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McIntyre H. Wendell D. Lin K.J. Kaushik P. Seshadri S. Wang A. Sundararaman V. Ping Wang Song Kim Hsu W.-J. Hee-Choul Park Levinsky G. Jiejun Lu Chirania M. Heald R. Lazar P. Dharmasena S. 《Solid-State Circuits, IEEE Journal of》2005,40(1):52-59
A 4-MB L2 data cache was implemented for a 64-bit 1.6-GHz SPARC(r) RISC microprocessor. Static sense amplifiers were used in the SRAM arrays and for global data repeaters, resulting in robust and flexible timing operation. Elimination of the global clock grid over the SRAM array saves power, enabled by combining the clock information with array select signals. Redundancy was implemented flexibly, with shift circuits outside the main data array for area efficiency. The chip integrates 315 million transistors and uses an 8-metal-layer 90-nm CMOS process. 相似文献
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中频反应溅射SiO2膜与直流溅射ITO膜的在线联镀 总被引:2,自引:2,他引:0
多数ITO透明导电玻璃生产线在实现SiO2膜与ITO膜在线联镀时,应用SiO2靶射频溅射沉积SiO2膜工艺和ITO靶直流溅射沉积ITO膜工艺,如果SiO2膜应用硅靶反应磁控溅射工艺,存在这种工艺是否可以与ITO靶直流溅射沉积ITO膜工艺在线联用以及如何实现联用的问题。作者对现有的生产线进行了改造设计、加工,做了大量实验、质谱分析和多项测试研究,成功地实现反应溅射SiO2膜与ITO膜在线联镀,做到SiO2镀膜室的工作状态的变化基本上不影响ITO镀膜室的工艺条件。 相似文献
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本文探讨了高速钢在高温形变过程中碳化物析出的行为及奥氏体组织状态对析出的影响。用透射电镜和扫描电镜分析了不同热处理状态奥氏体的组织结构,分析了高温形变过程中碳化物析出的部位,颗粒尺寸及形态。试验表明, 碳化物主要在奥氏体的缺陷处呈点状和点列状析出,大小为20mμ。处于回复状态的奥氏体缺陷诱发碳化物析出,析出碳化物钉札缺陷阻止再结晶进行。当再结晶驱动力较大时,由于动态再结晶充分发展,使缺陷大量消除,碳化物析出显著地减少。 相似文献
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大黑汀大坝安全监测应用分析软件的开发与应用 总被引:1,自引:1,他引:0
周世虎 《水电自动化与大坝监测》2007,31(4):48-50,63
在大坝安全监测工作中,结合实际工程情况和工作需要,利用Visual Basic 6.0编程语言,开发出一套实用的安全监测应用分析软件,解决了数据共享、监测成果检查、自动化与人工测值比较、各种数据报表输出、历史数据提取、过程线分布图绘制等许多实际应用问题,极大地提高了工作效率,实现了大坝安全监测自动化。 相似文献
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