由纳米晶/非晶复合结构组成(nc-Ti(C,N)/a-Si3N4/a-C-C或nc-Ti(C,N)/h-Si3N4/a-Si3N4/a-C-C).Ti(C,N)显示(200)晶面择优取向.高温氧化实验显示:随Ti含量降低和Si含量增大,Ti-Si-C-N薄膜的抗氧化温度逐步提高;当Ti含量为8.7%、Si含量为17.8%时,薄膜中出现少量晶化的密排六方结构的h-Si3N4,弥散分布在非晶基体中,薄膜抗氧化温度达到900℃.Ti-Si-C-N薄膜的氧化过程分为增重和失重两个阶段,进入失重阶段后薄膜很快失效. 相似文献
74.
大水清金矿曾用留矿法、削壁充填法开采高品位急倾斜矿体,贫化、损失率较大,且存在不安全因素。为此,试验用盘区上向分层干式充填采矿法进行回采,取得了较好的效果。本文论述了这一采矿方法的选择与设计及回采和充填工艺的主要特点。 相似文献
75.
弧焊变压器的优化设计对能源和材料的节约有着重要的意义,本文建立了寿命经济变压器的数学模型,同时考虑了成本和效率,在整个寿命周期所消耗的社会财富最少。 相似文献
76.
等离子体化学气相沉积(PCVD)硬质膜成膜理论 总被引:4,自引:0,他引:4
PCVD硬质膜是目前材料表面强化领域的研究热点。介绍了 PCVD硬质膜的成膜理论、特点 ,讨论了等离子体引入化学气相沉积过程中所带来的一些变化 ,给出了现阶段 PCVD成膜理论研究的现状、存在问题及发展趋势。 相似文献
77.
α-Ni/γ-Al_2O_3催化剂催化一氧化碳甲烷化反应的研究 总被引:3,自引:2,他引:3
在连续流动固定床装置上考察了α-Ni/γ-Al2O3催化剂制备方法和反应空速对一氧化碳甲烷化反应的影响。与其他方法制备的催化剂相比,采用研混还原法制备的催化剂活性较高,在n(CO):n(H2)=1:3、常压、593K及空速2500h-1反应条件下,研混还原法制备的w(Ni)为15%的α-Ni/γ-Al2O3催化剂催化一氧化碳合成甲烷的选择性达90%以上,一氧化碳的转化率接近100%。采用BET、XRD及TEM等技术对催化剂进行了表征。 相似文献
78.
介绍了重整氢气压缩机液压联接十字头工作原理以及油封原理及泄漏原因分析与改造结果,并对使用中应注意的问题进行了总结。 相似文献
79.
我公司选矿厂PXZ1200/800型液压旋回破碎机在2000年设备中修中发现,其横梁有长500mm、最深处达300mm的裂纹、该横梁直径4800mm,高1800mm。为节约成本,决定采用焊接的方法进行修复,本裂纹具体情况如图1所示。 相似文献
80.
针对以往所使用的集输管线电加热装置存在的实际问题,研制了YGJY系列集输管线集束式电加热装置。该装置采用了集束式电加热器件,大大延长了电加热器件的使用寿命;采用了双室结构,克服了气阻问题,使得加热效果更均匀;采用了双温双控技术,实现了节能降耗的作用。 相似文献