MOS器件热电子退化的电子辐射实验研究

在分析热电子效应与辐射效应在MOSFET产生界面态关系的基础上,给出了采用普通电子直线加速器作辐射源来对MOS器件热电子退化效应进行研究的方法和采用该方法对1μm工艺N沟MOSFET进行热电子退化效应的研究结果,并对热电子退化与偏置的关系进行了讨论,得到了确定热电子退化寿命的快速而简便的方法。     

钎焊时间对排锯性能的影响

采用CT643钎料、高频钎焊工艺对排锯进行焊接试验,研究钎焊时间对排锯性能的影响。用万能力学试验机、电子显微镜测试钎焊接头的剪切强度和组织形貌,体式显微镜测量钢基侧钎料的钎着面积,金相显微镜、洛氏硬度计对比分析热影响区的组织和硬度变化。结果表明:钎焊时间延长,热影响区接头的剪切强度逐渐降低、组织的晶粒长大并形成回火屈氏体,且钢基体钎料的钎着面积逐渐降低,热影响区尺寸增大、硬度降低;当钎焊时间为1.8 s时,CT643钎料渗入钢基体约90 μm,钢基体向钎料界面扩散反应形成高度约10 μm的竹笋状突起。      

MOSFET衬底电流模型及参数提取

在短沟道MOSFET器件物理的基础上,导出了其衬底电流解析模型,并通过实验进行了模型参数提取。模型输出与短沟MOSFET实测结果比较接近,可应用于VLSI／ULSI可靠性模拟与监测研究和亚微米CMOS电路设计。     

加工中心滚珠丝杠对流换热系数的研究

采用热成像仪对VMC立式加工中心滚珠丝杠进给系统温度场进行测量,对丝杠温度数据进行指数函数拟合,根据能量守恒原理进行建模分析计算,获得滚珠丝杠的热边界条件;利用有限元分析软件Workbench对加工中心滚珠丝杠的温度变化规律进行分析,结果与实验数据进行对比,验证滚珠丝杠对流换热系数计算模型的正确性;并修正利用传统经验公式计算得到的对流换热系数,为立式加工中心的热分析提供参考。     

负阻态忆阻Hopfield神经网络动力学

人类大脑是一个高度复杂且规模庞大的非线性动力学系统,其动力学行为与人类智能活动密切相关。基于忆阻器的人工神经网络不仅可以很好地模拟人脑工作机制,而且其非线性特性可以为神经网络带来更为丰富的动力学行为。为了进一步发挥神经网络的优势,引入一种新的具有负阻态功能的忆阻器模型,该模型打破了原有忆阻器的阻态极性限制,为忆阻器扮演神经网络突触仿生器件提供了更加丰富的变化性能。在对忆阻器模型分析的基础上,提出了一种新的忆阻Hopfield神经网络(HNN),进一步加强了HNN的负反馈功能,使之表现出更加丰富和复杂的动力学行为。实验结果表明,新忆阻HNN拥有较为丰富的动力学行为,具有一定的混沌特性。在不同的忆阻器参数以及权值矩阵取值条件下,观察系统的相位轨迹图、Lyapunov指数的变化情况,并与同类型网络进行对比,进一步证明提出的神经网络的有效性,同时复杂的动力学特性也为在数据处理、图像加密等方面的应用提供了研究支撑。     

合金元素对Fe基金刚石节块胎体组织及性能的影响

选取Fe、Cu、Sn、Ni四种金属粉末作为烧结金刚石节块的胎体材料,设计混料试验预测成分变化对胎体性能的影响规律。结果表明:胎体中主要含α-Fe相、γ（Fe,Ni）相、Cu_13.7Sn固溶体和Cu₃Sn化合物。随Sn质量分数的升高,Cu_13.7Sn固溶体减少,脆性Cu₃Sn相增多,当Sn质量分数增大到一定程度后,组织中Cu_13.7Sn固溶体全部转化成Cu₃Sn脆性相,因此,胎体硬度先增高后趋于稳定;Sn质量分数越高,胎体中脆性相越多,割裂基体,胎体抗弯强度下降。Ni易固溶于Cu、Fe中,产生固溶强化,Ni质量分数升高,胎体硬度和抗弯强度均有一定程度的提高;在Sn质量分数较低时,Cu质量分数越高,Cu_13.7Sn固溶体量越多,胎体硬度下降;在Sn质量分数较高时,Cu质量分数越高,组织中脆性Cu₃Sn相量越多,胎体硬度提高。Cu易与Ni、Fe形成置换式固溶体,产生固溶强化作用,Cu质量分数的升高对胎体抗弯强度有一定程度的提高。     

日盲探测器高Al组分n-Al0.6Ga0.4N欧姆接触

研究了应用于日盲探测器的高Al组分Si掺杂n型Al0.6Ga0.4N与两层金属层Ti(20nm)/Al(100nm)之间的欧姆接触. 在制作金属电极前用煮沸王水对样片进行表面预处理,金属制作后再在N2氛围中做快速热退火处理. 使用高精度XRD测试样品表面特性,并对不同温度下的情况进行比较. 样品的比接触电阻率是用环形传输线模型通过I-V测试得到. 670℃下90s退火得到最优ρc为3.42E-4Ω·cm2. 将该处理方法应用到实际的背照式AlGaN p-i-n日盲探测器中,探测器的光谱响应度和反向特性等参数得到很大的优化.     

基于槽形结构的c-CESL应变95nm栅NMOSFET性能增强技术

本文针对应变NMOSFET提出了一种基于槽型结构的应力调制技术。该技术可以利用压应变的CESL（刻蚀阻挡层）来提升Si基NMOSFET的电学性能,而传统的CESL应变NMOSFET通常采用张应变CESL作为应力源。为研究该槽型结构对典型器件电学性能的影响,针对95 nm栅长应变NMOSFET进行了仿真。计算结果表明,当CESL应力为-2.5 GPa时,该槽型结构使沟道应变状态从对NMOSFET不利的压应变（-333 MPa）转变为有利的张应变（256 MPa）,从而使器件的输出电流和跨导均得到提升。该技术具有在应变CMOS中得到应用的潜力,提供了一种不同于双应力线（DSL）技术的新方案。     

移动空间——农民工文化娱乐建筑探索

农民工是城市建设的脊梁,然而背井离乡的他们,在这个由自己的双手建造起来的地方体味到的不是家的温暖,而是城市繁华背后的冷漠.设计针对现有农民工业余生活及文化娱乐状况差的问题,探索一种可移动的文化娱乐空间,从而为他们创造良好的生活、娱乐、学习及卫生条件.     

非故意掺杂GaN上Ti/Al/Ni/Au欧姆接触研究

基于圆形传输线模型,研究了背景载流子浓度为71016cm3的非故意掺杂GaN与Ti/Al/Ni/Au多层金属之间欧姆接触的形成。样品在N2气氛中,分别经过温度450,550,700,800,900℃的1 min快速热退火处理后发现,当退火温度高于700℃欧姆接触开始形成,随着温度升高欧姆接触电阻持续下降,在900℃时获得了最低比接触电阻6.6106O·cm2。研究表明,要获得低的欧姆接触电阻,需要Al与Ti发生充分固相反应,并穿透Ti层到达GaN表面;同时,GaN中N外扩散到金属中,在GaN表面产生N空位起施主作用,可提高界面掺杂浓度,从而有助于电子隧穿界面而形成良好欧姆接触。