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991.
992.
993.
通过输送机平面转弯段的受力分析,改进了平面转弯带式输送机转变处的布置结构,经使用,输送带在运行至弯曲段时能自动进行居中调节,效果较好。 相似文献
994.
高永华 《建筑·建材·装饰》2010,11(3)
电气安装过程中,任何细小的差错都会造成质量问题,任何质量问题都会造成损失,轻者造成材料浪费、设备损坏,重者造成人身伤亡事故.施工班组是企业各项规章制度和安全措施最终的贯彻执行者,班组安全质量管理水平的高低,直接影响到企业的经济效益和社会效益. 相似文献
995.
996.
会计职业判断影响会计信息的质量.本文从会计职业判断应遵守的原则、判断程序的规范和会计人员自身素质提高等方面论述了会计职业判断的质量控制. 相似文献
997.
998.
60Si2Mn弹簧钢在正常服役过程中出现断裂,断裂后部分原件损失,根据材料力学原理,并结合断口特征,确定断裂起源位置;采用光学显微镜、扫描电镜、体视显微镜、直读光谱仪等对残留端口的显微组织、宏微观断口形貌和化学成分等进行观察和检测分析,以确定断口起源和断口特征。结果表明:由于生产过程操作不当,弹簧表面存在微裂纹,同时由于喷丸处理的工艺不恰当,造成弹簧表面形成较深的应力线,应力线发展成为沿应力线的开裂和脱落。这些微裂纹、开裂以及脱落,作为弹簧的疲劳断裂源,造成了弹簧的断裂。 相似文献
999.
By introducing 2-hydroxy-4-methoxy-benzophenone(UVA) and 1,10-phenanthroline(Phen) as the ligands, the ternary rare earth complex of Eu(UVA)3Phen is synthesized, and it is characterized by elemental analysis, mass spectra(MS) and infrared(IR) and ultraviolet(UV) spectroscopy. Results show that the Eu(III) in complex emits strong red luminescence when it is excited by UV light, and it has higher sensitized luminescent efficiency and longer lifetime. The organic-inorganic thin film of complex Eu(UVA)3Phen doped with nano-Ti O2 is prepared, and the nano-Ti O2 is used in the luminescence layer to change the luminescence property of Eu(UVA)3Phen. It is found that there is an efficient energy transfer process between ligands and metal ions. Moreover, in an indium tin oxide(ITO)/poly(N-vinylcar-bazole)(PVK)/Eu(UVA)3Phen/Al device, Eu3+ can be excited by intramolecular ligand-to-metal energy transfer process. The main peak of emission at 613 nm is attributed to 5D0→7F2 transition of the Eu3+, and this process results in the enhanced red emission. 相似文献
1000.
Uncooled InAsSb photoconductors were fabricated. The photoconductors were based on InAs0.05Sb0.95 and InAs0.09Sb0.91 thick epilayers grown on InAs substrates by melt epitaxy (ME). Ge immersion lenses were set on the photoconductors. The cutoff wavelength of InAs0.09Sb0.91 detectors is obviously extended to 11.5 mm, and that of InAs0.05Sb0.95 detectors is 8.3 mm. At room temperature, the peak detectivity of Dλp at wavelength of 6.8 mm and modulation frequency of 1 200 Hz is 1.08×109 cm.Hz1/2.W-1 for InAs0.09Sb0.91 photoconductors, the detectivity D at wavelength of 9 mm is 7.56×108 cm.Hz1/2.W-1, and that at 11 mm is 3.92×108 cm.Hz1/2.W-1. The detectivity of InAs0.09Sb0.91 detectors at the wavelengths longer than 9 mm is about one order of magnitude higher than that of InAs0.05Sb0.95 detectors, which rises from the increase of arsenic (As) composition in InAs0.09Sb0.91 materials. 相似文献