高职《机械制造技术》课程体系改革探讨

本文回顾了高职《机械制造技术》课程体系的演变过程,分析了现有教材的优点和缺陷,提出本课程体系改革的基本指导思想,构建了理论与实践教学体系的具体框架.     

南冲高架桥某基桩的检测与处理

详细论述了南冲高架桥 6-2桩的检测过程 ,说明了岩溶地质对桩基质量的影响 ,并对此影响和预防措施进行了论述     

卫星编队飞行中的队形设计研究

目前关于卫星编队飞行的研究有显著的增加。多颗从属卫星(从星)在近距离内与主卫星(主星)组成特定的队形以完成相应的任务,是卫星编队飞行的特点及潜在优势。卫星在编队飞行时,其队形定义为以各颗卫星质心为顶点所构成的几何形状,而队形设计则是根据队形的几何形状求出各卫星的轨道根数(其中主星的轨道根数可以根据任务的要求事先确定)。基于相对轨道根数法,根据卫星相对运动方程,提出了“自然队形”的概念及队形设计的一般方法,并给出了具体的例子。     

蒸发式冷凝在制冷工艺上的应用

分析对比制冷工艺中几种冷凝方式，指出发展蒸发式冷凝技术对制冷系统节能的重要意义；通过分析蒸发式冷凝的换热机理，在试验和实践的基础上讨论了影响蒸发式冷凝器性能的几个重要因素。     

SiGe HBT基区结构的优化对欧拉电压的影响

欧拉电压是SiGe HBT一项重要的直流参数,受到基区结构(如Ge组分)的影响。研究发现,高温过程会导致硼的外扩散,从而影响异质结的位置,使欧拉电压受到影响。实验发现,通过优化基区结构,加厚CB结处i-SiGe厚度,可获得VA=520 V,βVA=164,320 V的SiGe HBT。     

驱动AM-OLED的2-a-Si:H TFT的设计与制作

a-Si：H／SiNx：H TFT在长时间栅偏应力作用下，会产生阈值电压漂移，这主要是由绝缘层电荷注入和有源层亚稳态产生而引起的。针对电荷注入现象，文章首先通过控制源气体SiH4和NH3流量的不同，利用PECVD制作了不同N／Si比（0．87～1．68）的氮化硅绝缘材料，对其进行了椭偏、红外和光电子散射能谱（EDS）测试。制作了不同的MIS结构电容，对其进行老化实验和C-V测试分析，结果表明稍富氮（N／Si比稍大于标准Si3N4的化学计量比1．33）的氮化硅做成的M1S样品在老化前后C-V曲线偏移不是很明显，表明其缺陷态密度相对较小，能够有效减小半导体／绝缘层界面间的电荷注入。设计了驱动OLED的2-a-Si：H TFT像素电路及其阵列版图，优化了电路中的几个关键参数，即T1的W／L=2．5、T2的W／L=25和存储电容Cs=0．8pF。运用7PEP生产工艺，制作了13cm（5．2in）的TFT阵列样品。对TFT进行I-V特性测试，其开态电流为10μA，开关比为10^6；对AMOLED显示屏样品进行了静态驱动下的亮度测试，其最高亮度为341cd／m^2。     

控制系统的非线性分析及设计

利用控制系统的计算机辅助设计(CACSD)的Matlab软件包，采用非线性分析设计法，对某雷达控制系统进行了分析与设计，实测性能良好，并在工程中得到应用。     

基于移动端多天线系统的无线衰落信道模型

根据当前无线移动通信对多天线移动接收端性能仿真的要求，讨论并建立了适于空时信号处理的移动端矢量信道模型。通过分析无线移动信道特点。研究了影响接收信号幅度相位的诸多因素，建立了相应的数学模型。并对随机参数选取进行了探讨。其中考虑到移动端接收信号到达角扩散的特点，采用GBSB椭圆模型产生了适于移动端接收信号仿真的随机角度，改进了一种瑞利衰落生成算法。最后信道的数值仿真结果符合理论和经验。同时，通过TD-SCDMA系统链路级仿真，也证明了该信道模型的有效性。     

NiCuZn铁氧体和银内电极的共烧行为

NiCuZn铁氧体正作为磁介质广泛地应用于低烧多层片式电感，因此有必要对其与银内电极的共烧行为进行研究。该文主要介绍NiCuZn铁氧体／银内电极多层复合体共烧过程中的烧结收缩、界面反应、扩散对介质性能的影响。尖晶石结构中存在相当数量的空位，这为银离子提供了一定的溶解度，因此在共烧过程中银对铁氧体的相组成影响较小。银对铁氧体性能的影响体现在两个方面。一方面是由于银具有相对低的烧结温度，从而在烧结过程中起到助烧剂的作用，促进致密化过程，提高烧结体的密度和磁导率；另一方面，银促使铁氧体中的铜在晶界处析出，导致晶界处应力，使磁导率降低，晶粒生长也被一定程度地抑制。     

包装机中塑料薄膜常热式热封参数的实验研究

文中通过对包装机中常热式热封过程的分析及有效的实验，获得较为可靠的热封实验数据，并利用专业统计软件spss对实验数据进行处理，得到包装机中塑料薄膜的封口强度与操作参数之间的关系，为设计人员提供了一种获得最优操作参数的有效方法。