含噻唑环生色团合成与一阶超极化率的测定

合成了含噻唑的偶氮类二阶非线性光学生色团,用差示扫描量热法测量了生色团的分解温度,并用溶剂显色法得到生色团的静态一阶超级化率β0及一阶超级化率在不同波长下的色散曲线。     

利用SAW技术实现极低功耗无线数字通信

压电基片上的叉指换能器在外接不同阻抗负载时对声表面波会有不同的反射强度。利用此特性,通过控制外电路负载的变化就可实现数字信号 的无线传输,发射端无需用于发射信号的能量,所以系统只需要用于控制的能量,耗能可以极小,文中分析了系统的结构与原理、特性参数的估算及其优点。     

用HREELS和UPS研究多孔硅的电子结构

使用高分辨电子能量损失谱(HREELS)和紫外光电子能谱(UPS)研究了新腐蚀的多孔硅(PS)样品的电子结构。实验结果表明,从HREELS谱中能量损失阚值测得的PS的能隙移到2．9eV,与文献报道的光激发谱(PLE)结果相近。UPS结果表明PS的费米能级到价带顶的距离不同于单晶Si。结合HREELS和UPS结果可以初步得出PS与Si界面的能带排列。     

有机半导体电注入激光器

有机半导体激光器实现了从光泵浦到电泵浦。回顾了有机半导体激光器从光泵浦到电流入的发展过程。概述了有机半导体材料产生激光的特性,介绍了贝尔实验室第一个有机固态电注入型激光器的工作原理,提出了在器件结构上的一些新设想。     

基于TMS320C54x DSKplus的实时TCM语音编解码算法的实现

描述了基于TMS320C54x数字信号处理器的TCM语音压缩编码系统。该系统是在TMS320C54xDSP入门套件（DSK,DSP Starter Kit）板上实现,充分发挥了芯片的专用硬件逻辑、专业化的指令以及板上TLC320AC01模拟接口语音处理系统。有效而快速地完成了TCM语音压缩系统的模拟,并给出相应的实验结果。     

铝硅合金膜在MEMS电容式开关中的应用

对几种可用于MEMS电容式开关中的弹性薄膜材料进行了分析,含硅4%的轻质量铝合金具有较佳的性能。应用该弹性膜制备了微波MEMS电容式开关,实验结果表明,开关具有较低的激励电压,约为28V,在10GHz处的隔离度大于15dB。     

新型GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器暗电流特性

对基于 Ga As/ Al Ga As系子带间吸收的一种新型量子阱红外探测器 ,采用 Poisson方程和 Schrodinger方程 ,计算了新器件结构的能带结构、电子分布特性 ,在此基础上采用热离子发射、热辅助遂穿模型对器件的暗电流特性进行了模拟 ,计算结果与器件实测的暗电流特性吻合得很好 ,说明热离子发射、热辅助遂穿机制是形成器件暗电流的主要构成机制 ,增加垒高、降低阱中掺杂浓度及降低工作温度是抑制器件暗电流的主要途径 ,计算结果对进一步优化器件的设计将起到重要的理论指导作用 .     

ZnAl_2O_4/α-Al_2O_3衬底上GaN的生长

研究了直接在 Zn Al2 O4/α-Al2 O3 衬底上用 MOCVD法一步生长 Ga N薄膜 .利用脉冲激光淀积法在α-Al2 O3衬底上淀积了高质量 Zn O薄膜 ,对 Zn O/α-Al2 O3 样品在 110 0℃退火得到了具有 Zn Al2 O4覆盖层的 α-Al2 O3 衬底 ,并在此复合衬底上利用光加热低压 MOCVD法直接生长了纤锌矿结构 Ga N. X射线衍射谱表明反应得到的Zn Al2 O4层为 ( 111)取向 .扫描电子显微镜照片显示随退火时间从小于 3 0 min增加到 2 0 h,Zn Al2 O4表面由均匀的岛状结构衍变为突起的线状结构 ,相应的 Ga N X射线衍射谱表明 Ga N由 c轴单晶变为多晶 ,单晶 Ga N的摇摆曲线半高宽     

InP材料直接键合技术

研究了 In P/In P的直接键合技术 ,给出了详细的 In P/In P键合样品的电特性随健合工艺条件变化的数据 ,在低于 6 5 0℃的键合温度下实现了 In P/In P大面积的均匀直接键合 ,获得了与单晶 In P衬底相同的电特性和机械强度 .在器件的键合实验中也获得了成功 ,在 In Ga As P/In P多量子阱激光器结构的外延面上键合 p- In P衬底后制作的激光器激射特性良好 .     

中心对称材料中二次谐波产生的影响因素

介绍中心对称材料二次谐波产生(SHG)的基本原理,通过数值模拟计算,分析研究影响中心对称材料SHG的因素.其中,光子晶体带隙(PBG)的影响最为关键,它决定了SH能否产生;激励波入射角与组成结构的耦合介质柱和填充因子对SHG强度大小也有较大影响,按文中结构,耦合介质柱有2排已足够,最佳入射角为20°～30°,填充因子为0.6.