深挖方渠道边坡稳定分析

以南水北调中线京石段工程渠道边坡为典型案例,通过对边坡破坏机理的分析,确定了其破坏原因和破坏类型,并有针对性地提出了边坡处理方案,为其他段工程边坡的治理提供了实践依据。     

制造企业生产中瓶颈问题研究综述

制造企业在生产中瓶颈问题一直受到生产计划与调度管理人员关注。阐述目前对生产瓶颈的相关概念及延伸概念研究、瓶颈的识别与预测问题研究以及瓶颈的控制与改善研究,并指出对生产瓶颈问题未来的研究趋势。     

数字技术为建筑设计添神奇

新世纪以来,计算机在建筑设计领域的应用不仅仅是画图,而是随着计算数字化技术在建筑领域内的快速运用,设计和建造的关系正在数字化技术的共同平台上得以重新整合.建筑师运用数字化技术进行设计,改变的不只是建筑的面貌,也包括了建造、设计方法等各种内容.     

一种增益可调CMOS恒带宽单片放大器

基于电流跟随器和负反馈原理，并结合电流镜像与虚地技术，得到了一种具有不依赖于闭环电压增益的１２０ｋＨｚ￣８ＭＨｚ恒定带宽，增益０￣６０ｄＢ可调，最高稳定工作频率５ＭＨｚ，功耗５．２ｍＷ的高性能ＣＭＯＳ放大器，其ＳＰＩＣＥ模拟表明，该放大器电气性能优越，模拟结果与理论分析比较吻合；可采用３￣５μｍ硅栅ＣＭＯＳ工艺技术单片化集成实现，并可望用于宽带视频放大等模拟信号处理领域。     

添加微量硅对925银合金抗硫化变色性能的影响

微量硅在925银铸造过程中可促进合金脱氧,提高合金熔体的洁净度和流动性,但过量硅会劣化合金性能。采用光学显微镜和电子显微镜研究添加微量硅(0.09%～0.15%)对925银微观组织变化的影响。结果表明,随着硅含量升高,925银合金中一次枝晶组织粗大,二次枝晶臂间距增大,当二次枝晶臂间距大于10μm,合金断裂趋势显著增加。硅元素在925银合金中形成黑色低熔铜基共晶相,并由1～10μm的点状相转变为8～20μm的断续条状相,显微硬度变化与共晶二次析出相比例呈对应关系。在925银中梯度添加微量硅使合金硫化腐蚀后色差缩小,提高合金的抗硫化腐蚀变色能力。     

微量硅元素对铜磷锡粉状钎料性能的影响

采用气水耦合雾化法制备了铜磷锡粉状钎料,并通过添加质量分数为0.5%的硅元素改善粉末球形度和粒度分布,通过粉体材料综合测试仪、比表面积仪、激光粒度仪及差热分析仪检测了两种粉状钎料的基本性能,使用制得的粉状钎料进行火焰钎焊制备拉伸试样,通过力学试验机测试焊缝抗拉强度,通过电子显微镜分析了两种粉状钎料微观形貌及焊缝的微观组织。结果表明,微量硅元素可改善铜磷锡粉末的综合性能,其中松装密度提高17%,振实密度提高15%,比表面积提高60%,粉末粒径由42.93 μm降至30.88 μm,合金粉末熔点降低6 ℃;微量硅元素可显著提高铜磷锡粉状钎料的球形度,钎缝中形成尺寸较大的胞状α铜基固溶体,硅元素扩散进入基体中,接头抗拉强度略有提升。     

五轴螺旋锥齿轮加工机床滚珠丝杠热分析

某五轴螺旋锥齿轮加工机床的实际加工精度远小于设计精度,初步判断滚珠丝杠系统热变形是影响高精度机床加工精度的主要原因之一。现提出滚珠丝杠系统热变形导致五轴螺旋锥齿轮加工机床精度低的假设,并通过有限元分析软件Workbench对其进行分析;设计四组有限元热分析对假设进行验证,研究了丝杠系统转速和水平竖直放置对机床热变形的影响,结果证实了假设的正确性。利用验证结果可进行机床结构优化以及指导相似机床设计。     

多方基地协同建设下建筑设计数字化实践教学改革与创新研究

当今世界,面临数字化在建筑行业发展过程中所起到的作用,从而引发了很多建筑教育现状问题的思考从2010年开始,笔者致力于探索数字化背景下建筑教育,研究校企多方基地合作路径和人才培养模式,针对建筑设计人才培养与行业需求脱节等问题,通过多方基地的协同建设,创建了建筑学专业设计人才培养模式。通过多方校企基地实践,对建筑学专业学生进行职业化、专门化的教学培养体系。     

相变墙体冬季传热性能评价及相变参数优化

本文从相变墙体冬季的传热过程出发,提出“保温因子”和“放热因子”评价其传热性能。然后,利用热阻法建立相变墙体在冬季的传热模型,并利用单因素分析的方法研究相变墙体内外层热阻和相变温度对“保温因子”和“放热因子”的影响,结果显示当相变墙体的作用是保温的情况下,相变层应布置在墙体的外侧,相变温度应该接近室内空气温度。当相变墙体的作用是放热的情况下,相变层应布置在墙体的内侧,相变温度应该尽量高一些。本研究可以为相变墙体的应用提供理论支持。     

HRXRD研究SiN盖帽层在Si中引入的应变

为了研究SiN盖帽层在Si中引入应变的机理与控制,利用高分辨X射线衍射(HRXRD)技术分析了si中应变的各向异性以及与盖帽层厚度的关系.研究发现,盖帽层厚度低于300nm时,应变量与厚度呈近线性关系,随后增加趋缓,最终达到一饱和值;同时,应变在不同晶向表现出明显的各向异性,表层应变Si与未应变Si衬底在(004)晶面上的衍射峰重叠在一起,而(111)晶面的2个衍射峰可明显地被分离,且倾角对Si衬底衍射峰半高宽具有明显的展宽.