日本南海海槽开阔大洋至海沟的浊流:塌陷流和反射流

<正> 1 前言浊流的折射和反射已被引用来解释现代和古代深海海盆中沉积物(Van Andel 等,1969);这些浊流已在水槽实验中进行模拟(Pantin 等,1987;等),提出了浊流向上坡流动的机理,沉积在西赤道大西洋西阿拉海隆(Damth 等,1979),地中海海岭的北侧(Cita 等,1984),巴巴多斯加增生柱前缘附近的蒂布龙海隆(Dolan 等,1989),中美洲海沟的外坡     

电力电子系统应用的时间域网络解析器的精确度和速度

本文通过比较5个商业软件包的精确度和执行时间，研究了具有固定时间和变换时间的网络仿真方法的性能差异。包含了多个三相二极管整流器和一个PWM电压源逆变器的一系列基准实例显示：对于线性电路来说，固定时间步长法的仿真时间更短一些；然而，为了得到精确的结果，即使对于低开关频率的PWM应用都可能需要非常小的时间步长。否则，如果使用的时间步长过大，即使波形看起来是正确的，PWM逆变器控制信号也可能有严重的错误。     

一种新的亚微米制造技术

已经研制成功一种制作亚微米线宽和器件的新技术。此技术不需要电子束或其它外加的刻蚀技术,而只用常规光刻法和一次边缘选择镀工序。在此工序中,把金属镀到已刻图案的金属层的边缘上。然后,此已镀边缘作为下步等离子腐蚀的掩模,以腐蚀其下层的导体或介质。此技术作出的线宽小至0.04微米,并能用来制造多种微波器件。特别是已用它来制作栅长为0.1微米的镀金铬栅 GaAsMESFET。此法所得 GaAsMESFET 的性能,比得上用比较复杂和花费大的制作栅图案技术制造出来的器件。譬如,在离子注入的 GaAs 上制作的5微米源-漏间距,0.3微米栅长和250微米栅宽的 MESFET,12千兆赫下最大可用增益超过10分贝。     

煤的制备和净化

本文综述了煤炭洗选和脱硫技术的现状和新技术开发情况,叙述了许多已工业化应用的和正在研究开发中的净化方法,内容很丰富。由于文章很长,篇幅过大,本刊将陆续分期刊出,并略去了正文中有关参考文献的作者姓名及年代。本期先刊出文章的引言、化学洗煤法的开发及细菌脱硫的研究三部分。     

Non-Steady Equilibrium during Pro-Eutectoid Ferrite Formation in Fe-0.2C Alloy

Ｔｈｅｐｒｅｃｉｐｉｔａｔｉｏｎｏｆｐｒｏ ｅｕｔｅｃｔｏｉｄｆｅｒｒｉｔｅｆｒｏｍａｕｓｔｅｎｉｔｅｉｓｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄｂｙｄｉｆｆｕｓｉｏｎｉｎＦｅ Ｃａｌｌｏｙｓ .Ｗｉｔｈｔｈｅａｓｓｕｍｐｔｉｏｎｔｈａｔｔｈｅｍｉｇｒａｔｉｎｇｉｎｔｅｒｆａｃｅｉｓａｌｗａｙｓｉｎｌｏｃａｌｅｑｕｉｌｉｂｒｉｕｍ ,ｅａｒｌｙｉｎ 194 9,ＺｅｎｅｒＣ[1] ｅｘｐｌａｉｎｅｄｔｈｅｄｉｆｆｕｓｉｏｎａｌｇｒｏｗｔｈｏｆｐｒｏ ｅｕｔｅｃ ｔｏｉｄｆｅｒｒｉｔｅｂｙｕｓｉｎｇｔｈｅＦｉｃｋ’ｓｌａｗ .Ｓｉｎｃｅ…     

钌在电子工业中的应用潜力

试验数据表明,电镀钌的接触电阻和耐磨性并不好,因此,电镀钌不能满意地代替常用的电镀硬金。幸而钌上面的镀金层可显著改善其耐磨性,且能提供良好的接触电阻行为。