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白城平原区"四水"转化产流模型的探讨 总被引:2,自引:0,他引:2
通过模拟计算,根据“四水”转化的动态规律,在优化参数的条件下,求出各种时间尺度的水平衡指标和“四水”转化关系。本文选用道字泡径流实验站作为参数率定站,用于吉林省西部未控制地区的水资源量计算评价。 相似文献
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在掺杂P室采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF—PECVD)技术,制备了不同硅烷浓度条件下的本征微晶硅薄膜.对薄膜电学特性和结构特性的测试结果分析表明:随硅烷浓度的增加,材料的光敏性先略微降低后提高,而晶化率的变化趋势与之相反;X射线衍射(xRD)测试表明材料具有(220)择优晶向.在P腔室中用VHF—PECVD方法制备单结微晶硅太阳能电池的i层和p层,其光电转换效率为4.7%,非晶硅/微晶硅叠层电池(底电池的p层和i层在P室沉积)的效率达8.5%. 相似文献
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采用超高频等离子增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,逐次高速沉积非品硅顶电池及微晶硅底电池,形成pin/pin型非晶硅/微晶硅叠层电池.通常顶电池的n层与底电池的P层均采用微晶硅材料来形成隧穿复合结,然而该叠层电池的光谱响应测试结果表明,顶电池存在着明显的漏电现象.针对该问题作者提出,在顶电池的微品硅n层中引入非晶硅n保护层的方法.实验结果表明,非晶硅n层的引入有效地改善了顶电池漏电的现象;在非晶硅n层的厚度为6nm时,顶电池的漏电现象消失,叠层电池的开路电压由原来的1.27提高到1.33V,填允因子由60%提高剑63%. 相似文献
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946.
以玻璃为衬底,利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法,在360℃附近实现ZnO薄膜的生长.利用ZnO为有源层制备底栅型薄膜晶体管.SiO2 被用作栅绝缘材料以有效的抑制漏泄电流的产生,达到氧化锌薄膜晶体管 (ZnO-TFT) 成功运作目的.ZnO-TFT 的电流开关(on/off)比达到104以上.ZnO-TFT 在可见光区平均光透过率大约为80%.以上表明利用ZnO 替代传统 Si 材料作有源层材料制备透明薄膜晶体管是可能的. 相似文献
947.
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949.
黑曲霉液体发酵产木聚糖酶条件的研究 总被引:3,自引:0,他引:3
用麦草、蔗渣和麦麸等农业废弃物作为主要原料生产木聚糖酶,并对黑曲霉FSY01液体发酵产木聚糖酶的条件进行了优化。研究表明最适产酶条件:以麦草/麦麸3:1(w/w)作碳源,用量3%;尿素/硝酸铵1:1(w/w)作氮源,C/N比5:1;调节初始pH值4.2;培养温度30℃;培养时间72h,在此条件下黑曲霉液体发酵产木聚糖酶最高活力达到119.6IU/mL。添加少量可溶性低聚木糖可以提高产酶活力,加入Tween80则抑制木聚糖酶的产生。 相似文献
950.