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  1970年   7篇
  1959年   8篇
  1951年   6篇
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61.
从光率体出发,利用坐标轴旋转,导出了光在晶体中传播时折射率及振动方向的公式。  相似文献   
62.
有机极化聚合物材料及电光调制器件   总被引:2,自引:0,他引:2  
彭强  黄艳  谢明贵 《材料导报》2002,16(8):53-55
有机极化聚合物材料是一类新型的功能高分子材料,在光电子及集成光学方面具有诱人的应用前景,其电光调制器件已接近实用化,本文综述了有机极化聚合物材料,极化聚合物体系及电光调制器件的研究进展,并指出它们存在的问题和发展方向。  相似文献   
63.
MEMS移相器及其在微型通信系统中的应用   总被引:3,自引:0,他引:3  
从传统移相器的构造和原理出发,进一步分析了MEMS移相器的结构、特性。结果表明,MEMS移相器具有传统移相器所无法比拟的体积小、损耗小、成本低、频带宽、易于集成等突出优点。随着高阻硅衬底在微波领域应用的扩展,MEMS移相器介质损耗大幅度降低,将能与信号处理电路一同集成于硅衬底上,便于相控阵雷达等通信系统实现微小型化。  相似文献   
64.
砂基中泥浆盾构法隧道施工开挖面稳定性试验研究   总被引:18,自引:0,他引:18  
 通过模型试验,对泥浆盾构施工中泥浆维持开挖面稳定的力学机理,开挖面前缘土体的应力变化规律,泥浆压力作用机理及泥皮形态进行了研究,提出了中粗砂地基中临界泥浆压力 公式。  相似文献   
65.
分布式光纤喇曼放大技术及其在WDM系统中的应用   总被引:5,自引:0,他引:5  
介绍了分布式光纤喇曼放大技术的原理、特点和应用 ,并从受此影响的 WDM传输系统的信噪比、噪声指数和品质因数三个方面讨论了光纤喇曼放大技术在提升光纤通信系统性能方面的重要作用。  相似文献   
66.
直接氯化法合成对硝基氯化苄   总被引:1,自引:0,他引:1  
介绍了以对硝基甲苯和氯气为原料 ,在催化剂存在下合成对硝基氯化苄的方法 ,考察了催化剂种类、反应温度、溶剂配比等因素对反应的影响 ,优化的反应条件为 :对硝基甲苯用量 1 3 7g,对硝基甲苯 /邻二氯苯 (摩尔比 ) =1∶ 0 .6,w (偶氮二异丁腈 ) =0 .6% ,反应时间 3 h,反应温度 1 60℃ ,产物单程收率大于 65 % ;将反应混合物中未反应的原料分离后 ,以无水乙醇为溶剂结晶纯化 ,物料 /溶剂 (摩尔比 ) =1∶ 1 .5时晶体含量在 99.0 %以上 ,结晶收率达 67  相似文献   
67.
论西北地区地下水的开发利用与保护   总被引:10,自引:2,他引:8  
郭占荣  刘花台  朱延华 《水利学报》2001,32(6):0037-0041
本文通过分析西北地区的水资源时空分布特点和水循环特点、地下水开发利用现状以及开发利用中出现的生态环境问题,总结了西北地区多年来水资源开发利用的成功经验和失败教训,提出今后地下水资源合理开发利用的几点建议:即提高社会对西北地区地下水的认识,适度增大地下水开采;充分发挥地下水的一态环境调节作用,水资源开发与生态环境保护并举;遵循地表水与地下水的多次相互转化规律,提高水资源总体利用率;水资源开发利用与水资源涵养相结合;加强西北地区地下水的调查与研究。  相似文献   
68.
模糊数学识别火山岩岩性   总被引:7,自引:0,他引:7  
针对火岩地层岩性识别成功率低的状况,应用模糊数学原理,建立模糊数学识别火山岩岩性模式,识别和划分火山岩地层岩性,以便进一步深入研究火山岩油气藏储层,选择8个反映火山岩岩性测井参数,确定阈值;利用所建立的火山岩岩性识别模式,对火山岩岩性进行分类;依据最大隶属原则,识别火山岩岩性,应用实地研究资料,识别10种火山岩岩性,并与岩心鉴定统计分析结果对比,一致性达85%。表明该方法识别火山岩岩性精度较高,在地质上具有很好的应用前景。  相似文献   
69.
中国石油未来油气勘探重点领域分析   总被引:5,自引:1,他引:4  
根据近几年来的研究认识与勘探成果分析,未来几年中国石油油气勘探主要集中于如下五大重点领域:大面积低渗透岩性油气藏、成熟区复杂隐蔽油气藏、前陆盆地复杂构造油气藏、海相碳酸盐岩油气藏和渤海湾滩海第三系油气藏。  相似文献   
70.
A polysilicon emitter RCA transistor (an ultra-thin interfacial oxide layer exists between polysilicon and silicon emitter) is presented which can operate at 77 K for the first time. An ultra-thin (1.5 nm) interfacial oxide layer is grown deliberately between polysilicon and silicon emitter using RCA oxidation and excellent device stability is obtained after rapid thermal annealing (RTA) treatment in nitrogen atmosphere. The RCA transistor exhibits good electrical performance at very low temperature for an emitter area of 3 × 8 μm2. The maximum toggle frequency of a 1:2 static divider is 1.2 GHz and 732 MHz at 300 K and 77 K, respectively  相似文献   
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