宽带交换网中的光功率共享

第一代单模光纤传输系统设计用于长途大容量通信,其中继距离在40公里以上。此项技术如用于交换网,其局间和环路距离一般比可实现的最大中继距离短得多,因而有多余的光功率可以利用。本文讨论的激光共享方案用以减少系统的价格同时改善可靠性。 用于环路时,采用波分复用、外调制及偏振控制,可免去用户端设置的专用光源。 用于共用天线电视系统时,可用多路电视的调频复合信号来调制激光器电流,再发送至备有无源光分离器级联的许多用户。 本文提出的光功率共享方案在很大程度上类似直流环路动力装置。光功率的共享将使用户享用单模光纤具有的价廉和可靠的宽带服务。     

硅片步进机光学系统

菲利浦实验室设计用于直接在硅片上制作集成电路光掩模图形的分步重复投影曝光装置—Silicon Repeater,曾在早期发行的本刊中有过简结的叙述。经过对初始样机的不断改进,目前此技术已日趋成熟,能以更高的分辨率对硅片进行高速曝光。本文阐述了Silicon Repeater 最佳的技术规格——主要由物理极限来确定的可见光光学系統的先进设计。     

STUDY OF INTERACTION BETWEEN VORTICES AND A FREE SURFACE* PART I:INVISCID FLOW

Vortex method is developed to study the interaction between free surface and vortex systems. The. vortex systems, considered here, include vortex pairs, an infinite vortex sheet, and a trailing-edge vortex sheet. The computational results reproduces qualitatively the deformation of free surface under the action of vortices, which is observed in experiments.     

克希霍夫偏移算子的选频设计

积分偏移方法是通过输入地震道偏移孔径内的求和来求取单点输出的,偏移孔径的大小受尼奎斯特空间准则的限制.因此,一般在频率很高时,不作陡倾角的成象,以免产生严重的偏移假象(偏移算子假频),这对时间域克希霍夫偏移来说是一个致命缺陷,解决这个问题的标准方法是偏移前作空间道内插来缩小道间隔,从而增加陡倾角时可用于偏移但又不产生假频的频率成分。解决算子假频问题的另一方法是改变克希霍夫偏移算子的频率响应。这个算子在偏移孔径内是可选频的:即在孔径的最内端(指浅层倾角),它允许输入地震道的所有时间频率通过,当趋向于孔径的外端时,它就逐渐地截除高频成分.因此对浅层倾角作偏移成象起作用的是输入数据的所有频率成分,而陡倾角成象时起作用的只是输入数据中允许通过的低频成分。本文通过一个选频克希霍夫偏移算子应用在合成数据集(包括大于垂直角的倾角)中的简单认识为例,具体地说明了这种方法。     

利用AVO建立岩石物性图象

地震岩性学是根据地震资料和其它资料分析确定岩性、孔隙度和孔隙流体成分等岩石性质的过程。这里强调其它资料是因为地震方法受到真空中无法实现的限制,但地震资料与其它资料联合应用,再加上以地质上合理的假设为约束条件,则可以取得非常可靠的结果。这里把“岩石物性成象”定义为一种地震岩性学方法,它不是要求取绝对的岩性参数,而是建立地层岩性变化的图象。例如,对于直接油气显示来说,不必要确定绝对的岩石性质,只需了解与背景非产层特性的差异。理想情况下,地震资料应该能唯一地确定 P 波和 S 波的速度、衰减、各向异性以及地层密度在空间座标(x·y·z)上的变化,由这七个参数就能反映出岩石性质(很象测井中的容量分     

砷化镓材料中EPR“As_(Ga)”的退火行为

本文比较了中子辐照。压缩变形和原生LEC砷化镓等三种不同来源样品的EPR“As_(Ga)”的Hamiltonian参数。并系统地研究了EPR“As_(Ga)”的浓度和低温光猝灭行为随退火温度的变化,从而进一步验证了EPR“As_(Ga)”的本性,即除孤立As_(Ga)反位原子外,还可能包括As_(Ga)的一些空位络合物。这些不同本性的EPR“As_(Ga)”缺陷及其它有关的缺陷在样品热处理过程中可能相互转化。按照物理化学中Le Chatlier原理,缺陷的原始浓度和晶体内部应变能似应是引起这些转化反应的重要因素。     

液晶光閥的进展

采用CdS光传感器的第一代液晶光阀(LCLV)构成了高分辨率大屏幕投影显示和光学数据处理应用的基础。一种新的第二代液晶光阀将采用Si集成电路技术以增强其性能以用于飞行员训练模拟、可见光到红外光的波长转换以及连续的电子数据的高速处理。     

A reconstruction algorithm from truncated projections

A new tomographic reconstruction method is proposed which permits the reconstruction of a region of interest within a slice from partially truncated scanning data. This method utilizes two types of source data, namely a series of truncated projections and the outline of the object's cross section. The principle of this algorithm is to estimate the outside area of truncation in one projection from the projection data of the other viewing angles and the outline data of the object. The above estimation is accomplished by following two repeated procedures: 1) the modification of the calculated projection data compared each time with the already measured projection data of the truncated area, and 2) the modification of the reconstructed image compared also each time with the shape of the object. Computer simulation shows the convergence of the results obtained by this algorithm thus verifying its validity, and a reconstructed image after iterative processes exhibits good quality.     

n~+—GaAs—非掺杂Ga_(0.6)Al_(0.4)As—n—GaAs电容的电测量

在80～350K的温度范围内,已测得n~+-GaAs-非掺杂Ga_(0.6)Al_(0.4)As-n-GaAs电容的电流随电压变化曲线(I-V特性)和电容随电压变化曲线(C-V特性)。在低温下此结构的特性类似于一只半导体-绝缘体-半导体二极管,此二极管的底部界面势垒高度和顶部界面势垒高度分别为0.38eV和0.40eV。由于衬底耗尽层的形成,I-V曲线出现整流特性。C-V曲线说明了反偏情况下形成耗尽层、正偏情况下形成积累层,积累层中的电子浓度大于10~(12)/cm~2。此C-V曲线与SIS结构的标准理论相符,假设了积累层中的电子服从费米-狄拉克统计,其中未计入0.16V的电压偏差。