Correlations between the Optical Properties and the Microstructure of TiO_2 Thin Films Prepared by Reactive Electron-beam Evaporation

1　IntroductionInrecentyears ,theoreticalandexperimentalinvesti gationsonthetitaniumoxidefilmsareconductedonac countoftheirremarkableproperties .Titaniumdioxidefilmshaveattractedconsiderableattentiontoapplytomi croelectronicdevices ,opticalthin filmdevice…     

Effect of Ion Dose on Growth of Relaxed SiGe Layer on Ion Implantation Si Substrate

Thin strain-relaxed Si0.8Ge0.2 films (57.6 nm) on the 30 keV Ar ion implantation Si substrates for different dose (1 × 1014, 5 × 1014, 3 × 1015 cm-2) were grown by ultra high vacuum chemical vapor deposition (UHVCVD) system.Rutherford backscattering/ion channeling (RBS/C), high resolution X-ray diffraction (HRXRD), Raman spectra as well as atomic force microscopy (AFM) were used to characterize these SiGe films. Investigations by RBS/C as well as HRXRD demonstrate that these thin Sio.8Geo.2 films could indeed epitaxially grow on the Ar ion implantation Si substrates. Under low dose ( 1 × 1014 cm-2) and medium dose (5 × 1014 cm-2) implantation conditions, the relaxation extents of SiGe films are 60.6% and 63.6%, respectively. However, high dose implantation (3 × 1015 cm-2) prompt the strain in epitaxial SiGe film to be close to full relaxation status (relaxation extent of 96.6% ). On the other hand, determinations of RBS/C also indicate the crystalline quality of SiGe film grown on high dose implantation Si substrate is nearly identical to that grown on low dose (1 × 1014 cm-2) implantation Si substrate.     

成型阴极脉冲电化学光整加工在轧辊上的应用

采用成型阴极对冷轧丝杠轧辊进行脉冲电化学光整加工.文章介绍了该方法的基本原理,给出了实验装置,在一定的工艺条件下,对轧辊进行了脉冲电化学光整加工.结果表明,该方法能将轧辊表面粗糙度从0.3μm减小至0.06μm.     

脑显像剂IMP的放射性碘标记及动物实验

文章报道了对本校合成的RS-N-Isopropyl-P-Iodoamphetamine进行~(125)I标记和动物实验的初步结果。我们采用水热法进行同位素交换反应,在Cu(II)和过量还原剂存在的条件下,可以方便地获得高标记率的~(125)I-IMP。经萃取纯化后,放化纯度>98%;游离~(125)I<1%。测定了在大鼠体内静脉注射~(125)I-IMP的分布,结果表明,~(125)I-IMP具有脑摄取率高、脑与血的比值大、在脑贮留时间长等优点,是一种有用的新型脑显象剂。     

DTS中基于用户自定义的自动装置模拟

在调度员培训仿真器（DTS）中传统的自动装置仿真方法是对不同类型的装置分别建模，其缺点是适应性差、扩展性不强。针对这些问题，对自动装置的动作原理进行分析，建立了1个基于用户自定义的自动装置仿真模型。该模型将自动装置抽象为启动元件、信息综合分析单元及联动元件三部分，实现对不同自动装置的统一处理。其信息综合分析单元采用带自定义符号元素和语法规则的逻辑表达式实现，用特定的表达式解析器进行解析，完成对启动信号的综合分析与判断。在天津DTS的实际应用表明，该模型具有较好的通用性、灵活性和可扩展性。     

混凝剂对污泥膨胀影响的实验研究

利用一体式膜生物实验反应器,通过静态和动态实验,并结合考察化学需氧量(COD)和氨氮(NH4+-N)等参数,先后研究了在不同pH值条件下,硫酸铝、氯化铁和改性淀粉混凝剂及助凝剂PAM等物质对污泥膨胀的控制效果.结果表明,在静态条件下,氯化铁对污泥膨胀的控制效果最好,氯化铁的质量浓度达到120 mg.L-1之后,活性污泥的沉降比SV(Settling Velocity)可以稳定在91%左右。动态实验表明,投加混合药剂使出水中NH4+-N的质量浓度可由平均11.09 mg.L-1下降至1.77 mg.L-1,出水中COD由平均18.14 mg.L-1下降至14.4 mg.L-1.研究表明,通过添加混凝剂可以控制污泥膨胀的发生,并可以提高污水处理效率.     

低活化马氏体钢热变形行为及机理型本构建模研究

利用Gleeble-3500热模拟试验机研究了低活化马氏体钢在变形温度为850～950 ℃、应变速率为0.001～1 s^-1条件下的热变形行为。建立了流变应力本构方程,并评估了该方程的预测能力。绘制了低活化马氏体钢在不同应变下的热加工图。结果表明：在较高的应变速率条件下,该材料主要发生动态回复,在较高变形温度和较低应变速率下具有明显的动态再结晶特征;本构方程的预测结果与实验结果符合良好;变形温度870～930 ℃、应变速率0.001～0.01 s^-1和变形温度920～950 ℃、应变速率0.3～1 s^-1分别是真应变为0.4和0.6下最优的热加工区域。     

压水堆核电厂堆外源量程探测器计数率分析

压水堆核电厂启动过程中,次级中子源为堆外源量程探测器提供本底计数率,避免测量盲区,确保反应堆安全启动。但次级中子源的引入会为核电厂带来较大的经济和环境负担,同时也需承受次级中子源破损等带来的风险。为此,可使用受辐照燃料组件的自发裂变中子源进行替代,即无源启动方式。通过研究堆外源量程探测器计数率的理论计算方法,并基于运行电厂测量数据进行分析验证,为源量程探测器计数率的理论预估提供了较为完善的理论方法流程。本文结果可为无源启动源量程探测器计数率分析提供支持,同时也可用于次级中子源装载量或布置位置的优化分析等。     

基于蒙特卡罗方法的复合材料辐射屏蔽设计北大核心CSCD

在乏燃料后处理厂的工作环境中可能存在着低能中子-γ射线混合辐射,严重威胁工作人员的人身安全。本文针对上述混合辐射环境,利用蒙特卡罗程序Geant4模拟计算了一种钨/硼纤维增强含硼/铋聚合物复合材料中不同材料参数对低能中子和γ射线综合防护效果的影响。结果显示,此种钨/硼纤维复合材料对低能中子和γ射线均具有良好的屏蔽效果。文章证实了纤维垂直排布方式具有比平行排布方式更优的屏蔽效果,且垂直排布方式下透过粒子束的强度分布更加均匀。此外,在聚合物基体中掺杂一定质量分数的硼/铋可以进一步增强复合材料的辐射屏蔽效果。依据这些结果我们认为此种复合材料可以为后处理厂等辐射环境中的防护服及相关防护用具提供参考。     

燃煤电站烟气除尘技术的选择

介绍了燃煤电站烟气除尘技术及其在实际应用过程中的选择方法。