首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   1616072篇
  免费   28433篇
  国内免费   7061篇
电工技术   34983篇
综合类   6520篇
化学工业   276095篇
金属工艺   66073篇
机械仪表   46223篇
建筑科学   48627篇
矿业工程   11737篇
能源动力   50618篇
轻工业   126579篇
水利工程   16340篇
石油天然气   38121篇
武器工业   153篇
无线电   200076篇
一般工业技术   301626篇
冶金工业   218627篇
原子能技术   34473篇
自动化技术   174695篇
  2021年   15714篇
  2020年   12123篇
  2019年   14860篇
  2018年   18453篇
  2017年   17858篇
  2016年   22918篇
  2015年   17857篇
  2014年   29060篇
  2013年   88763篇
  2012年   38544篇
  2011年   53237篇
  2010年   45499篇
  2009年   53114篇
  2008年   49013篇
  2007年   46716篇
  2006年   47079篇
  2005年   42567篇
  2004年   43972篇
  2003年   43619篇
  2002年   42343篇
  2001年   39563篇
  2000年   37560篇
  1999年   37581篇
  1998年   61921篇
  1997年   49757篇
  1996年   42168篇
  1995年   34746篇
  1994年   31926篇
  1993年   31931篇
  1992年   27199篇
  1991年   24454篇
  1990年   24654篇
  1989年   23798篇
  1988年   22342篇
  1987年   20460篇
  1986年   19834篇
  1985年   23155篇
  1984年   22855篇
  1983年   20814篇
  1982年   19696篇
  1981年   19898篇
  1980年   18527篇
  1979年   18848篇
  1978年   18156篇
  1977年   18849篇
  1976年   21364篇
  1975年   16305篇
  1974年   15688篇
  1973年   15834篇
  1972年   13303篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 46 毫秒
21.
Refractories and Industrial Ceramics - The paper introduces a promising technology for utilizing a traditional scheme for implementing a flow-through micro-arc oxidation method to restore localized...  相似文献   
22.
Theoretical Foundations of Chemical Engineering - On the basis of the classic concepts of the theory of solid-phase combustion, for the first time, a model with a detailed scheme of chemical...  相似文献   
23.
24.
Multimedia Tools and Applications - Recently, many concepts in technology has been changed. According to the digital transformation trends, Internet of Things (IoT) represents an interested...  相似文献   
25.
In this study, dilute chemical bath deposition technique has been used to deposit CdZnS thin films on soda-lime glass substrates. The structural, morphological, optoelectronic properties of as-grown films have been investigated as a function of different Zn2+ precursor concentrations. The X-ray diffractogram of CdS thin-film reveals a peak corresponding to (002) plane with wurtzite structure, and the peak shift has been observed with the increase of the Zn2+ concentration upon formation of CdZnS thin film. From morphological studies, it has been revealed that the diluted chemical bath deposition technique provides homogeneous distribution of film on the substrate even at a lower concentration of Zn2+. Optical characterization has shown that the transparency of the film is influenced by Zn2+ concentration and when the Zn2+ concentration is varied from 0 M to 0.0256 M, bandgap values of resulting films range from 2.42 eV to 3.90 eV while. Furthermore, electrical properties have shown that with increasing zinc concentration the resistivity of the film increases. Finally, numerical simulation validates and suggests that CdZnS buffer layer with composition of 0.0032 M Zn2+ concentration would be a promising candidate in CIGS solar cell.  相似文献   
26.
Combustion, Explosion, and Shock Waves - Results of a numerical study of mixing, ignition, and combustion of a cold hydrogen jet propagating along the lower wall of a channel parallel to a...  相似文献   
27.
Multimedia Tools and Applications - In this work, a new fuzzy logic-based algorithm is proposed for the enhancement of low light color images. A generalization of a fuzzy set known as an...  相似文献   
28.
Multimedia Tools and Applications - The three-dimensional models of brain tumors serve as diagnostic assistance for physicians, surgeons, and radiologists. The proposed system establishes an...  相似文献   
29.
Forschung im Ingenieurwesen - Das Arbeitsmittel in Wärmepumpen unterliegt einer Vielzahl von Anforderungen, welche für einen effizienten und sicheren Betrieb eingehalten werden...  相似文献   
30.

We discuss the temperature dependence of a common low temperature local thermometer, a tunnel junction between a superconductor and a normal metal (NIS junction). Towards the lowest temperatures its characteristics tend to saturate, which is usually attributed to selfheating effects. In this technical note, we reanalyze this saturation and show that the temperature independent subgap current of the junction alone explains in some cases the low temperature behavior quantitatively.

  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号