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71.
层间撕裂并非是厚板独有的质量问题 ,结合工程实例 ,分析 2 5mm厚低合金钢板产生层间撕裂的原因。通过对钢材的超声波探伤检测、化学成分分析和Z向性能检测 ,指出层间撕裂主要与节点设计不当和钢材内非金属夹杂物偏析、分层有关 ,并提出了预防措施。对产生裂纹的构件视严重情况提出了不同的修补处理方法  相似文献   
72.
火电厂实施废水零排放的可行性探讨   总被引:1,自引:0,他引:1  
孙震 《安徽化工》2003,29(2):33-35
对合肥发电厂的用排水现状进行了介绍,并提出了实施废水零排放的可行性方案。  相似文献   
73.
郑康 《电子器件》1998,21(4):228-232
本文介绍了宽低温STN-LCD加热装置的设计和制备方法,并对低温加热的实验结果进行了讨论和分析,相应的研究结果表明此法有利于拓宽STN液晶显示器的负温工作范围。  相似文献   
74.
应用焦锑酸盐沉淀技术对水稻花后衰退珠心和胚乳发育初期进行了Ca^2 的超微细胞化学定位。结果显示在初始衰退的珠心细胞中Ca^2 主要分布于液泡膜上和核内;在衰退中期的珠心细胞中,Ca^ 主要分布在核膜、液泡膜及质膜上;在严重衰退的珠心细胞,Ca^2 仅存在于液泡中。珠心降解的Ca^2 跨过胚囊壁,通过质外体向胚乳内运输;发育初期的胚乳细胞,Ca^2 主要位于胞间隙,线粒体和液泡中也有少量分布。讨论了Ca^2 与珠心PCD的关系。  相似文献   
75.
A bimodal Weibull distribution function was applied to analyse the strength distribution of glass fibre bundles under tensile impact. The simulation was performed using a one-dimensional damage constitutive model. The results show that there were two concurrent flaw populations in the fracture process. The regression analysis using the bimodal Weibull distribution function was in good agreement with experiment.  相似文献   
76.
膜法烯烃/烷烃气体分离的研究进展   总被引:3,自引:2,他引:1  
对烯烃/烷烃气体分离技术的现状进行了总结,阐述了膜法烯烃/烷烃气体分离的研究进展、分离原理及存在的问题等.同时展望了膜技术应用于烯烃/烷烃气体分离的前景及研究方向.  相似文献   
77.
The local wave method is a very good time-frequency method for nonstationary vibration signal analysis. But the interfering noise has a big influence on the accuracy of time-frequency analysis. The wavelet packet de-noising method can eliminate the interference of noise and improve the signal-noise-ratio. This paper uses the local wave method to decompose the de-noising signal and perform a time-frequency analysis. We can get better characteristics. Finally, an example of waveletpacket denoising and a local wave time-frequency spectrum application of diesel engine surface vibration signal is put forward.  相似文献   
78.
在详细分析料坯在水箱内冷却热过程特点的基础上,提出了前馈和反馈相结合的水流量优化控制策略,并将该策略应用于宝钢线材厂控冷轧线上。实际运行结果表明:该策略能够合理地控制水箱水流量,从而保证了线材水箱出口处的温度满足工艺要求,大大提高了线材成品的质量。所做工作对国内同类企业有重要的意义。  相似文献   
79.
Device degradation behaviors of typical-sized n-type metal-induced laterally crystallized polycrystalline silicon thin-film transistors were investigated in detail under two kinds of dc bias stresses: hot-carrier (HC) stress and self-heating (SH) stress. Under HC stress, device degradation is the consequence of HC induced defect generation locally at the drain side. Under a unified model that postulates, the establishment of a potential barrier at the drain side due to carrier transport near trap states, device degradation behavior such as asymmetric on current recovery and threshold voltage degradation can be understood. Under SH stress, a general degradation in subthreshold characteristic was observed. Device degradation is the consequence of deep state generation along the entire channel. Device degradation behaviors were compared in low Vd-stress and in high Vd-stress condition. Defect generation distribution along the channel appears to be different in two cases. In both cases of SH degradation, asymmetric on current recovery was observed. This observation, when in low Vd-stress condition, is tentatively explained by dehydrogenation (hydrogenation) effect at the drain (source) side during stress  相似文献   
80.
阐述了长螺旋水下灌注桩的技术要点及技术参数控制标准,结合工程实例中桩基检测的结果,分析表明,采用长螺旋水下灌注桩技术施工便捷、噪声小、效率高、成本低,是一种经济、高效、环保的施工工艺.  相似文献   
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