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102.
103.
采用透射电子显微镜对不同压下量和再结晶初期的IF钢样品进行了研究.结果表明:无论是在较小形变量下还是在较大形变量下,形变不均匀性是普遍存在的;冷变形程度不同,织构组分不同,TEM形貌也不同;在再结晶的最初期,冷轧的形变组织演变为近乎等轴的亚晶,优先形成{111}〈uvw〉取向的晶核,晶核逐渐吞并周围的形变基体而长大,最终形成再结晶γ-纤维织构. 相似文献
104.
105.
介绍了一种带USB接口的光的155Mb/s码型发生器。伪随机码和其他格式的码型由PC产生通过USB接口进入双口RAM,再经串并变换后由光发射模块发射。该系统可方便地设定各种格式的码型,并同时具备光接口和电接口,可广泛应用于光通信各种实验中,具有重要的实用价值。 相似文献
106.
107.
108.
符金开 《湖南冶金职业技术学院学报》2004,(1)
为了降低气体悬浮焙烧炉焙烧过程中Al_2O_3粒度的破损,对气体悬浮焙烧炉焙烧过程中氧化铝粒度的影响因素进行了分析,提出了降低粒度破损的一些措施。 相似文献
109.
110.
CHENG Xiang 《半导体光子学与技术》2004,(4)
Amorphous carbon (a-C) films and amorphous carbon films incorporating with the nitrogen (a-C∶N) were deposited on silicon substrates in a radio-frequency driven plasma enhanced chemical vapour deposition system, while the surface electrical properties of films were investigated by electrochemical capacitance-voltage measurements. It was examined the effect of the interface defects on the properties and deduced that the conducting type of a-C∶N films was n-type. Subsequently, a comparative studies of a-C and a-C∶N films were performed by photoluminescence spectra depending on the temperature. With the decrease of the temperature, the main band with peak energy of 2.48 eV in the a-C∶N films was more intense compared with the other three bands caused by amorphous C in the a-C films. 相似文献