首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   104649篇
  免费   12435篇
  国内免费   8730篇
电工技术   9389篇
综合类   11630篇
化学工业   13633篇
金属工艺   7143篇
机械仪表   7294篇
建筑科学   7746篇
矿业工程   3613篇
能源动力   2732篇
轻工业   12301篇
水利工程   3190篇
石油天然气   3194篇
武器工业   1469篇
无线电   11211篇
一般工业技术   8885篇
冶金工业   3905篇
原子能技术   1912篇
自动化技术   16567篇
  2024年   580篇
  2023年   1705篇
  2022年   4210篇
  2021年   5461篇
  2020年   3942篇
  2019年   2678篇
  2018年   2877篇
  2017年   3270篇
  2016年   2946篇
  2015年   4578篇
  2014年   5908篇
  2013年   7224篇
  2012年   8502篇
  2011年   8966篇
  2010年   8570篇
  2009年   8030篇
  2008年   8711篇
  2007年   8247篇
  2006年   7167篇
  2005年   5858篇
  2004年   4125篇
  2003年   2796篇
  2002年   2631篇
  2001年   2515篇
  2000年   1934篇
  1999年   755篇
  1998年   238篇
  1997年   185篇
  1996年   153篇
  1995年   125篇
  1994年   92篇
  1993年   109篇
  1992年   77篇
  1991年   75篇
  1990年   80篇
  1989年   85篇
  1988年   54篇
  1987年   49篇
  1986年   34篇
  1985年   28篇
  1984年   23篇
  1983年   24篇
  1982年   16篇
  1981年   26篇
  1980年   37篇
  1979年   24篇
  1978年   7篇
  1976年   7篇
  1959年   28篇
  1951年   18篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 218 毫秒
81.
PROFIBUS-DP规范及其系统浅析   总被引:2,自引:0,他引:2  
该文从现场总线标准的角度,描述了PROFIBUS-DP协议结构,重点介绍了各层的规范和服务定义,并给出第1层、第2层管理的进一步描述,从而为DP技术应用和产品开发提供了更有力的理论支持。  相似文献   
82.
83.
In this paper, we report the study of the electrical characteristics of GaN and AlGaN vertical p-i-n junctions and Schottky rectifiers grown on both sapphire and SiC substrates by metal-organic chemical-vapor deposition. For GaN p-i-n rectifiers grown on SiC with a relatively thin “i” region of 2 μm, a breakdown voltage over 400 V, and forward voltage as low as 4.5 V at 100 A/cm2 are exhibited for a 60-μm-diameter device. A GaN Schottky diode with a 2-μm-thick undoped layer exhibits a blocking voltage in excess of ∼230 V at a reverse-leakage current density below 1 mA/cm2, and a forward-voltage drop of 3.5 V at a current density of 100 A/cm2. It has been found that with the same device structure and process approach, the leakage current of a device grown on a SiC substrate is much lower than a device grown on a sapphire substrate. The use of Mg ion implantation for p-guard rings as planar-edge terminations in mesageometry GaN Schottky rectifiers has also been studied.  相似文献   
84.
鱼雷发射装置的可靠性直接关系到潜艇武器系统的整体作战效能。考虑到可靠性分析中影响因素的模糊性,本文引入模糊数的概念,对潜艇鱼雷发射装置的可靠性进行分析,并基于模糊数的运算法则,给出了串联系统模糊可靠度的计算方法。  相似文献   
85.
本文从小卫星、星座飞速发展以及对测控通信系统新的要求出发,介绍了综合基带、连续波多波束相控阵天线的功能、特点及工作原理,提出了建立新型多功能智能化测控通信站的设想。  相似文献   
86.
敏捷夹具构型设计系统的体系结构、知识表达与推理策略   总被引:2,自引:0,他引:2  
介绍了敏捷夹具系统的基本特征,提出了敏捷夹具构型设计系统的体系结构,论述了敏捷夹具构型设计的知识表达、推理策略及其实现方法。  相似文献   
87.
新型硅蜡乳液的制备   总被引:3,自引:0,他引:3  
将蜂蜡用复合乳化剂乳化时加入自制的乳化助剂,制得稳定的蜡乳液,将该乳液与羟基蛙油乳液复配,制得乳白色略带蓝光硅蜡乳液,该硅蜡乳液用于绵羊服装革作顶层手感改善剂,除了获得油润的蜡感和滑爽感之外,还使成革具有抗菌和抗静电作用。  相似文献   
88.
通过比较常规透射电镜制样法、快速冷冻固定-冷冻超薄切片法及磷钨酸乙醇(EPTA)染色法在嗜铬颗粒透射电镜X射线显微分析中的应用,发现磷钨酸乙醇染色法能使嗜铬颗粒电子着色,从而较好地显示嗜铬颗粒的超微结构。同时磷钨酸乙醇染色法也以在一定程度上原位保留生物样品中元素,可以应用于检测样品元素含量的变化或比较样品元素含量的组间差别,提示磷钨酸乙醇染色法是一种可应用于透射电镜X射线显微分析的经济简便的生物样品制备方法。  相似文献   
89.
液晶显示驱动电路中Fibonacci型电荷泵单元   总被引:3,自引:1,他引:2       下载免费PDF全文
郁海蓉  陈志良 《电子学报》2002,30(5):753-756
本文中所设计的电荷泵将用于手机液晶显示驱动模块中.通过对Fibonacci型电荷泵上升时间的估算,对减小上升时间和动态功耗进行折中考虑,本文提出优化开关频率的方法.用1.2μm CMOS双阱工艺参数对所设计的电荷泵进行模拟,结果表明这个电荷泵具有较快的上升速度和较高的效率.通过提高VGS电平和保证开关管的衬底始终接在最高电位上,文中提出了一种新型Fibonacci电荷泵,它可以正常工作在从1.2V到5V变化的多种电源电压下.  相似文献   
90.
文章介绍了SOC设计流程,智能I/O处理器组成,在开发该处理器对VHDL源代码的优化问题。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号