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Low temperature wafer direct bonding 总被引:11,自引:0,他引:11
Qin-Yi Tong Cha G. Gafiteanu R. Gosele U. 《Journal of microelectromechanical systems》1994,3(1):29-35
A pronounced increase of interface energy of room temperature bonded hydrophilic Si/Si, Si/SiO2, and SiO2/SiO 2 wafers after storage in air at room temperature, 150°C for 10-400 h has been observed. The increased number of OH groups due to a reaction between water and the strained oxide and/or silicon at the interface at temperatures below 110°C and the formation of stronger siloxane bonds above 110°C appear to be the main mechanisms responsible for the increase in the interface energy. After prolonged storage, interface bubbles are detectable by an infrared camera at the Si/Si bonding seam. Desorbed hydrocarbons as well as hydrogen generated by a reaction of water with silicon appear to be the major contents in the bubbles. Design guidelines for low temperature wafer direct bonding technology are proposed 相似文献
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晋北吕梁群石榴石的特征及指示意义 总被引:5,自引:0,他引:5
石榴石是山西岚县袁家村一带-娄烦县出露的吕梁群地层中主要的特征变质矿物,其次为黑云母、十字石等,对这些特征变质矿物进行电子探针的成分分析及其相关计算,并利用不同采样点的矿物对估算该点变质温度和压力,最后得到石榴石的成分变化与变质程度之间的关系,进而阐明了石榴石中成分变化对变质温度与压力的指示意义。 相似文献
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采用溶胶凝胶方法成功地制备了掺杂稀土铽离子的 Zn O和 Mg0 .1 5Zn0 .85薄膜。通过对 X射线衍射结果的分析表明 ,稀土离子替代了 Zn2 +的格位 ,进入了半导体基质的晶格中。从阴极射线发光结果可以发现 ,在Mg0 .1 5Zn0 .85O基质中 ,可以观察到来源于稀土铽离子各能级的发射 ,而 Zn O:Tb的薄膜只能观察到较强的铽离子 5D4 — 7F5能级的跃迁。这可能是由于 Mg0 .1 5Zn0 .85O基质的能隙 (3 .65 e V)比 Zn O更宽 (3 .3 e V) ,其对铽离子的能量传递更有效的缘故。 相似文献
27.
高质量ZnO薄膜的退火性质研究 总被引:3,自引:0,他引:3
在LP-MOCVD中,我们利用Zn(C2H5)2作Zn源,CO2作氧源,在(0002)蓝宝石衬底上成功制备出皮c轴取向高度一致的ZnO薄膜,并对其进行500℃-800℃四个不同温度的退火。利用XRD、吸收谱、光致发光谱和AFM等手段研究了退火对ZnO晶体质量和光学性质的影响。退火后,(0002)ZnO的XRD衍射峰强度显著增强,c轴晶格常数变小,同时(0002)ZnOX射红衍射峰半高宽不断减小表明晶粒逐渐增大,这与AFM观察结果较一致。由透射谱拟合得到的光学带隙退火后变小,PL谱的带边发射则加强,并出现红移,蓝带发光被有效抑制,表明ZnO薄膜的质量得到提高。 相似文献
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基于体全息技术的WDM器件 总被引:2,自引:0,他引:2
利用体全息技术制作波分复用器件是一种新方法。本文介绍了此种方法的基本原理和器件的基本性能,并报道了国外对该项技术的研究进展。 相似文献
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头盔显示器的关键技术及有关设计问题综述 总被引:6,自引:1,他引:5
头盔显示器可以提高驾驶员的态势感知能力,红外传感器提供的信息,使驾驶员的态势感知能力大大加强,头盔显示器提供的红外图像,使恶劣的天气和黑夜不再成为驾驶员作战的障碍,概述了头盔显示器的发展过程和关键技术,介绍了当前空军用头盔显示器的技术问题,解决方法,设计示例。 相似文献
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