关于天然气水合物钻采工艺技术进展的研究

目前全球正面临着前所未有的能源危机，天然气水合物由于储量大、能量密度高而将成为一种诱人的新型能源。天然气水合物主要存在于冻土带和海洋，在地下处于低温和高压状态，以现有的技术，钻井和开采都存在很大的困难。简要介绍了天然气水合物的性质及储量，阐述了天然气水合物钻井的六个挑战及目前国外天然气水合物的两种钻探方法；同时阐述了以热力法、降压法和化学试剂注入法为主的天然气水合物开采方法，并针对天然气水合物钻采技术现状指出了下一步的研究方向。     

日产不锈钢薄钢带的修复

介绍了日产不锈钢薄钢带裂纹的修复方法,通过焊接试验得到了防止裂纹出现的有效焊接工艺参数,其经验可为类似设备的维护使用提供参考。     

服装新产品市场测试进展

在综合分析研究现状的基础上，以国内的服装行业为研究背景，探讨服装新产品的市场测试方案，文中提出一种基于商店聚类分析的测试方法.     

Fabrication of Schottky barrier MOSFETs using self-assembly CoSi2 nanopatterning and spacer gate technologies

A self-assembly patterning method for generation of epitaxial CoSi₂ nanostructures was used to fabricate 50 nm channel-length MOSFETs. The transistors have either a symmetric structure with Schottky source and drain or an asymmetric structure with n⁺-source and Schottky drain. The patterning technique is based on anisotropic diffusion of Co/Si atoms in a strain field during rapid thermal oxidation. The strain field is generated along the edges of a mask consisting of 20 nm SiO₂ and 300 nm Si₃N₄. During rapid thermal oxinitridation (RTON) of the masked silicide structure, a well-defined separation of the silicide layer forms along the edge of the mask. These highly uniform gaps define the channel region of the fabricated device. The separated silicide layers act as metal source and drain. A poly-Si spacer was used as the gate contact. The asymmetric transistor was fabricated by ion implantation into the unprotected CoSi₂ layer and a subsequent out-diffusion process to form the n⁺-source. I–V characteristics of both the symmetric and asymmetric transistor structures have been investigated.     

Catalytic aminolysis of epoxide by alumina prepared from amine-protected Al precursor

The catalytic activities of alumina prepared from an Al alkoxide-amine adduct monomer for the reaction of cyclopentene oxide with piperidine was determined after various pretreatments, including calcination and exposure to moisture. They were compared with the activity of alumina prepared by the conventional hydrolysis method. It was found that the as-prepared sample from the alkoxide-amine monomer preparation was five times more active than a conventional preparation, suggesting that it has a higher density of surface Lewis acid sites. However, its activity was much more severely suppressed by exposure to moisture.     

SOI光电子集成

SOI（Silicon-on-Insulator)光电子集成已成为十分引人注目的研究课题，其工艺与CMOS工艺完全兼容，可以实现低成本的SOI基整片集成光电子回路。本文综述了近几年来SOI集成光电子器件的发展以及一些最新的研究进展，着重分析几种最新型光无源器件的工作原理和结构，包括SOI光波导、SOI光波导耦合器、SOI光波导开关、相位阵列波导光栅（PAWG）、基于SOI的光探测器等，并介绍了中国科学院半导体所集成光电子国家重点实验室的研究进展。     

吐哈盆地巴喀油田特低渗砂岩油层裂缝分布特征

巴喀油田中侏罗统砂岩属特低渗透裂缝 孔隙型储集层 ,平均渗透率为 0 .3× 10 - 3μm2 ;地下基质岩块孔隙度为7.4%,渗透率为 0 .16× 10 - 3μm2 。砂岩储集层发育的主要裂缝类型有构造层理缝、正向正交缝、斜向正交缝和羽裂等 ,裂缝宽度一般为 0 .3～ 3 .2mm ,纵向切深为 0 .1～ 0 .8m ,水平延伸长度为 0 .2～ 2 .1m。裂缝以半充填为主 ,其分布受岩性、层厚和构造位置的影响 ,纵向、横向均呈带状分布 ,被裂缝切割而成的基质岩块尺寸取决于裂缝频率 ,岩块长轴方向以北西西向为主 ,与构造轴向基本一致。图 3表 4参 8     

层序单元体系域划分及勘探意义

体系域是层序地层学理论体系中的重要概念，在隐蔽油气藏的勘探中，勘探家们极为重视低位体系域。但体系域的成因意义、是否有不同级别层序的体系域以及如何划分，在实际工作中认识不一致。结合勃海湾盆地的勘探实例，分析体系域的成因机制、组合特征和勘探规律，认为：体系域是基准面变化等因素作用的产物，不同级别的层序都发育着与其对应的体系域：一般情况下，三级层序对应的体系域单元与含油气层的规模相匹配，但四级层序对应的体系域才是隐蔽油气藏赋存的有利部位。图5参6。     

渤海绥中油田J3井疏水缔合聚合物驱数值模拟研究

为了进一步提高渤海油田J3井区缔合聚合物驱的技术经济效果,在渤海油田室内配方和先导性矿场试验研究基础上,利用化学驱油藏数值模拟软件FAPMS,分析和研究了高浓度缔合聚合物前置段塞、主段塞的大小和浓度以及段塞组合方式对驱油效果的影响,优化设计了渤海绥中油田J3井区块矿场试验的最佳注入程序及段塞大小。结果表明,通过对不同浓度的疏水缔合聚合物注入的前置段塞及主段塞和梯度式后续段塞的优化后,原油采收率比未优化时提高了约10个百分点。研究表明,渤海油田应该高度重视聚合物驱的注入方式和段塞优化设计,进一步提高聚合物的技术经济效果。     

三峡三期工程大坝混凝土内部温度控制

三峡右岸三期工程施工中,为了有效控制坝体混凝土内部温升,采取了预冷混凝土浇筑、控制混凝土出机口温度及入仓温度,对混凝土内部通水初冷、中冷和后冷等措施,大坝混凝土内部温度没有出现超标现象,混凝土温控工作取得了良好的效果。