Molecular Dynamics Simulation of Gas Diffusion in B2O3 and SiC

Molecular dynamics simulation using a universal force field has been employed to determine the diffusion coefficients of O2 and Na2SO4 vapor into B2O3 and SiC from 700 K to 1273 K, respectively. Einstein diffusion was observed in a 250～300 ps simulation.     

数控螺纹车削的单步插补控制法

分析了运动控制芯片MCX34的控制原理及单步插补实现过程，提出了基于运动控制芯片MCX314实现螺纹切削的单步插补控制法，从而实现快速，高效的螺纹加工。该方法控制过程简单 ，同步实现锥螺纹，控制精度高（0.001mm），响应快（≤1.6MHz)，脉冲确保不丢失，解决了数控螺纹车削存在的一系列关键问题。     

Distributed Speech Recognition Systems and Some Key Factors Affecting It''''s Performance

1　IntroductionWiththerapiddevelopmentofInternetandmobilecommunications,theresearchonwirelessmobilenetworkshasbecomethenewhotspotinin formationtechnologyfield .Asweknow ,mobileterminals (mobilephone,forexample)arethetooltohelppeopletoaccessanyinformationtheyneedbyanymediaatanytimeandanywhere .However,itissometimesdifficultformobileterminalstoplaysucharolebecauseofthelimitationssuchaslimitedca pacity ,lowpower,andinconvenienceinoperating .So,peoplehopetofindanotherwaytoaccessnet workinformatio…     

数控铣加工中曲面粗糙度影响因素的研究与应用

本文分析了数控铣加工中曲面粗糙度的影响因素,以及在应用中的指导意义。     

消失模铸造模成型机的特点及应用

介绍了消失模铸造工艺对成型机的特殊要求,高性能成型机在大规模工业化消失模生产中的重要性,重点阐述了德国Teubert公司TVY130/90消失模成型机的特点及应用,并对成型机的国产化研究与开发提出了建议。     

不均匀地基上的基础设计

通过对在不均匀地基条件下的某教学楼基础设计的分析，确定了一种经济可行的基础形式，以解决不均匀地基条件的基础设计问题，进而为同类工程设计提供了借鉴。     

建筑设备监控系统及节能

介绍了建筑设备监控系统(楼宇自动化系统)基本构成和功能,从而指出其节能的内涵。     

UO2-Gd2O3芯块密度的影响因素研究

对UO2-Cd2O3可燃毒物芯块密度的影响因素进行了详细研究。试验表明：烧结时间、烧结温度、生坯密度、Gadox（含Gd的U3O8）、A．O（草酸铵）等条件与UO2-Gd2O3芯块密度存在一定关系。     

High-k材料MOS器件的PISCES-II模拟

High-k材料是指介电常数k高于SiO2的材料。使用high-k材料做栅绝缘层,是减小MOS器件栅绝缘层直接隧道击穿(DirectTunneling,DT)电流的有效方法。文章在二维器件模拟软件PISCES-II中添加了模拟以high-k材料为栅绝缘层的MOS器件模型,并对SiO2和high-k材料的MOS晶体管器件特性进行了模拟比较,成功地验证了所加high-k材料MOS器件模型的正确性。改进后的PISCES-II程序,可以方便地对以各种high-k材料为栅绝缘层的器件性能进行模拟。