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本文描述了在VLSI研制中通过氮注入形成氮化硅层。在形成各种氮化物层的过程中,注入分子氮能量范围为5到60keV,随后在1000℃的氮中退火。描述在炉中退火前后所形成的氮化物层特性,在不同的IR、SIMS和椭圆对称测量情况中找出局部氧化掩模的有效注入条件。相对于整个注入能量范围,注入氮的最初IR峰值为815cm~(-1)。对于退火后的高能量注入来说该位置会漂移到一个较高的波长数,低能量注入峰值接近于830cm~(-1),上述均与LPCVD为氧化物峰值相比而言。此研究结果认为,低能氧化物的化学成分几乎是可用定量计算的。退火过程中浓度分布向着表面漂移,并将增高峰值区氧的浓度。从氮化物分布剖面看最大值是在表面,而在<10keV时消失。在1000℃的蒸汽中生长5300(?)氧化层进行测试这些氮化物掩模特性。剂量为5×10~(16)N_2~+/cm~(-2)离子的氮化物在注入能量低于40keV会形成有效的氧化掩模。在此实验条件下,在10keV下所形成的氮化层可认为是一个有效的氧化掩模,足以适应选择性地腐蚀SiO_2,减小“鸟嘴”尺寸为常规LOCOS的四分之一。 相似文献
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本文采用问答的形式,介绍了香港电讯业开放市场,引入竞争的过程,在对电讯市场实行自由化政策进行了评论,并提出向外扩展,引入新的竞争者和加强与内地合作等建议。 相似文献
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1975年8月,一场特大暴雨袭击了中国河南省洪汝河流域,导致流域内两座水库大坝漫顶冲毁,整个流域经受了一场严重的洪水灾害,由于大坝冲毁,改变了流域的水文特性,所以要用多种方法研究洪以量的重现期,年极序列法(AMS)局部历时离列法(PDS)和地区综合分析法,三种不同的分析方法对1975年水文事件的洪充量给出不同的重要现期,这就发生一个以概率为基础的方法是否适用于特大水文事件计算的疑问,本次分析计算, 相似文献
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