较高温度等温淬火(回火)对球墨铸铁性能的影响

分别采取普通等温淬火、两级等温淬火、等温淬火＋回火3种热处理工艺对较高温度下球墨铸铁（成分为质量分数％；3.80C,2.46Si,0.25Mn,0.026S,0.036P,0.051Mg,0.022RE)的组织和性能进行了研究，发现热处理工艺带变窄或消失，得到基体中不含奥氏体的贝氏体球墨铸铁。这种球墨铸铁虽然塑韧性较差，但具有较高的强度、硬度和疲劳极限，而且耐磨性和切削性良好。     

Sturge-Weber综合征

目的临床分析Sturge-Weber综合征(Sturge-Weber syndrome,SWS)的诊断与治疗。方法回顾3例SWS。结果SWS是一种罕见的先天性神经皮肤综合征,以颜面和软膜血管瘤为主要特征,典型的临床表现为一侧颜面的焰色痣,对侧肢体抽搐、偏瘫、偏盲、智能减退和同侧青光眼。CT和MRI可发现脑回状钙化、局限性脑萎缩等,增强MRI是首选的诊断方法。采用对症治疗,用药物治疗或手术控制癫痫和青光眼。结论临床表现及影像学表现是诊断SWS的主要方法,治疗以对症治疗为主。     

一水硬铝石型铝土矿焙烧碱浸脱硅新工艺(Ⅰ)

针对中、低铝硅比的一水硬铝石—高岭石型铝土矿 ,以山西铝土矿作原料 ,在回转窑上进行了焙烧脱硅工艺研究 ,结果表明 :采用回转窑焙烧铝土矿是可行的 ,其焙烧工艺条件为 :矿石粒度 0～ 2 0mm ,焙烧温度10 5 0～ 110 0℃ ,焙烧时间 15～ 2 0min。在碱浸溶出脱硅条件下焙烧矿的脱硅率达 5 5 .6 1% ,精矿铝硅比为 9.92。X射线衍射分析表明 :焙烧过程中高岭石发生热分解产生的非晶态SiO2 ,在碱浸溶出脱硅过程中溶于NaOH脱除。高压溶出试验表明 :脱硅铝精矿中Al2 O3 的溶出率比原矿要高。     

Zr-4合金在300℃去离子水中腐蚀初期氧化膜的研究

将Zr-4板材制成Φ3 mm透射电镜薄试样,放入高压釜在300℃/8 MPa去离子水中短时腐蚀,用光学显微镜、扫描探针显微镜和透射电子显微镜研究了氧化膜形成初期的晶体结构、与基体晶粒取向间的关系、氧化锆晶体中的缺陷和应变分布。结果表明:光学显微镜下不同取向的金属晶粒表面上氧化膜的厚度不同,呈现出不同的颜色;氧化膜主要由单斜结构的柱状晶组成,还有少量的四方和立方氧化锆,同时还观察到一种a=0.88 nm的bcc结构氧化锆;不同晶体结构的初生氧化锆与α-Zr基体之间存在一种半共格的取向关系:(10 11)_(α-Zr)//(020)_(m-ZrO_2)//(002)_(t-ZrO_2)//(020)_(c-ZrO_2),某些晶体方向受到了3%~7%压缩;氧化锆晶体中存在大量位错,并存在不均匀的拉/压应变,大小在–4.8%至3.5%之间。     

强酸型阳离子交换树脂催化剂预处理研究

本文分别采用静态和动态法对苯乙烯-二乙烯基苯强酸型阳离子交换树脂催化剂进行了预处理研究。结果表明在强酸型阳离子交换树脂催化剂中有5%～15%的磺酸基团属于快速流失部分, 经过预处理可以预先除去, 进而可提高催化剂的使用寿命。预处理后的树脂催化剂应用于丙烯水合反应。在140℃、8.0M Pa、丙烯空速 0.3h^-1、水烯摩尔比13.6 的反应条件下表现出很高的活性和稳定性。     

PAA-NH_4对氧化铝悬浮液沉降性能的研究

采用PAA-NH4作为分散剂制备了超细氧化铝悬浮液,通过沉降实验观察了PAA-NH4的添加量、pH值对α-A12O3低固含量悬浮液的沉降性能的影响,并用Zeta电位仪测定了不同pH值条件下稀固相含量悬浮液的Zeta电位;同时对烧结坯体进行了微观分析.结果表明:分散剂PM-NH4的最佳用量为1.0%左右,最佳pH值为9;对添加PAA-NH4前后的稀悬浮液Zeta电位进行了测定,发现等电势点左移,Zeta电位的绝对值变化显著.添加PAA-Nh4后,pH值的变化对悬浮液的沉降性能和Zeta电位影响很大.     

策略迭代法在水库优化调度中的应用

本文针对综合利用水库的特点,建立了水库优化调度的马尔可夫决策规划模型。文中论述了策略迭代的原理和方法,探讨了策略迭代法的应用。     

半幅函数在求直杆内力中的应用

建立了半幅函数的概念，在此基础上建立直杆上载荷集度分布方程，并对这个方程沿杆轴线积分获得直杆内力方程。同时说明半幅函数在建立直杆内力方程中的应用方法。     

具有任意阶奇异性的有限单元的研究

本文构造了一类具有任意阶奇异性的平面和空间等参数和亚参数单元,并证明了在单元内部和边界上具有相同的奇异性且在缺口或裂缝尖端总应变能处处有界。此外,文中还讨论了它们在线弹性V型口和幂硬化材料裂缝等问题中的应用。     

SiGe MOS器件SiO_2栅介质低温制备技术研究

为了获得电学性能良好的 Si Ge PMOS Si O2 栅介质薄膜 ,采用等离子体增强化学汽相淀积 (PECVD)工艺 ,对低温 30 0°C下薄膜制备技术进行了研究。实验表明 ,采用适当高温、短时间对PECVD薄膜退火有助于降低薄膜中正电荷密度和界面态密度。该技术用于 Si Ge PMOS研制 ,在30 0 K常温和 77K低温下 ,其跨导分别达到 45m S/mm和 92 .5m S/mm(W/L=2 0 μm/2 μm)