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火电厂实施废水零排放的可行性探讨 总被引:1,自引:0,他引:1
对合肥发电厂的用排水现状进行了介绍,并提出了实施废水零排放的可行性方案。 相似文献
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本文介绍了宽低温STN-LCD加热装置的设计和制备方法,并对低温加热的实验结果进行了讨论和分析,相应的研究结果表明此法有利于拓宽STN液晶显示器的负温工作范围。 相似文献
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Zhen Wang 《Applied Composite Materials》1995,2(4):257-264
A bimodal Weibull distribution function was applied to analyse the strength distribution of glass fibre bundles under tensile impact. The simulation was performed using a one-dimensional damage constitutive model. The results show that there were two concurrent flaw populations in the fracture process. The regression analysis using the bimodal Weibull distribution function was in good agreement with experiment. 相似文献
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LIHong-kun MAXiao-fiang WANGZhen ZHUHong 《国际设备工程与管理》2003,8(4):233-238
The local wave method is a very good time-frequency method for nonstationary vibration signal analysis. But the interfering noise has a big influence on the accuracy of time-frequency analysis. The wavelet packet de-noising method can eliminate the interference of noise and improve the signal-noise-ratio. This paper uses the local wave method to decompose the de-noising signal and perform a time-frequency analysis. We can get better characteristics. Finally, an example of waveletpacket denoising and a local wave time-frequency spectrum application of diesel engine surface vibration signal is put forward. 相似文献
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Degradation Behaviors of Metal-Induced Laterally Crystallized n-Type Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors Under DC Bias Stresses 总被引:1,自引:0,他引:1
Min Xue Mingxiang Wang Zhen Zhu Dongli Zhang Man Wong 《Electron Devices, IEEE Transactions on》2007,54(2):225-232
Device degradation behaviors of typical-sized n-type metal-induced laterally crystallized polycrystalline silicon thin-film transistors were investigated in detail under two kinds of dc bias stresses: hot-carrier (HC) stress and self-heating (SH) stress. Under HC stress, device degradation is the consequence of HC induced defect generation locally at the drain side. Under a unified model that postulates, the establishment of a potential barrier at the drain side due to carrier transport near trap states, device degradation behavior such as asymmetric on current recovery and threshold voltage degradation can be understood. Under SH stress, a general degradation in subthreshold characteristic was observed. Device degradation is the consequence of deep state generation along the entire channel. Device degradation behaviors were compared in low Vd-stress and in high Vd-stress condition. Defect generation distribution along the channel appears to be different in two cases. In both cases of SH degradation, asymmetric on current recovery was observed. This observation, when in low Vd-stress condition, is tentatively explained by dehydrogenation (hydrogenation) effect at the drain (source) side during stress 相似文献
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阐述了长螺旋水下灌注桩的技术要点及技术参数控制标准,结合工程实例中桩基检测的结果,分析表明,采用长螺旋水下灌注桩技术施工便捷、噪声小、效率高、成本低,是一种经济、高效、环保的施工工艺. 相似文献