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Demir H.V. Jun-Fei Zheng Sabnis V.A. Fidaner O. Hanberg J. Harris J.S. Jr. Miller D.A.B. 《Semiconductor Manufacturing, IEEE Transactions on》2005,18(1):182-189
This work reports an easy planarization and passivation approach for the integration of III-V semiconductor devices. Vertically etched III-V semiconductor devices typically require sidewall passivation to suppress leakage currents and planarization of the passivation material for metal interconnection and device integration. It is, however, challenging to planarize all devices at once. This technique offers wafer-scale passivation and planarization that is automatically leveled to the device top in the 1-3-/spl mu/m vicinity surrounding each device. In this method, a dielectric hard mask is used to define the device area. An undercut structure is intentionally created below the hard mask, which is retained during the subsequent polymer spinning and anisotropic polymer etch back. The spin-on polymer that fills in the undercut seals the sidewalls for all the devices across the wafer. After the polymer etch back, the dielectric mask is removed leaving the polymer surrounding each device level with its device top to atomic scale flatness. This integration method is robust and is insensitive to spin-on polymer thickness, polymer etch nonuniformity, and device height difference. It prevents the polymer under the hard mask from etch-induced damage and creates a polymer-free device surface for metallization upon removal of the dielectric mask. We applied this integration technique in fabricating an InP-based photonic switch that consists of a mesa photodiode and a quantum-well waveguide modulator using benzocyclobutene (BCB) polymer. We demonstrated functional integrated photonic switches with high process yield of >90%, high breakdown voltage of >25 V, and low ohmic contact resistance of /spl sim/10 /spl Omega/. To the best of our knowledge, such an integration of a surface-normal photodiode and a lumped electroabsorption modulator with the use of BCB is the first to be implemented on a single substrate. 相似文献
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High-cycle fatigue behaviour of titanium 5Al-2.5Sn alloy at room temperature has been studied. S-N curve characterization is performed at different stress ratios ranging from 0 to 0.9 on a subsized fatigue specimen. Both two-stress and three-stress level tests are conducted at different stress ratios to study the cumulative fatigue damage. Life prediction techniques of linear damage rule, double linear damage rule and damage curve approaches are applied, and results are compared with the experimental data. The agreement between prediction and experiment is found to be excellent. 相似文献
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SW233 PIN驱动器自动测试系统的研制 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了一种集成电路自动测试系统,该系统采用计算机并口作通信接口,用VB6编程,实现了对外围测试电路的控制,用IEEE-488接口卡控制测试仪器,可对SW233电路的36个参数进行自动测试,并将测试结果自动保存在数据库中。该测试系统具有自动化程度高、操作方便、测试结果精确等特点。 相似文献
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金刚石光电导探测器研制及在软X光测量中的初步应用 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了我们自己设计制造的天然Ⅱa型金刚石光导探测器的结构,原理,制造工艺,实验标定及其在ICF实验中软X光测量中的应用等。 相似文献
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智能测温仪表的研究与实现 总被引:1,自引:0,他引:1
文章介绍了一种以8098单片机为核心、以铂铑一铂为测温元件研制的智能化测温仪表,它与传统的接触式温度传感器相比具有价格低、性能高、应用范围广、人机界面好等特点。 相似文献
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